清洁装置的制作方法

本技术设计半导体制造，尤其涉及一种清洁装置。

背景技术：

1、薄膜沉积是半导体制造工艺中的一个非常重要的技术。薄膜沉积工艺主要分为物理气相沉积和化学气相沉积两类。物理气相沉积(physical vapour deposition，pvd)技术指在真空条件下，采用物理方法，将材料源(固体或液体)表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。

2、pvd的操作机台就是完成这一技术的重要设备，为了延长操作机台的使用寿命，需要定期进行预防性维护(preventive maintenance，pm)，pm完成后如果有颗粒或者脱落物质(peeling)掉落在基座上需要对基座进行清洁，而对基座的清洁需要打开制程腔，并更换护板才能够顺利进行，这样会浪费大量的时间，增加预防性维护的成本。

3、因此，如何提高物理气相沉积的操作机台的维护效率，就成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

技术实现思路

1、本实用新型解决的问题是如何提高物理气相沉积的操作机台的维护效率。

2、为解决上述问题，本实用新型实施例提供一种清洁装置，适用于物理气相沉积的操作机台，包括：

3、基座，设置于所述操作机台的制程腔内；

4、伸缩控制单元，安装于与所述制程腔相连通的存储腔内；

5、挡板，安装于所述伸缩控制单元，其中，通过所述伸缩控制单元控制所述挡板伸入至所述制程腔内覆盖所述基座，或从所述制程腔内缩回至所述存储腔内；

6、清洁部，开设于所述挡板上。

7、可选地，所述挡板包括有伸缩部和与伸缩部连接的基座遮挡部，所述伸缩部固定安装于所述伸缩控制单元，在沿所述伸缩控制单元的伸缩方向上，所述伸缩部的对称中心和所述基座遮挡部的对称中心对齐，在所述伸缩控制单元的控制下，所述伸缩部带动所述基座遮挡部伸入至所述制程腔内覆盖基座，或所述伸缩部带动所述基座遮挡部缩回至所述存储腔内。

8、可选地，所述清洁部包括开设于所述挡板的内部的通风隧道，在沿所述伸缩控制单元的伸缩方向上，所述通风隧道的两端分别开设有第一通风口和第二通风口，其中，所述第一通风口开设于所述伸缩部的对称中心，所述第二通风口开设于所述基座遮挡部的对称中心。

9、可选地，所述清洁部包括开设于所述挡板的通风凹槽，在沿所述伸缩控制单元的伸缩方向上，连通所述基座遮挡部的对称中心和所述伸缩部的对称中心；

10、所述清洁装置还包括：

11、通风管，设置于所述通风凹槽内，所述通风管的直径小于所述通风凹槽的凹槽最底部到所述挡板的上表面的距离。

12、可选地，所述通风管包括波纹软管。

13、可选地，所述存储腔的侧壁开设有连接通孔，所述清洁装置还包括：

14、清洁控制部件，包括有控制管道，所述控制管道与所述连接通孔连通，且与所述清洁部连接，在所述挡板伸入至所述制程腔内时，控制向所述清洁部注入的清洁气体。

15、可选地，所述清洁装置，还包括：

16、焊接过腔，穿过所述连接通孔，连接所述通风部和所述控制部件。

17、可选地，所述清洁气体包括氩气。

18、可选地，所述基座遮挡部为圆形，所述伸缩部为矩形。

19、可选地，所述挡板为挡板套件。

20、与现有技术相比，本实用新型的技术方案具有以下优点：

21、本实用新型实施提供的清洁装置，适用于物理气相沉积的操作机台，包括：基座，设置于所述操作机台的制程腔内；伸缩控制单元，安装于与所述制程腔相连通的存储腔内；挡板，安装于所述伸缩控制单元，其中，通过所述伸缩控制单元控制所述挡板伸入至所述制程腔内覆盖所述基座，或从所述制程腔内缩回至所述存储腔内；清洁部，开设于所述挡板上。

22、可以看出，本实用新型实施例所提供的清洁装置，在对基座进行清洁时，通过借助由伸缩控制单元控制的挡板，在挡板伸入到制程腔内时，通过开设于挡板上的清洁部，来清洁设置于制程腔内的基座，从而可以通过所述清洁部直接对基座进行清洁，不需要打开制程腔对基座清洁，简化清洁基座的步骤，提高清洁基座的效率，进而可以减少预防性维护所需要停止操作机台工作的时间，提高物理气相沉积的操作机台的维护效率，进一步地，提高物理气相沉积的操作机台的工作效率。

技术特征：

1.一种清洁装置，其特征在于，适用于物理气相沉积的操作机台，包括：

2.如权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述挡板包括有伸缩部和与伸缩部连接的基座遮挡部，所述伸缩部固定安装于所述伸缩控制单元，在沿所述伸缩控制单元的伸缩方向上，所述伸缩部的对称中心和所述基座遮挡部的对称中心对齐，在所述伸缩控制单元的控制下，所述伸缩部带动所述基座遮挡部伸入至所述制程腔内覆盖基座，或所述伸缩部带动所述基座遮挡部缩回至所述存储腔内。

3.如权利要求2所述的清洁装置，其特征在于，所述清洁部包括开设于所述挡板的内部的通风隧道，在沿所述伸缩控制单元的伸缩方向上，所述通风隧道的两端分别开设有第一通风口和第二通风口，其中，所述第一通风口开设于所述伸缩部的对称中心，所述第二通风口开设于所述基座遮挡部的对称中心。

4.如权利要求2所述的清洁装置，其特征在于，所述清洁部包括开设于所述挡板的通风凹槽，在沿所述伸缩控制单元的伸缩方向上，连通所述基座遮挡部的对称中心和所述伸缩部的对称中心；

5.如权利要求4所述的清洁装置，其特征在于，所述通风管包括波纹软管。

6.如权利要求1-4任一项所述的清洁装置，其特征在于，所述存储腔的侧壁开设有连接通孔，所述清洁装置还包括：

7.如权利要求6所述的清洁装置，其特征在于，还包括：

8.如权利要求6所述的清洁装置，其特征在于，所述清洁气体包括氩气。

9.如权利要求2-4任一项所述的清洁装置，其特征在于，所述基座遮挡部为圆形，所述伸缩部为矩形。

10.如权利要求1-4任一项所述的清洁装置，其特征在于，所述挡板为挡板套件。

技术总结
本申请实施例提供一种清洁装置，适用于物理气相沉积的操作机台，包括：基座，设置于所述操作机台的制程腔内；伸缩控制单元，安装于与所述制程腔相连通的存储腔内；挡板，安装于所述伸缩控制单元，其中，通过所述伸缩控制单元控制所述挡板伸入至所述制程腔内覆盖所述基座，或从所述制程腔内缩回至所述存储腔内；清洁部，开设于所述挡板上。本申请实施例所提供的清洁装置，可以提高物理气相沉积的操作机台的维护效率。

技术研发人员：宋喆宏,李扬,陈聪,李平,郭东谕
受保护的技术使用者：浙江创芯集成电路有限公司
技术研发日：20230814
技术公布日：2024/1/22