一种晶片抛边方法与流程

本发明涉及半导体衬底制造，特别是涉及一种晶片抛边方法。

背景技术：

1、磷化铟衬底在多个领域具有应用市场，包括高频高功率器件、光纤通信、无线传输、射电天文学等射频器件领域。使用磷化铟衬底制造的射频器件在卫星、雷达等应用场景中表现出卓越性能，尤其在雷达和通信系统的射频前端、模拟/混合信号宽带宽电路方面具有强大的竞争力，适合高速数据处理和高精度宽带宽a/d转换等应用。

2、磷化铟基射频器件如低噪声放大器、模块和接收机等被广泛应用在卫星通信、毫米波雷达、有源和无源毫米波成像等设备中。在100ghz以上的带宽水平，磷化铟基射频器件在回程网络和点对点通信网络的无线传输方面显示出明显优势。预计在未来6g乃至7g通信的无线传输网络中，磷化铟衬底有望成为射频器件的主流衬底材料。

3、然而，磷化铟抛边工序目前是一个费时费力的过程。现行的磷化铟抛边方法主要依赖人工操作，员工需要首先核对晶片信息，然后一手拿着砂纸，一手拿着晶片，沿着晶片边缘用砂纸进行擦边处理。这一过程效率较低，且对操作人员的技术要求较高。

技术实现思路

1、本发明要解决的技术问题是：现有的晶片抛边为人工操作，效率较低，且对操作人员的技术要求较高。

2、为了解决上述技术问题，本发明提供了一种晶片抛边方法，包括以下步骤：

3、抛边设备就位，所述抛边设备具有一对沿垂直方向相对设置的抛边球；

4、控制两个所述抛边球于原位以第一预设转速转动，且使得两个所述抛边球的弧面互相接触，以形成对压且产生形变；

5、吸取晶片并使得所述晶片以第二预设转速转动；

6、移动所述晶片至抛边工位，以使得所述抛边球覆盖于所述晶片的边缘并对所述晶片的边缘进行抛边。

7、在一些实施例中，两个所述抛边球的对压压力为400-600n。

8、在一些实施例中，所述第一预设转速为15-25转/min。

9、在一些实施例中，所述吸取晶片包括：采用真空吸附的方式晶片，所述真空吸附的真空吸附力为-25至-65kpa。

10、在一些实施例中，所述第二预设转速为30-50转/min。

11、在一些实施例中，两个所述抛边球的转动方向相同。

12、在一些实施例中，对所述晶片的边缘进行持续冲洗，以冲洗抛光产生的碎屑。

13、在一些实施例中，所述对所述晶片的边缘进行持续冲洗包括：冲洗水流的水流量为800-1200m l/min。

14、在一些实施例中，抛边完成后，对抛边后的所述晶片进行清洗。

15、在一些实施例中，所述吸取晶片包括：

16、机械手就位，所述机械手具有吸附头；

17、获取所述晶片的位置坐标；

18、根据所述位置坐标调整所述机械手的位姿，并吸取所述晶片。

19、本发明实施例一种晶片抛边方法与现有技术相比，其有益效果在于：

20、本发明实施例的抛边设备就位，抛边设备具有一对沿其高度方向相对设置的抛边球；控制两个抛边球于原位以第一预设转速转动，且使得两个抛边球的弧面互相接触，以形成对压且产生形变；吸取晶片并使得晶片以第二预设转速转动；移动晶片至抛边工位，以使得抛边球覆盖于晶片的边缘并对晶片的边缘进行抛边。由于晶片边缘是弧形面而非垂直面，相较于常规的手动抛边方式只能抛边缘的平面，而无法抛光曲面，本发明使得两个抛边球的弧面互相接触，以形成对压且产生形变，在晶片接触抛边球时，是抛边球能完全覆盖晶片边缘，以完成对晶片边缘的抛边处理，解决了手工抛边对操作人员的技术要求较高的问题；同时通过上述的自动化操作，提高了抛边效率，也避免员工手工抛边容易受伤的问题出现。

技术特征：

1.一种晶片抛边方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的晶片抛边方法，其特征在于，两个所述抛边球的对压压力为400-600n。

3.根据权利要求1所述的晶片抛边方法，其特征在于，所述第一预设转速为15-25转/min。

4.根据权利要求1所述的晶片抛边方法，其特征在于，所述吸取晶片包括：采用真空吸附的方式晶片，所述真空吸附的真空吸附力为-25至-65kpa。

5.根据权利要求1所述的晶片抛边方法，其特征在于，所述第二预设转速为30-50转/min。

6.根据权利要求1所述的晶片抛边方法，其特征在于，两个所述抛边球的转动方向相同。

7.根据权利要求1所述的晶片抛边方法，其特征在于，对所述晶片的边缘进行持续冲洗，以冲洗抛光产生的碎屑。

8.根据权利要求7所述的晶片抛边方法，其特征在于，所述对所述晶片的边缘进行持续冲洗包括：冲洗水流的水流量为800-1200ml/min。

9.根据权利要求1所述的晶片抛边方法，其特征在于，抛边完成后，对抛边后的所述晶片进行清洗。

10.根据权利要求1所述的晶片抛边方法，其特征在于，所述吸取晶片包括：

技术总结
本发明公开了一种晶片抛边方法，包括以下步骤：抛边设备就位，所述抛边设备具有一对沿垂直方向相对设置的抛边球；控制两个所述抛边球于原位以第一预设转速转动，且使得两个所述抛边球的弧面互相接触，以形成对压且产生形变；吸取晶片并使得所述晶片以第二预设转速转动；移动所述晶片至抛边工位，以使得所述抛边球覆盖于所述晶片的边缘并对所述晶片的边缘进行抛边。本发明使得两个抛边球的弧面互相接触，以形成对压且产生形变，在晶片接触抛边球时，是抛边球能完全覆盖晶片边缘，以完成对晶片边缘的抛边处理，解决了手工抛边对操作人员的技术要求较高的问题；同时通过上述的自动化操作，提高了抛边效率，也避免员工手工抛边容易受伤的问题出现。

技术研发人员：张冲波,郑金龙,黄艺毅,周铁军,马金峰
受保护的技术使用者：广东先导微电子科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/12