一种以PEN为介质的金属化薄膜的制备方法与流程

本发明涉及薄膜电容器，特别涉及一种以pen为介质的金属化薄膜的制备方法。

背景技术：

1、传统薄膜电容器采用pet或opp薄膜作为介质进行蒸镀，进而形成金属化薄膜，以金属层作为电极，基膜作为介质层，卷绕形成电容器的芯子。

2、传统pet薄膜的耐温只有120度左右，opp薄膜的耐温只有105度左右，为了满足电容器在极端环境中（尤其是高温环境）性能不受到破坏，保证电容器正常的工作，这对薄膜的耐高温性能要求将进一步提升。

技术实现思路

1、本发明的目的：为了克服现有技术的缺陷，本发明提供了一种以pen为介质的金属化薄膜的制备方法，而采用该薄膜制成的电容器耐温度可达160度以上，这将大幅度提升电容器在高温状态下使用的稳定性和寿命。

2、本发明公开涉及一种以pen为介质的金属化薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

3、等离子前处理，将pen薄膜表面进行电晕法处理，使得塑料分子的化学键断裂而降解，放电时，还会产生大量的臭氧，使得塑料分子氧化，产生羰基与过氧化物的基团，从而提高了pen材料表面的金属附着能力；

4、金属蒸镀，在超真空的条件下，将pen薄膜作为介质层，以金属铝作为电极，并进行蒸镀，进而形成金属化薄膜，并通过温度控制系统对温度进行控制。

5、本发明的再进一步设置：还包括以下步骤，在金属蒸镀的同时采用伺服电机和张力传感器配合控制金属化薄膜的卷绕张力。

6、本发明的再进一步设置：金属蒸镀中，其采用的蒸发温度为900-1100度。

7、本发明的再进一步设置：金属化薄膜的裁切宽度在标称宽度±0.2mm。

8、本发明的再进一步设置：金属化薄膜的方阻为标称方阻±30%以内。

9、本发明的具体有益效果为：一、采用pen薄膜进行蒸镀，可以大幅提升成品金属化薄膜的耐温程度；二、采用等离子处理技术使得待蒸镀面具有良好的金属附着能力，从而提高了金属化层与膜之间的结合力；三、利用温度控制系统的相互配合可以使膜在高温蒸镀的时候的烫伤现象得到有效控制，从而保证成品膜的电性能要求。

10、实施方式

11、本发明公开涉及一种以pen为介质的金属化薄膜的制备方法，本发明实施案例中，包括以下步骤：

12、等离子前处理，将pen薄膜表面进行电晕法处理，使得塑料分子的化学键断裂而降解，放电时，还会产生大量的臭氧，使得塑料分子氧化，产生羰基与过氧化物的基团，从而提高了pen材料表面的金属附着能力；

13、金属蒸镀，在超真空的条件下，将pen薄膜作为介质层，以金属铝作为电极（金属铝最优选采用纯度为9999），并进行蒸镀，进而形成金属化薄膜，并通过温度控制系统对温度进行控制。

14、还包括以下步骤，在金属蒸镀的同时采用伺服电机和张力传感器配合控制金属化薄膜的卷绕张力。

15、金属蒸镀中，其采用的蒸发温度为900-1100度。

16、金属化薄膜的裁切宽度在标称宽度±0.2mm。

17、金属化薄膜的方阻为标称方阻±30%以内。

18、本发明的具体有益效果为：一、采用pen薄膜进行蒸镀，可以使得金属化薄膜的耐温大于等于150度；二、采用等离子处理技术使得待蒸镀面具有良好的金属附着能力，从而提高了金属化层与膜之间的结合力；三、利用温度控制系统的相互配合可以使膜在高温蒸镀的时候的烫伤现象得到有效控制，从而保证成品膜的电性能要求。

19、将opp、pet和pen薄膜进行100-170度的高温检：

20、。

技术特征：

1.一种以pen为介质的金属化薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种以pen为介质的金属化薄膜的制备方法，其特征在于：还包括以下步骤，在金属蒸镀的同时采用伺服电机和张力传感器配合控制金属化薄膜的卷绕张力。

3.根据权利要求1或2所述的一种以pen为介质的金属化薄膜的制备方法，其特征在于：金属蒸镀中，其采用的蒸发温度为900-1100度。

4.根据权利要求3所述的一种以pen为介质的金属化薄膜的制备方法，其特征在于：金属化薄膜的裁切宽度在标称宽度±0.2mm。

5.根据权利要求4所述的一种以pen为介质的金属化薄膜的制备方法，其特征在于：金属化薄膜的方阻为标称方阻±30%以内。

技术总结
本发明公开涉及一种以PEN为介质的金属化薄膜的制备方法，包括以下步骤：等离子前处理，将PEN薄膜表面进行电晕法处理，使得塑料分子的化学键断裂而降解，放电时，还会产生大量的臭氧，使得塑料分子氧化，产生羰基与过氧化物的基团，从而提高了PEN材料表面的金属附着能力；金属蒸镀，在超真空的条件下，将PEN薄膜作为介质层，以金属铝作为电极，并进行蒸镀，进而形成金属化薄膜，并通过温度控制系统对温度进行控制，而采用该薄膜制成的电容器耐温度可达160度以上，这将大幅度提升电容器在高温状态下使用的稳定性和寿命。

技术研发人员：刘海松,王秋平,李仲良,李龙,李婷婷
受保护的技术使用者：浙江七星电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15