一种基盘加热系统及半导体设备的制作方法

本申请涉及气相沉积，具体而言，涉及一种基盘加热系统及半导体设备。

背景技术：

1、化学气相沉积(cvd)工艺室通常用于半导体工业中，以将薄膜沉积到cvd工艺室中的晶圆载盘上的衬底晶片表面。cvd工艺腔室可以采用等离子体技术来实现具有可流动的cvd间隙填充工艺。然而，随着衬底晶片表面上的特征尺寸继续减小，现有的晶圆载盘很难在cvd间隙填充工艺中使衬底晶片表面获得均匀性较高的薄膜。

技术实现思路

1、本申请的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种基盘加热系统及半导体设备，其能够提高衬底晶片表面薄膜沉积的均匀性，得到高质量的薄膜。

2、为实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

3、本申请实施例的一方面，提供一种基盘加热系统，包括：基座和转动设置在基座上的基盘，基盘内设有第一加热组件和第二加热组件，第一加热组件位于基盘的承载面和第二加热组件之间，第一加热组件用于加热基盘，第二加热组件用于对第一加热组件加热。

4、可选地，第一加热组件包括加热通道，加热通道内循环通入加热介质，第二加热组件包括加热板，加热板的加热面朝向加热通道。

5、可选地，加热通道包括多个呈环形的子加热通道，多个子加热通道同心设置并通过跨接加热通道相互连通。

6、可选地，基盘的承载面上设有真空吸附槽，真空吸附槽的底部设有真空孔，真空吸附槽通过真空孔与抽真空装置连通，真空吸附槽用于将衬底晶片吸附固定在承载面上。

7、可选地，真空吸附槽包括多个呈环形的子吸附槽，多个子吸附槽同心设置并通过多个跨接吸附槽相互连通。

8、可选地，多个跨接吸附通道相对于基座的旋转中心呈放射性分布。

9、可选地，还包括设置在基座上的旋转驱动装置，旋转驱动装置与基盘驱动连接，基盘与旋转驱动装置之间设有至少两个密封圈，至少两个密封圈沿基座的旋转轴线方向间隔分布。

10、可选地，还包括水银滑环，水银滑环的一端与基座连接、另一端与基盘连接。

11、可选地，加热通道的入口处和出口处分别设有第一通道和第二通道，第一通道和第二通道垂直于基盘的承载面，第一通道的另一端与介质源连通，介质源内的加热介质通过第一通道进入加热通道并通过第二通道离开加热通道。

12、本申请实施例的另一方面，提供一种半导体设备，包括如上任一项的基盘加热系统。

13、本申请的有益效果包括：

14、本申请提供了一种基盘加热系统，包括：基座和转动设置在基座上的基盘，基盘内设有第一加热组件和第二加热组件，第一加热组件位于基盘的承载面和第二加热组件之间，第一加热组件用于加热承载面，第二加热组件用于对第一加热组件加热。该基盘加热系统，在旋转的基盘内分别设置第一加热组件和第二加热组件，通过至少两级加热，提高了基盘温度的稳定性，从而提高了衬底晶片表面薄膜沉积的均匀性，能够得到高质量的薄膜。

技术特征：

1.一种基盘加热系统，其特征在于，包括：基座(110)和转动设置在所述基座(110)上的基盘(120)，所述基盘(120)内设有第一加热组件(130)和第二加热组件(140)，所述第一加热组件(130)位于所述基盘(120)的承载面(121)和所述第二加热组件(140)之间，所述第一加热组件(130)用于加热所述基盘(120)，所述第二加热组件(140)用于对所述第一加热组件(130)加热。

2.如权利要求1所述的基盘加热系统，其特征在于，所述第一加热组件(130)包括加热通道，所述加热通道内循环通入加热介质，所述第二加热组件(140)包括加热板(141)，所述加热板(141)的加热面朝向所述加热通道。

3.如权利要求2所述的基盘加热系统，其特征在于，所述加热通道包括多个呈环形的子加热通道(131)，多个所述子加热通道(131)同心设置并通过跨接加热通道相互连通。

4.如权利要求1所述的基盘加热系统，其特征在于，所述基盘(120)的承载面(121)上设有真空吸附槽(122)，所述真空吸附槽(122)的底部设有真空孔(123)，所述真空吸附槽(122)通过所述真空孔(123)与抽真空装置连通，所述真空吸附槽(122)用于将衬底晶片吸附固定在所述承载面(121)上。

5.如权利要求4所述的基盘加热系统，其特征在于，所述真空吸附槽(122)包括多个呈环形的子吸附槽(125)，多个所述子吸附槽(125)同心设置并通过多个跨接吸附槽(126)相互连通。

6.如权利要求5所述的基盘加热系统，其特征在于，多个所述跨接吸附通道相对于所述基座(110)的旋转中心呈放射性分布。

7.如权利要求1所述的基盘加热系统，其特征在于，还包括设置在所述基座(110)上的旋转驱动装置(150)，所述旋转驱动装置(150)与所述基盘(120)驱动连接，所述基盘(120)与所述旋转驱动装置(150)之间设有至少两个密封圈(160)，至少两个所述密封圈(160)沿所述基座(110)的旋转轴线方向间隔分布。

8.如权利要求1所述的基盘加热系统，其特征在于，还包括水银滑环(170)，所述水银滑环(170)的一端与所述基座(110)连接、另一端与所述基盘(120)连接。

9.如权利要求2所述的基盘加热系统，其特征在于，所述加热通道的入口处和出口处分别设有第一通道(132)和第二通道(133)，所述第一通道(132)和所述第二通道(133)垂直于所述基盘(120)的承载面(121)，所述第一通道(132)的另一端与介质源连通，所述介质源内的所述加热介质通过所述第一通道(132)进入所述加热通道并通过所述第二通道(133)离开所述加热通道。

10.一种半导体设备，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的基盘加热系统。

技术总结
本申请提供一种基盘加热系统及半导体设备，涉及气相沉积技术领域。该基盘加热系统包括：基座和转动设置在基座上的基盘，基盘内设有第一加热组件和第二加热组件，第一加热组件位于基盘的承载面和第二加热组件之间，第一加热组件用于加热承载面，第二加热组件用于对第一加热组件加热。该基盘加热系统，在旋转的基盘内分别设置第一加热组件和第二加热组件，通过至少两级加热，提高了基盘温度的稳定性，从而提高了衬底晶片表面薄膜沉积的均匀性，能够得到高质量的薄膜。

技术研发人员：张艳娟,尹艳超,谭华强,张佳琦
受保护的技术使用者：拓荆科技(上海)有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15