一种抗静电陶瓷的制作方法

文档序号:11823901阅读:505来源:国知局
本发明涉及陶瓷材料
技术领域
,具体的说是涉及一种抗静电的陶瓷。
背景技术
:目前所用的陶瓷主要是脆性大、耐磨性不太高、不耐冷热刺激,耐酸碱型差,对于管道、通道用的陶瓷材料来说缺点太多。技术实现要素:为了解决上述问题,本发明提供了一种具有一定导电、导热、防止静电产生的陶瓷,适用于管道、通道使用。为了达到上述目的,本发明是通过以下技术方案实现的:本发明是一种抗静电陶瓷,所述抗静电陶瓷由以下重量份的原料制成:氮化硅60-75,高岭土10-16,氧化铝2-8,二氧化硅2-5,氧化锡3-9,氧化锆1-5,二硅化钼1-3,锑粉10-15,二氧化钛1-3,导电石墨5-6,碳化硅1-5,碳化硼1-2,氮化铝1-2,氧化钍2-4,去离子水适量。优选的:抗静电陶瓷由以下重量份的原料制成:氮化硅60,高岭土16,氧化铝2,二氧化硅2,氧化锡9,氧化锆5,二硅化钼1,锑粉10,二氧化钛1,导电石墨5,碳化硅1,碳化硼2,氮化铝1,氧化钍2,去离子水适量。优选的:抗静电陶瓷由以下重量份的原料制成:氮化硅75,高岭土10,氧化铝8,二氧化硅5,氧化锡3,氧化锆1,二硅化钼3,锑粉15,二氧化钛3,导电石墨6,碳化硅5,碳化硼1,氮化铝2,氧化钍4,去离子水适量。优选的:抗静电陶瓷由以下重量份的原料制成:所述抗静电陶瓷由以下重量份的原料制成:氮化硅68,高岭土13,氧化铝4,二氧化硅3,氧化锡6,氧化锆3,二硅化钼2,锑粉12,二氧化钛2,导电石墨5,碳化硅3,碳化硼2,氮化铝1,氧化钍3,去离子水适量。本发明的有益效果是:氮化硅超硬,具有很好的润滑性,并且耐磨损;高岭土在陶瓷中的作用是引入Al2O3,有利于莫来石的生成,提高其化学稳定性和烧结强度,在烧成中高岭土分解生成莫来石,形成坯体强度的主要框架,可防止制品的变形,使烧成温度变宽,还能使坯体具有一定的白度,同时,高岭土具有一定的可塑性、粘结性、悬浮性和结合能力,赋予瓷泥、瓷釉良好的成形性,使陶瓷泥坯有利于车坯及注浆,便于成形;二氧化硅是陶瓷制备过程中的胚料和釉料;氧化锡具有良好的导电性能,使得陶瓷制品具有一定的抗静电的功能;氧化锆折射率大、熔点高、耐蚀性强,提高陶瓷制品的耐腐蚀性能;二氧化钼具有良好抗氧化性、电热传导性、以及耐高温性能;二氧化钛是一种白色无机颜料,具有无毒、最佳的不透明性、最佳白度和光亮度,在陶瓷制备中作为消光剂,可以产生一种很光亮的、硬而耐酸的搪瓷釉罩面;导电石墨使得陶瓷具有了一定导电、导热性能,可以防止产生静电,防止摩擦过热,延长使用寿命;碳化硅具有良好的韧性,硬度高、耐磨性好、研磨性好,并且具有抗冲击性、抗氧化等性能;碳化硼具有密度低、强度大、高温稳定性以及化学稳定性好的特点,是陶瓷增强相;氮化铝具有优良的电绝缘性和介电性。本发明制备的陶瓷具有了一定的导电、导热性能,防止静电的产生,防止摩擦过热,延长管道、通道的使用时间,并且本发明的陶瓷还具有一定的耐腐蚀性能、抗氧化性,且具有良好的韧性。具体实施方式为了加深对本发明的理解,下面将结合实施例对本发明做进一步详细描述,该实施例仅用于解释本发明,并不对本发明的保护范围构成限定。如实施例所示,本发明是一种抗静电陶瓷,所述抗静电陶瓷由以下重量份的原料制成:氮化硅60-75,高岭土10-16,氧化铝2-8,二氧化硅2-5,氧化锡3-9,氧化锆1-5,二硅化钼1-3,锑粉10-15,二氧化钛1-3,导电石墨5-6,碳化硅1-5,碳化硼1-2,氮化铝1-2,氧化钍2-4,去离子水适量。实施利一本发明是一种抗静电陶瓷,所述抗静电陶瓷由以下重量份的原料制成:氮化硅60,高岭土16,氧化铝2,二氧化硅2,氧化锡9,氧化锆5,二硅化钼1,锑粉10,二氧化钛1,导电石墨5,碳化硅1,碳化硼2,氮化铝1,氧化钍2,去离子水适量。实施例二本发明是一种抗静电陶瓷,所述抗静电陶瓷由以下重量份的原料制成:氮化硅75,高岭土10,氧化铝8,二氧化硅5,氧化锡3,氧化锆1,二硅化钼3,锑粉15,二氧化钛3,导电石墨6,碳化硅5,碳化硼1,氮化铝2,氧化钍4,去离子水适量。实施例三本发明是一种抗静电陶瓷,所述抗静电陶瓷由以下重量份的原料制成:所述抗静电陶瓷由以下重量份的原料制成:氮化硅68,高岭土13,氧化铝4,二氧化硅3,氧化锡6,氧化锆3,二硅化钼2,锑粉12,二氧化钛2,导电石墨5,碳化硅3,碳化硼2,氮化铝1,氧化钍3,去离子水适量。实施例四本发明是一种抗静电陶瓷,所述抗静电陶瓷由以下重量份的原料制成:氮化硅67,高岭土11,氧化铝3,二氧化硅3,氧化锡4,氧化锆2,二硅化钼1,锑粉12,二氧化钛2,导电石墨5,碳化硅4,碳化硼1,氮化铝1,氧化钍4,去离子水适量。实施例五本发明是一种抗静电陶瓷,所述抗静电陶瓷由以下重量份的原料制成:氮化硅73,高岭土15,氧化铝6,二氧化硅4,氧化锡8,氧化锆3,二硅化钼2,锑粉14,二氧化钛1,导电石墨6,碳化硅3,碳化硼1,氮化铝2,氧化钍4,去离子水适量。将现有技术与本发明的实施例制备的陶瓷进行检测,结果如下表:摩擦系数断裂韧性Mpam1/2抗弯强度Mpa现有技术0.3574.5297实施例一0.1286.9689实施例二0.1367.15675实施例三0.1397.03695实施例四0.1257.09682实施例五0.1376.95693根据以上检测结果可以看出,本发明的陶瓷的摩擦系数、抗弯强度均明显高于现有技术,并且原材料成本低,能广泛的应用在各个领域中。当前第1页1 2 3 
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