镀膜腔室及镀膜设备的制作方法

1.本实用新型涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种镀膜腔室及镀膜设备。


背景技术：

2.化学气相沉积(cvd)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术。
3.化学气相沉积设备包括沉积腔室和进气流路，进气流路与沉积腔室连通，在进气流路中部设置温度控制单元，温度控制单元可以通过调节温度的方式对进气流路内的流导率进行调节。
4.然而，温度控制单元与沉积腔室之间的距离较远，使温度控制单元的温控效果较差，进而导致进气流路内的流导率调节效果不佳。


技术实现要素：

5.本实用新型的目的在于提供一种镀膜腔室，以解决现有技术中的进气流路内的流导率调节效果不佳的技术问题。
6.本实用新型提供的镀膜腔室，包括腔室、进气流道和温度控制单元；
7.所述进气流道的一端与所述腔室内部连通，所述温度控制单元设置在所述进气流道内，且所述温度控制单元位于所述进气流道与所述腔室的交界区域。
8.进一步地，所述温度控制单元设置在所述进气流道与所述腔室的连接处。
9.进一步地，所述进气流道的一端伸入所述腔室内部，所述温度控制单元设置在伸入所述腔室内部的所述进气流道内。
10.进一步地，所述温度控制单元设置在所述进气流道伸入所述腔室内部的一端。
11.进一步地，所述进气流道伸入所述腔室内部的一端与所述腔室的内壁平齐。
12.进一步地，所述进气流道伸入所述腔室内部的一端凸出于所述腔室的内壁。
13.进一步地，所述温度控制单元与所述进气流道固定连接。
14.进一步地，所述温度控制单元与所述进气流道可拆卸地连接。
15.进一步地，所述镀膜腔室还包括流量控制元件；所述流量控制元件设置在所述进气流道内。
16.本实用新型的目的还在于提供一种镀膜设备，包括本实用新型提供的镀膜腔室。
17.本实用新型提供的镀膜腔室，包括腔室、进气流道和温度控制单元；所述进气流道的一端与所述腔室内部连通，所述温度控制单元设置在所述进气流道内，且所述温度控制单元位于所述进气流道与所述腔室的交界区域。将温度控制单元设置在进气流道与腔室的交界区域，能够使温度控制单元靠近腔室设置，缩小温度控制单元与腔室之间的距离，使温度控制单元具有良好地温控效果，提升进气流道内的流导率的调节效果，从而保证镀膜工艺环境的温度性，使镀膜反应充分，减少颗粒的形成。
附图说明
18.为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
19.图1是本实用新型实施例提供的一种实施方式中镀膜腔室的结构示意图；
20.图2是本实用新型实施例提供的另一种实施方式中镀膜腔室的结构示意图。
21.图标：1-腔室；2-进气流道；3-温度控制单元；4-流量控制元件。
具体实施方式
22.下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
23.在本实用新型的描述中，需要说明的是，如出现术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等，其所指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，如出现术语“第一”、“第二”、仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。其中，术语“第一位置”和“第二位置”为两个不同的位置。
24.在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
25.本实用新型提供了一种镀膜腔体及镀膜设备，下面给出多个实施例对本实用新型提供的镀膜腔体及镀膜设备进行详细描述。
26.实施例1
