一种PECVD在粉体表面沉积二氧化硅薄膜的装置结构的制作方法

一种pecvd在粉体表面沉积二氧化硅薄膜的装置结构
技术领域
1.本实用新型涉及一种pecvd在粉体表面沉积二氧化硅薄膜的装置结构。


背景技术：

2.公知的，随着科学技术的飞速发展，粉体表面沉积二氧化硅薄膜的技术已经得到普遍应用，粉体表面通过pecvd沉积二氧化硅薄膜具备附着力好、包覆率高及粉体粒度更细等优势。
3.在粉体表面镀制二氧化硅薄膜时，被镀粉体要求越来越小，包覆率越来越高，处理量越来越大，现有的真空镀膜装置主要采用磁控溅射来沉积薄膜，这样针对一些大颗粒的粉体还行，但是当粉体颗粒小于5微米时，粉体自身团聚严重，难以分散，沉积质量不好，因此，提出一种能够稳定的高效地在粒度更小的粉体表面沉积薄膜装置结构，成为本领域技术人员的基本诉求。


技术实现要素：

4.针对现有技术中存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种pecvd在粉体表面沉积二氧化硅薄膜的装置结构，通过将粉体放在粉体容器内，通过射频等离子体发生器提供能量，通过流量计将气态源送到等离子发生区反应，实现了在粉体表面均匀沉积高品质二氧化化硅薄膜的目的。
5.为解决上述问题，本实用新型采用如下的技术方案。
6.一种pecvd在微米级粉体表面沉积二氧化硅薄膜的装置结构，包括圆柱形真空镀膜室，所述圆柱形真空镀膜室内设有阴极发生器、阳极发生器、真空专用加热器、粉体容器，所述圆柱形真空镀膜室的左侧设置有观察窗，所述圆柱形真空镀膜室的底部连接有气体流量计。
7.相比于现有技术，本实用新型的优点在于：
8.本方案通过将粉体放在粉体容器内，通过射频等离子体发生器提供能量，通过流量计将气态源送到等离子发生区反应，实现了在粉体表面均匀沉积高品质二氧化化硅薄膜的目的。
附图说明
9.图1为本实用新型的结构示意图。
10.图中标号说明：
11.1、阴极发生器；2、阳极发生器；3、真空专用加热器；4、粉体容器；5、真空镀膜室；6、观察窗；7、流量计。
具体实施方式
12.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行
清楚、完整地描述；
13.请参阅图1，一种pecvd在粉体表面沉积二氧化硅薄膜的装置结构，包括圆柱形真空镀膜室5，圆柱形真空镀膜室5内设有阴极发生器1、阳极发生器2、真空专用加热器3、粉体容器4，圆柱形真空镀膜室5的左侧设置有观察窗6，圆柱形真空镀膜室5的底部连接有气体流量计7。
14.上述结构，在使用时，根据需要将粉体放入粉体容器4中，通过真空专用加热器3加热至400℃，通过阳极发生器2和阴极发生器1将由流量计7充入的反应气体离化合成，慢慢沉积在粉体上，即可获取非常高质量的二氧化硅包覆粉体材料。
15.以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式；但本实用新型的保护范围并不局限于此。任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其改进构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围内。


技术特征：
1.一种pecvd在粉体表面沉积二氧化硅薄膜的装置结构，其特征在于：包括圆柱形真空镀膜室(5)，所述圆柱形真空镀膜室(5)内设有阴极发生器(1)、阳极发生器(2)、真空专用加热器(3)、粉体容器(4)，所述圆柱形真空镀膜室(5)的左侧设置有观察窗(6)，所述圆柱形真空镀膜室(5)的底部连接有气体流量计(7)。

技术总结
本实用新型公开了一种PECVD在粉体表面沉积二氧化硅薄膜的装置结构，包括圆柱形真空镀膜室，所述圆柱形真空镀膜室内设有阴极发生器、阳极发生器、真空专用加热器、粉体容器，所述圆柱形真空镀膜室的左侧设置有观察窗，所述圆柱形真空镀膜室的底部连接有气体流量计。本方案通过将粉体放在粉体容器内，通过射频等离子体发生器提供能量，通过流量计将气态源送到等离子发生区反应，实现了在粉体表面均匀沉积高品质二氧化化硅薄膜的目的。高品质二氧化化硅薄膜的目的。高品质二氧化化硅薄膜的目的。


技术研发人员：邹杨 孙蕾 邹松东
受保护的技术使用者：洛阳奥尔材料科技有限公司
技术研发日：2022.08.12
技术公布日：2022/11/8