一种用于自动退料的真空镀装置的制作方法

1.本技术涉及真空镀膜技术领域，尤其是涉及一种用于自动退料的真空镀装置。


背景技术：

2.随着社会的发展，人们对工业生产材料的要求也越来越高，为了在材料的表面增加不同的化学特性，人们常常会在工业生产材料的表面进行真空镀膜；真空镀膜是指在高真空的条件下加热金属或非金属材料，使其蒸发并凝结于金属、半导体或绝缘体等镀件表面而形成薄膜的一种方法；现有的真空镀膜技术一般分为两大类，即物理气相沉积技术和化学气相沉积技术；其被广泛地应用于光学器件、电子电路、五金组件等领域上。
3.现有技术中，为了提高手机充电接头前端的耐磨性及其美观性，同时兼顾手机充电接头整体的轻薄度，手机生产厂商一般都只会对手机充电接头的表面进行真空镀膜，镀膜完成后用人工将手机充电接头从治具中退料出来，但其手机充电接头与治具往往紧密配合，不好直接用手或者其他治具将其分离，工作人员的劳动强度较大。


技术实现要素：

4.为了改进现有的真空镀遮蔽治具采用人工退料费时费力，劳动强度较大的问题，本技术提供一种用于自动退料的真空镀装置。
5.采用如下的技术方案：
6.一种用于自动退料的真空镀装置，包括主体框架、驱动组件、退料块，所述主体框架包括盖板、底板和支撑杆，所述支撑杆固定连接底板和盖板，所述驱动组件固定设置于盖板上，所述驱动组件的动力输出端穿过所述盖板与所述退料块相连接，所述退料块可在驱动组件的带动下做升降运动，所述底板上设置有通孔，所述底板中设有治具容置位，所述治具容置位用于容置真空镀治具，所述真空镀治具中设有物料容置腔，所述物料容置腔一端面上的开口端与所述通孔相对准，所述退料块中设有凸起的退料杆，所述退料杆可进入所述物料容置腔另一端面上的退料孔中。
7.通过采用上述技术方案，物料放置于真空镀治具的物料容置腔内，对物料进行真空镀膜，待真空镀膜完成后需要将物料取出，则将其真空镀治具放置本装置的底板的治具容置位上，真空镀治具内的物料容置腔一端面上的开口端与通孔相对准，真空镀治具盖住通孔，驱动组件驱动退料块升降运动，使退料块与真空镀治具压合，则退料块上的退料杆伸入真空镀治具的退料孔中，将物料容置腔内的物料顶出，实现了对真空镀治具的退料，再驱动退料块竖直向上升起，再将带有物料的真空镀膜放置于底板的治具容置位上，重复操作，其不需要通过人工直接将物料从真空镀治具内取出，实现自动退料，大大降低了劳动强度。
8.优选的，所述驱动组件包括升降气缸，所述升降气缸的气缸轴固定连接退料块。
9.通过采用上述技术方案，驱动组件为升降气缸，升降气缸带动退料块做升降运动，可以使退料块与真空镀治具压合与分离，且升降气缸使用方便，操作简单。
10.优选的，还包括收纳盒，所述收纳盒位于通孔的下方。
11.通过采用上述技术方案，收纳盒用于收集容置腔内的物料，可以防止物料的丢失。
12.优选的，所述收纳盒底部内侧放置有棉布。
13.通过采用上述技术方案，收纳盒放置有棉布，在落入收纳盒的过程中，不会与收纳盒发生碰撞，不会导致物料或物料上的薄膜损坏。
14.优选的，所述治具容置位包括容置凹槽，所述容置凹槽周向设置于退料通孔外侧。
15.通过采用上述技术方案，容置凹槽用于容置真空镀治具，可以使退料块与真空镀治具压合时可以对准，防止出现偏移和导致物料不能从真空镀治具中被退料块顶出。
16.优选的，所述容置凹槽的深度不大于真空镀治具的高度。
17.通过采用上述技术方案，容置凹槽的深度不大于真空镀治具的高度，可以便于工作人员将真空镀治具放进容置凹槽内，并容易拿出。
18.通过采用上述技术方案，优选的，所述退料块上设置有装配板，所述装配板固定连接气缸轴和退料块。
19.通过采用上述技术方案，装配板用于稳定退料块与升降气缸之间的结构，增强本装置的稳定性。
20.优选的，所述退料块的数量为多个，所述通孔的数量为多个。
21.通过采用上述技术方案，装配板固定连接多个退料块，从而真空镀治具与退料块压合时，一次可进行多个真空镀治具的退料，提高工作效率。
22.优选的，所述升降气缸的数量为多个。
23.通过采用上述技术方案，升降气缸的数量为多个，可以更加平稳地升降装配板和退料块，使退料块与真空镀治具压合时更加紧密。
24.综上所述，本技术包括以下至少一种有益技术效果：
25.1.当真空镀膜完成后需要将物料取出时，将其真空镀治具放置本装置的底板的治具容置位上，真空镀治具内的物料容置腔一端面上的开口端与通孔相对准，真空镀治具盖住通孔，驱动组件驱动退料块升降运动，使退料块与真空镀治具压合，则退料块上的退料杆伸入真空镀治具的退料孔中，将物料容置腔内的物料顶出，实现了对真空镀治具的退料，再驱动退料块竖直向上升起，再将带有物料的真空镀膜放置于底板的治具容置位上，重复操作，其不需要通过人工直接将物料从真空镀治具内取出，实现自动退料，大大降低了劳动强度。
26.2.容置凹槽的深度不大于真空镀治具的高度，可以便于工作人员将真空镀治具放进容置凹槽内，并容易拿出。