27.本实施例提供的镀膜腔室，如图1至图2所示，包括腔室1、进气流道2和温度控制单元3；进气流道2的一端与腔室1内部连通，温度控制单元3设置在进气流道2内，且温度控制单元3位于进气流道2与腔室1的交界区域。
28.将温度控制单元3设置在进气流道2与腔室1的交界区域，能够使温度控制单元3靠近腔室1设置，缩小温度控制单元3与腔室1之间的距离，使温度控制单元3具有良好地温控效果，提升进气流道2内的流导率的调节效果，从而保证镀膜工艺环境的温度性，使镀膜反应充分，减少颗粒的形成。
29.其中，进气流道2与腔室1的交界区域是指，进气流道2与腔室1相互重叠的区域。
30.例如，在一种可选地实施方式中，温度控制单元3设置在进气流道2与腔室1的连接处。
31.在进气流道2与腔室1的连接处，进气流道2与腔室1相互重叠，温度控制单元3设置
在进气流道2与腔室1的连接处，使温度控制单元3较为靠近腔室1设置，缩小温度控制单元3与腔室1之间的距离，使温度控制单元3具有良好地温控效果，提升进气流道2内的流导率的调节效果。
32.在另一种可选地实施方式中，进气流道2的一端伸入腔室1内部，温度控制单元3设置在伸入腔室1内部的进气流道2内。
33.进气流道2的一端伸入腔室1内部，伸入腔室1内部的进气流道2与腔室1相互重叠，温度控制单元3设置在伸入腔室1内部的进气流道2内，使温度控制单元3位于腔室1内部，使温度控制单元3具有良好地温控效果，提升进气流道2内的流导率的调节效果。
34.在进气流道2伸入腔体内部时，温度控制单元3可以设置在伸入腔室1内部的进气流道2内的任意位置，例如伸入腔室1内部的进气流道2的中部，或伸入腔室1内部的进气流道2的端部等任意适合的位置。
35.本实施例中，温度控制单元3设置在进气流道2伸入腔室1内部的一端。
36.温度控制单元3设置在伸入腔室1内部的进气流道2的端部，能够便于温度控制单元3与进气流道2拆装，提高拆装的便捷性。
37.在进气流道2伸入腔室1内部时，在一种实施方式中，进气流道2伸入腔室1内部的一端与腔室1的内壁平齐。
38.进气流道2伸入腔室1内部的一端不凸出于腔室1的内壁，使内壁保持初始状态时的平滑程度。
39.在另一种实施方式中，进气流道2伸入腔室1内部的一端凸出于腔室1的内壁。
40.进气流道2伸入腔室1内部的一端凸出于腔室1的内壁，进气流道2伸入腔室1内部的一端与温度控制单元3拆装的便捷性较高，能够提高温度控制单元3拆装的便捷性。
41.其中，温度控制单元3可以与进气流道2固定连接，连接方式可以为焊接或粘接等任意适合的形式，能够将温度控制单元3稳固地安装在进气流道2内。
42.温度控制单元3也可以与进气流道2可拆卸地连接，连接方式可以为卡接或螺纹连接等任意适合的形式，能够便于温度控制单元3与进气流道2的拆装。
43.进一步地，镀膜腔室还包括流量控制元件4；流量控制元件4设置在进气流道2内。
44.流量控制元件4可以包括阀，也可以包括接头等任意适合的形式。
45.温度控制单元3能够调节流量控制元件4的温度，从而对进气流道2内的流导率进行调节。
46.温度控制单元3与流量控制元件4之间可以直接接触，也可以间接接触，只要温度控制单元3能够调节流量控制元件4的温度即可。
47.本实施例提供的镀膜腔室，将温度控制单元3设置在进气流道2与腔室1的交界区域，能够使温度控制单元3靠近腔室1设置，缩小温度控制单元3与腔室1之间的距离，使温度控制单元3具有良好地温控效果，提升进气流道2内的流导率的调节效果，从而保证镀膜工艺环境的温度性，使镀膜反应充分，减少颗粒的形成。
48.实施例2
49.本实施例提供的镀膜设备，包括实施例1提供的镀膜腔室。将温度控制单元3设置在进气流道2与腔室1的交界区域，能够使温度控制单元3靠近腔室1设置，缩小温度控制单元3与腔室1之间的距离，使温度控制单元3具有良好地温控效果，提升进气流道2内的流导
率的调节效果，从而保证镀膜工艺环境的温度性，使镀膜反应充分，减少颗粒的形成。
50.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。