改善卡点印的硅片表面沉积工艺的制作方法

本发明涉及硅片沉积领域，具体涉及一种改善卡点印的硅片表面沉积工艺。

背景技术：

1、随着perc逐年增产需求，对应氧化铝增大产量的方式也在优化，目前多数都是用管式笑气(一氧化氮)和三甲基铝(tma)进行反应形成氧化铝，授权公告号为cn113322451b的专利就是采用此种方式生成氧化铝。

2、石墨舟卡点位置温度由于焦耳效应，卡点位置温度高于硅片中心区域温度，此位置沉积速率发生改变，发生卡点下点位el发黑情况，因此，亟需开发一种新的硅片表面沉积工艺，以解决卡点下点位el发黑情况。

技术实现思路

1、本发明要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种改善卡点印的硅片表面沉积工艺，以解决氧化铝卡点位置形成卡点印的问题。

2、为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种改善卡点印的硅片表面沉积工艺，包括：

3、s1，预通气：在氧化铝成膜前，通入笑气和三甲基铝，并恒定压力；

4、s2，氧化铝沉积：继续通入笑气和三甲基铝，并间歇性开启射频，以在石墨舟上的硅片表面沉积氧化铝；其中，射频功率为3000～5000w，射频开关比的比值小于0.02。

5、进一步，s2中，射频开关比为20ms:1200ms。

6、进一步，s1中，工艺温度为350℃，笑气流量为5000±500sccm，三甲基铝流量为50g/h，压力为1500mtorr，工艺时间为20s。

7、进一步，s2中，工艺温度为350℃，笑气流量为5000±500sccm，三甲基铝流量为50g/h，压力为1500mtorr，工艺时间为120s。

8、射频开20ms，关1200ms，在120s内一直如此重复，射频在打开的状态下，将气体打成等离子体，在关闭的状态下，这些等离子体形成薄膜。

9、进一步，工艺还包括：

10、s3，笑气修复：抽真空后，通入清洗气体，并间歇性开启射频，以清理残留的反应气体；其中，清洗气体为笑气和氨气的混合气体或笑气。

11、残留的三甲基铝和笑气对氧化铝腐蚀性较强，增加笑气修复，可以减少其腐蚀性，同时注入向膜层内注入o，使界面处形成用于价电子传输的siox层，并且提升了alox的al-o四面体结构占比和si-o键成键比例，明显改善了钝化效果。

12、进一步，s3中，气体流量为5000±500sccm，压力为1500mtorr，射频功率为4000w，开关比为50ms:1000ms。

13、进一步，工艺还包括：

14、s4，沉积氮化硅：抽真空后，通入硅烷和氨气，并间歇性开启射频，以在最外层沉积氮化硅。

15、由于氮化硅折射率最低，所以最外层增加氮化硅层，增加其吸光效果。

16、进一步，s4中，工艺时间600±50s，硅烷流量为1500±300sccm，氨气流量为12000±500sccm，射频功率为13000w，射频开关比为50ms:500ms，压强为1600±300mtorr。

17、进一步，工艺还包括：

18、s5，出舟：抽真空，使炉内压强为零，然后充氮气，使炉内压强达到与大气压等同，开炉门出舟。

19、进一步，s1前还包括：

20、s01，入炉：将进行洗磷后抛光的硅片放入pe镀膜设备的石墨舟的舟托上，然后匀速推至炉内，推入过程中同时向炉内充入氮气，炉内初始温度为400±70℃，氮气流量为5000±500sccm，压强为10000mtorr；

21、s02，恒温：将石墨舟推送至炉内指定位置后，sic桨退回至炉外初始位置，关闭炉门，温度恒定在300±50℃，氮气流量为5000±500sccm，压强为10000mtorr；

22、s03，抽真空：温度稳定后，对炉内进行抽真空，使炉内保持低压真空状态然后对炉管进行气密性检测。

23、采用上述技术方案后，本发明具有以下有益效果：

24、1、本发明降低了氧化铝沉积过程中射频功率，并降低了射频开关比的比值，即拉大了开关比，从而减少了卡点位置氧化铝镀膜异常；

25、2、残留的tma和笑气对氧化铝腐蚀性较强，本发明增加了笑气修复步骤，减少了残留的tma和笑气对氧化铝的腐蚀性，可以更好地形成氧化铝膜层；

26、3、氧化铝结束后升温背镀氮化硅层，由于残留的三甲基铝和笑气氧化性比较大，一方面粘在氧化铝层表面影响氮化硅的沉积；另一方面会和sih4形成其它的膜层，通过笑气修复步骤，也可以清洗掉残留的反应气体，进而更好地形成氮化硅层。

技术特征：

1.一种改善卡点印的硅片表面沉积工艺，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的改善卡点印的硅片表面沉积工艺，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的改善卡点印的硅片表面沉积工艺，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的改善卡点印的硅片表面沉积工艺，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的改善卡点印的硅片表面沉积工艺，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的改善卡点印的硅片表面沉积工艺，其特征在于，

7.根据权利要求5所述的改善卡点印的硅片表面沉积工艺，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的改善卡点印的硅片表面沉积工艺，其特征在于，

9.根据权利要求7所述的改善卡点印的硅片表面沉积工艺，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的改善卡点印的硅片表面沉积工艺，其特征在于，

技术总结
本发明涉及一种改善卡点印的硅片表面沉积工艺，包括：S1，预通气：在氧化铝成膜前，通入笑气和三甲基铝，并恒定压力；S2，氧化铝沉积：继续通入笑气和三甲基铝，并间歇性开启射频，以在石墨舟上的硅片表面沉积氧化铝；其中，射频功率为5000W，射频开关比为20ms:1200ms。本发明解决了氧化铝卡点位置形成卡点印的问题。

技术研发人员：程平,张飞,孙铁囤
受保护的技术使用者：常州亿晶光电科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12