27.3.退料块设置有多个，通孔设置有多个，则装配板固定连接多个退料块，从而真空镀治具与退料块压合时，一次可进行多个真空镀治具的退料，提高工作效率。
附图说明
28.图1是一种用于自动退料的真空镀装置的结构示意图。
29.图2是一种用于自动退料的真空镀装置的凸显退料块的结构示意图。
30.图3是一种用于自动退料的真空镀装置的左视图。
31.图4是一种用于自动退料的真空镀装置的爆炸图。
32.图5是一种用于自动退料的真空镀装置的真空镀治具的结构示意图。
33.图6是一种用于自动退料的真空镀装置的真空镀治具的俯视图。
34.图7是一种用于自动退料的真空镀装置的真空镀治具的仰视图。
35.附图标记说明：1、主体框架；11、盖板；12、支撑杆；13、底板；131、通孔；132、容置凹槽；2、升降气缸；21、气缸轴；3、退料块；31、退料杆；4、真空镀治具；41、物料容置腔；42、开口端；43、退料孔；5、收纳盒；6、装配板；7、手机充电接口。
具体实施方式
36.以下结合附图1-7，对本技术作进一步详细说明。
37.本技术实施例公开一种用于自动退料的真空镀装置。
38.参照图1和图2，一种用于自动退料的真空镀装置包括主体框架1、驱动组件、退料块3和收纳盒5，驱动组件放置于主体框架1上，收纳盒5放置于主体框架1底部，主体框架1包括底板13、盖板11和支撑杆12，支撑杆12固定连接底板13和盖板11，驱动组件固定设置于盖板11上，驱动组件的动力输出端穿过所述盖板11与退料块3相连接，退料块3可在驱动组件的带动下做升降运动。驱动组件包括升降气缸2，升降气缸2的气缸轴21固定连接退料块3，升降气缸2带动退料块3做升降运动，使退料块3与真空镀治具4压合与分离。
39.参照图2和图4，底板13上设置有通孔131，底板13中设有治具容置位，治具容置位用于容置真空镀治具4，治具容置位包括容置凹槽132，容置凹槽132周向设置于退料通孔131外侧。容置凹槽132可以使退料块3与真空镀治具4压合时可以对准，防止出现偏移和导致物料不能从真空镀治具4中被退料块3顶出。容置凹槽132的深度不大于真空镀治具4的高度，可以便于工作人员将真空镀治具4放进容置凹槽132内，并容易拿出。
40.参照图2和图3，退料块3上设置有装配板6，装配板6固定连接气缸轴21和退料块3。装配板6用于稳定退料块3与升降气缸2之间的结构，增强本装置的稳定性。退料块3的数量有多个，通孔131的数量有多个。则装配板6固定连接多个退料块3，从而真空镀治具4与退料块3压合时，一次可进行多个真空镀治具4的退料，提高工作效率。
41.参照图4至图7，真空镀治具4中设有物料容置腔41，物料容置腔41一端面上的开口端42与所述通孔131相对准，物料容置腔41的另一端端面连接退料孔43。退料块3中设有凸起的退料杆31，退料杆31可进入真空镀治具4的退料孔43中。
42.在本实施例中，物料放置于真空镀治具4的物料容置腔41内，所述物料为手机充电接口，则对手机充电接口进行真空镀膜，待真空镀膜完成后需要将手机充电接口取出，则将其真空镀治具4放置本装置的底板13的容置凹槽132上，真空镀治具4内的物料容置腔41一端面上的开口端42与通孔131相对准，真空镀治具4盖住通孔131，升降气缸2驱动退料块3升降运动，使退料块3与真空镀治具4压合，则退料块3上的退料杆31伸入真空镀治具4的退料孔43中，将物料容置腔41内的手机充电接口顶出，手机充电接口掉落进收纳盒5中，防止物料了手机充电接口的丢失；同时，收纳盒5底部内侧放置有棉布。在落入收纳盒5的过程中，不会与收纳盒5发生碰撞，不会导致手机充电接口或手机充电接口的薄膜损坏。这样，实现了对真空镀治具4的自动退料。并且，再驱动退料块3竖直向上升起，再将带有手机充电接口的真空镀膜放置于底板13的治具容置位上，重复操作，其不需要通过人工直接将手机充电接口从真空镀治具4内取出，大大降低了劳动强度。
43.在本实施例中，升降气缸2的数量可有多个，可以更加平稳地升降装配板6和退料
块3，使退料块3与真空镀治具4压合时更加紧密。
44.本技术实施例一种用于自动退料的实施原理为：当真空镀膜完成后需要将手机充电接口取出时，将其真空镀治具4放置本装置的底板13的治具容置位上，真空镀治具4内的物料容置腔41一端面上的开口端42与通孔131相对准，真空镀治具4盖住通孔131，驱动组件驱动退料块3升降运动，使退料块3与真空镀治具4压合，则退料块3上的退料杆31伸入真空镀治具4的退料孔43中，将物料容置腔41内的物料顶出，实现了对真空镀治具4的退料，再驱动退料块3竖直向上升起，再将带有手机充电接口的真空镀膜放置于底板13的治具容置位上，重复操作，其不需要通过人工直接将手机充电接口从真空镀治具4内取出，实现自动退料，大大降低了劳动强度。
45.以上均为本技术的较佳实施例，并非依此限制本技术的保护范围，故：凡依本技术的结构、形状、原理所做的等效变化，均应涵盖于本技术的保护范围之内。