一种提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法与流程

本发明涉及光电，尤其涉及提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法。

背景技术：

1、led作为第四代照明由于其功耗低、体积小、可靠性高、寿命高等优点，被广泛应用在车灯、显示、背光乃至光通信等领域。随着led应用领域的不断发展，led芯片的可靠性和散热性需要达到更高的标准，其中电极蒸镀膜层的稳定性直接影响了led芯片的散热性和可靠性。

2、常见电极制备多采用cr/al/ti/ni/pt/au等金属，通过电子束蒸镀制作电极结构，其中底层一般使用粘附性较好的cr、ti等金属，保证电极与基板的粘附性，第二层采用反射率较高的al、ag等反射率较高的金属，提高芯片亮度；中间层采用ti、ni、pt等用作缓冲层，增加电极的耐温性；最外层一般使用au作为金属保护层。电子束蒸镀过程中易出现金属颗粒和杂质等，易导致电极结构出现孔洞和断裂等异常，从而导致漏电、死等和老化失效等现象，为了解决该技术问题现提出一种提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法。

技术实现思路

1、为了解决上述现有技术中存在的技术问题，本发明提供了一种提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法。

2、为实现上述目的，本发明实施例提供了如下的技术方案：

3、第一方面，在本发明提供的一个实施例中，提供了提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法，该方法包括以下步骤：

4、对镀膜进行第一段预熔，其中第一段预熔的预熔功率为p1，所述p1＝p*50％±2％，所述p为平稳蒸镀阶段功率，第一段预熔的预熔时间1min-2min；

5、对完成第一段预熔的镀膜进行第二段预熔，其中第二段预熔的预熔功率为p2，所述p2＝p*150％±2％，第二段预熔的预熔时间0.5min-1.5min；

6、对完成第二段预熔的镀膜进行第三段预熔，其中第三段预熔的预熔功率为p3，所述p3＝第一段蒸镀功率±2％，第三段预熔的预熔时间0.5min-1min；

7、对完成第三段预熔后的镀膜进行蒸镀处理，其中蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀。

8、作为本发明的进一步方案，对镀膜进行第一段预熔，其中第一段预熔的预熔功率为p1，所述p1＝p*50％±1％，所述p为平稳蒸镀阶段功率，第一段预熔的预熔时间1.25min-1.75min；

9、对完成第一段预熔的镀膜进行第二段预熔，其中第二段预熔的预熔功率为p2，所述p2＝p*150％±1％，第二段预熔的预熔时间0.75min-1.25min；

10、对完成第二段预熔的镀膜进行第三段预熔，其中第三段预熔的预熔功率为p3，所述p3＝第一段蒸镀功率±1％，第三段预熔的预熔时间0.6min-9min；

11、对完成第三段预熔后的镀膜进行蒸镀处理，其中蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀。

12、作为本发明的进一步方案，对镀膜进行第一段预熔，其中第一段预熔的预熔功率为p1，所述p1＝p*50％，所述p为平稳蒸镀阶段功率，第一段预熔的预熔时间1.5min；

13、对完成第一段预熔的镀膜进行第二段预熔，其中第二段预熔的预熔功率为p2，所述p2＝p*150％，第二段预熔的预熔时间1min；

14、对完成第二段预熔的镀膜进行第三段预熔，其中第三段预熔的预熔功率为p3，所述p3＝第一段蒸镀功率，第三段预熔的预熔时间0.75min；

15、对完成第三段预熔后的镀膜进行蒸镀处理，其中蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀。

16、作为本发明的进一步方案，所述蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀，包括：

17、若蒸镀处理的镀率选择以下时，则进行一段蒸镀；

18、若蒸镀处理的镀率在时，进行分段蒸镀。

19、作为本发明的进一步方案，所述若蒸镀处理的镀率在时，进行分段蒸镀，包括：

20、相邻两段蒸镀镀率增加量

21、作为本发明的进一步方案，对完成第三段预熔后的镀膜进行蒸镀处理，其中蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀，包括：

22、所述蒸镀处理过程中光斑使用点状光斑。

23、作为本发明的进一步方案，所述光斑扫描面积设定为坩埚半径的20％-30％。

24、作为本发明的进一步方案，所述光斑扫描面积设定为坩埚半径的22％-28％。

25、作为本发明的进一步方案，所述光斑扫描面积设定为坩埚半径的25％。

26、作为本发明的进一步方案，若蒸镀处理的镀率在时，进行三段蒸镀，且每段镀率依次是和

27、本发明提供的技术方案，具有如下有益效果：本发明针对预熔参数和镀膜参数进行优化，降低金属靶材镀膜过程中溅源异常率、保证蒸镀过程中功率和镀率的稳定性和提高芯片可靠性。

28、本发明的这些方面或其他方面在以下实施例的描述中会更加简明易懂。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。

技术特征：

1.一种提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法，其特征在于，该方法包括：

2.如权利要求1所述的提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法，其特征在于，该方法包括：

3.如权利要求1所述的提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法，其特征在于，该方法包括：

4.如权利要求1所述的提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法，其特征在于，所述蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀，包括：

5.如权利要求4所述的提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法，其特征在于，所述若蒸镀处理的镀率在时，进行分段蒸镀，包括：

6.如权利要求1所述的提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法，其特征在于，对完成第三段预熔后的镀膜进行蒸镀处理，其中蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀，包括：

7.如权利要求6所述的提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法，其特征在于，所述光斑扫描面积设定为坩埚半径的20％-30％。

8.如权利要求6所述的提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法，其特征在于，所述光斑扫描面积设定为坩埚半径的22％-28％。

9.如权利要求6所述的提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法，其特征在于，所述光斑扫描面积设定为坩埚半径的25％。

10.如权利要求4所述的提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法，其特征在于，若蒸镀处理的镀率在时，进行三段蒸镀，且每段镀率依次是和

技术总结
本发明涉及光电技术领域，具体涉及提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法。该方法包括以下步骤：对镀膜进行第一段预熔，其中第一段预熔的预熔功率为P1，所述P1＝P*50％±2％，所述P为平稳蒸镀阶段功率，第一段预熔的预熔时间1min‑2min；对完成第一段预熔的镀膜进行第二段预熔，其中第二段预熔的预熔功率为P2，所述P2＝P*150％±2％，第二段预熔的预熔时间0.5min‑1.5min；对完成第二段预熔的镀膜进行第三段预熔，其中第三段预熔的预熔功率为P3，所述P3＝第一段蒸镀功率±2％，第三段预熔的预熔时间0.5min‑1min；对完成第三段预熔后的镀膜进行蒸镀处理。本发明针对预熔参数和镀膜参数进行优化，降低金属靶材镀膜过程中溅源异常率、保证蒸镀过程中功率和镀率的稳定性和提高芯片可靠性。

技术研发人员：章焱,贾钊,朱帅,窦志珍,胡恒广
受保护的技术使用者：青岛旭芯互联科技研发有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/9