一种防止硅晶圆在抛光过程中崩边、金属污染的抛光夹具的制作方法

本发明涉及夹具，更具体地说，它涉及一种防止硅晶圆在抛光过程中崩边、金属污染的抛光夹具。

背景技术：

1、硅晶圆，晶圆便是硅元素加以纯化(99.999％)，接着是将这些纯硅制成长硅晶棒，成为制造积体电路的石英半导体的材料，经过照相制版，研磨，抛光，切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆。

2、目前12寸硅晶圆双面抛光使用的是大型30b双面抛光设备，使用环境在高压，高转速的情况下进行。因为整个抛光夹具直径达到了720mm，且厚度只有0.76mm。如果用传统的非金属(环氧板)抛光载具，其强度差，不足以带动硅晶圆在设备中公转自转完成抛光工序，如果使用金属抛光夹具，虽然其强度达到要求，但因为硅晶圆会在抛光夹具的工件孔中自转，金属内壁会对硅晶圆的倒角产生破坏，造成硅晶圆倒角形状损坏、粗糙度变差且有产生亮点的情况，金属材质很可能造成硅晶圆成品金属物质超标。

技术实现思路

1、针对现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供减少定位框的内壁会对硅晶圆片的倒角产生破坏，造成硅晶圆片倒角形状损坏、粗糙度变差且有产生亮点的一种防止硅晶圆在抛光过程中崩边、金属污染的抛光夹具。

2、为实现上述目的，本发明提供了如下技术方案：

3、一种防止硅晶圆在抛光过程中崩边、金属污染的抛光夹具，包括夹具框，所述夹具框的内部固定连接有三个定位框，三个定位框呈圆形阵列方式设置在夹具框的内部，定位框的内部设置有内衬环，内衬环的内部设置有硅晶圆片，所述夹具框的外表面开设有齿牙。

4、本发明进一步设置为：所述内衬环的外表面固定连接有第一强化杆和第二强化杆，第一强化杆和第二强化杆远离定位框的一侧与夹具框的内表面固定连接。

5、本发明进一步设置为：所述第一强化杆和第二强化杆呈倾斜状设置在定位框上。

6、本发明进一步设置为：所述夹具框包括顶层、中层和底层，顶层和底层内部的结构相同，顶层设置在的顶部，底层设置在中层的底部

7、本发明进一步设置为：所述顶层包括dlc涂层与防护层，防护层设置在中层的顶部，dlc涂层设置在防护层的顶部。

8、本发明的优点是：1、该防止硅晶圆在抛光过程中崩边、金属污染的抛光夹具，通过装置带动硅晶圆片在设备中进行公转自转完成抛光工序，并通过内衬环减少定位框的内壁会对硅晶圆片的倒角产生破坏，造成硅晶圆片倒角形状损坏、粗糙度变差且有产生亮点的情况，并减少装置造成定位框成品金属物质超标的情况出现。

9、2、该防止硅晶圆在抛光过程中崩边、金属污染的抛光夹具，通过顶层在一定程度上减少夹具框在使用过程中产生的热量传递至硅晶圆片，使硅晶圆片抛光受到影响的情况出现，从而硅晶圆片的加工可以更加顺利地进行运行，并使夹具框的强度得到提升，并使夹具框的使用寿命得到延长。

技术特征：

1.一种防止硅晶圆在抛光过程中崩边、金属污染的抛光夹具，包括夹具框(1)，其特征在于：所述夹具框(1)的内部固定连接有三个定位框(2)，三个定位框(2)呈圆形阵列方式设置在夹具框(1)的内部，定位框(2)的内部设置有内衬环(5)，内衬环(5)的内部设置有硅晶圆片(12)。

2.根据权利要求1所述的一种防止硅晶圆在抛光过程中崩边、金属污染的抛光夹具，其特征在于：所述夹具框(1)的外表面开设有齿牙(6)。

3.根据权利要求1所述的一种防止硅晶圆在抛光过程中崩边、金属污染的抛光夹具，其特征在于：所述内衬环(5)的外表面固定连接有第一强化杆(3)和第二强化杆(4)，第一强化杆(3)和第二强化杆(4)远离定位框(2)的一侧与夹具框(1)的内表面固定连接。

4.根据权利要求3所述的一种防止硅晶圆在抛光过程中崩边、金属污染的抛光夹具，其特征在于：所述第一强化杆(3)和第二强化杆(4)呈倾斜状设置在定位框(2)上。

5.根据权利要求1所述的一种防止硅晶圆在抛光过程中崩边、金属污染的抛光夹具，其特征在于：所述夹具框(1)包括顶层(7)、中层(8)和底层(9)，顶层(7)和底层(9)内部的结构相同，顶层(7)设置在的顶部，底层(9)设置在中层(8)的底部。

6.根据权利要求5所述的一种防止硅晶圆在抛光过程中崩边、金属污染的抛光夹具，其特征在于：所述顶层(7)包括dlc涂层(10)与防护层(11)，防护层(11)设置在中层(8)的顶部，dlc涂层(10)设置在防护层(11)的顶部。

技术总结
本发明适用于夹具技术领域，提供了一种防止硅晶圆在抛光过程中崩边、金属污染的抛光夹具，包括夹具框，所述夹具框的内部固定连接有三个定位框，三个定位框呈圆形阵列方式设置在夹具框的内部，定位框的内部设置有内衬环，内衬环的内部设置有硅晶圆片，所述夹具框的外表面开设有齿牙，所述内衬环的外表面固定连接有第一强化杆和第二强化杆，该防止硅晶圆在抛光过程中崩边、金属污染的抛光夹具，通过装置带动硅晶圆片在设备中进行公转自转完成抛光工序，并通过内衬环减少定位框的内壁会对硅晶圆片的倒角产生破坏，造成硅晶圆片倒角形状损坏、粗糙度变差且有产生亮点的情况，并减少装置造成定位框成品金属物质超标的情况出现。

技术研发人员：周东华
受保护的技术使用者：浙江华盛模具科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/25