。
【附图说明】
[0018]图1为现有技术的磁控溅射设备的简图；
[0019]图2为现有技术的升降针系统示意图；
[0020]图3为现有技术的升降针系统在晶片处于传输位示意图；
[0021]图4为现有技术的升降针系统在晶片处于工艺位的示意图；
[0022]图5为本发明的升降针系统一实施例示意图；
[0023]图6为测温探头与弹性部件的配合示意图。
【具体实施方式】
[0024]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例对本发明的可实时监控晶片温度的升降针系统及磁控溅射设备进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。
[0025]参照图5和图6，本发明的可实时监控晶片温度的升降针系统一实施例，应用在磁控溅射设备上，升降针系统包括测温探头24、弹性部件26、用于升降晶片的晶片升降针19和用于支撑固定晶片升降针19的升降针支撑件21，晶片升降针19为空心管状，晶片升降针19的下端固定在升降针支撑件21上，测温探头24和弹性部件26均设置在晶片升降针19的空心内，测温探头24的下端与弹性部件26抵接，使得测温探头24在弹性部件26的弹力作用下能够部分地伸出晶片升降针19，测温探头24的导线16从晶片升降针19的下端伸出。弹性部件26为弹簧或弹片，测温探头24的形状为圆柱状平顶探头，也可为圆顶探头，测温探头24可采用热电偶探头。
[0026]升降针系统还包括用于驱动升降针支撑件21升降的升降装置(未示出)，升降针支撑件21在升降装置的驱动下带动晶片升降针19上下移动。优选地，升降针系统还包括用于加热晶片11的加热底座20，加热底座20上设置导向孔，晶片升降针19置于所述导向孔内，能够在所述导向孔内相对加热底座20上下运动。加热底座20和测温探头24分别与温控器23电连接，温控器23用于控制加热底座20的温度。
[0027]作为一种可实施方式，晶片升降针19的数量为三个以上，三个以上晶片升降针19间隔设置在升降针支撑件21上，使得晶片11被支撑的更加稳定。
[0028]以上实施例的升降针系统应用在磁控溅射设备上，由于该磁控溅射设备除升降针系统外均为现有技术，此处不再一一赘述。
[0029]以上实施例的可实时监控晶片温度的升降针系统及磁控溅射设备，不仅能够满足晶片的传输任务需求，而且实现晶片在传输过程以及工艺过程中的温度控制，升降针系统很好的将晶片传输系统与晶片控温系统整合在一起，实现了多重功能。在整个的测温及控温过程中，升降针在弹性部件的弹力作用下实现晶片与测温探头的紧密接触，从而增加测量的精确度。另外，升降针系统的所有部件均在真空状态下，不与等离子体15接触，不存在等离子体15污染测温探头的问题。测温探头和加热底座分别与控制器连接，使得温控器实时根据测温探头测得的晶片温度而控制加热底座的功率调整，从而保证工艺过程中对晶片温度的控制。
[0030]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种可实时监控晶片温度的升降针系统，应用在磁控溅射设备上，包括用于升降晶片的晶片升降针和用于支撑固定所述晶片升降针的升降针支撑件，其特征在于: 还包括测温探头和弹性部件； 所述晶片升降针为空心管状，所述晶片升降针的下端固定在所述升降针支撑件上，所述测温探头和所述弹性部件均设置在所述晶片升降针的空心内，所述测温探头的下端与所述弹性部件抵接，使得所述测温探头在所述弹性部件的弹力作用下能够部分地伸出所述晶片升降针，所述测温探头的导线从所述晶片升降针的下端伸出。
2.根据权利要求1所述的可实时监控晶片温度的升降针系统，其特征在于: 所述晶片升降针的数量为三个以上，三个以上所述晶片升降针间隔设置在所述升降针支撑件上。
3.根据权利要求2所述的可实时监控晶片温度的升降针系统，其特征在于: 所述测温探头的形状为圆柱状平顶探头或圆柱状圆顶探头。
4.根据权利要求3所述的可实时监控晶片温度的升降针系统，其特征在于: 所述弹性部件为弹簧或弹片。
5.根据权利要求1-4任一项所述的可实时监控晶片温度的升降针系统，其特征在于: 还包括用于驱动所述升降针支撑件升降的升降装置。
6.根据权利要求1-4任一项所述的可实时监控晶片温度的升降针系统，其特征在于: 还包括用于加热晶片的加热底座，所述加热底座上设置导向孔，所述晶片升降针置于所述导向孔内，能够在所述导向孔内相对所述加热底座上下运动。
7.根据权利要求6所述的可实时监控晶片温度的升降针系统，其特征在于: 还包括温控器，所述温控器分别与所述加热底座和所述测温探头电连接，所述温控器用于控制所述加热底座的温度。
8.—种磁控派射设备,其特征在于: 包括权利要求1-7任一项所述的可实时监控晶片温度的升降针系统。
【专利摘要】本发明提供一种可实时监控晶片温度的升降针系统，应用在磁控溅射设备上，包括测温探头、弹性部件、用于升降晶片的晶片升降针和用于支撑固定晶片升降针的升降针支撑件，晶片升降针为空心管状，晶片升降针的下端固定在升降针支撑件上，测温探头和弹性部件均设置在晶片升降针的空心内，测温探头的下端与弹性部件抵接，使得测温探头在弹性部件的弹力作用下能够部分地伸出晶片升降针，测温探头的导线从晶片升降针的下端伸出。还涉及一种磁控溅射设备。本发明的可实时监控晶片温度的升降针系统及磁控溅射设备，在整个的测温及控温过程中，升降针在弹性部件的弹力作用下实现晶片与测温探头的紧密接触，从而增加测量的精确度。
【IPC分类】C23C14-35, C23C14-54
【公开号】CN104746035
【申请号】CN201310753030
【发明人】耿波, 张同文, 常大磊
【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2013年12月31日