技术总结
本发明公开了一种原子级平整单晶硅(100)表面的制备方法，属于纳米技术领域。本发明的一种原子级平整单晶硅(100)表面的制备方法，以单晶硅(100)片为衬底，其步骤为：1)清洗衬底；2)在衬底上形成的氧化硅表面上制备氧化锶薄膜；3)制备原子级平整的单晶硅(100)表面，使用脉冲激光沉积技术在单晶硅(100)表面上沉积氧化锶薄膜，然后在超高真空条件下进行退火热处理，退火温度范围在550～650℃，退火时间控制在1～20min，即可获得具有原子级平整度的单晶硅(100)表面。本发明通过增加催化剂氧化锶薄膜，将在真空条件下去除单晶硅(100)表面氧化硅的温度从1100℃降低至550℃，节省能耗。
技术研发人员：杜文汉;杨景景;熊超;朱锡芳
受保护的技术使用者：常州工学院
文档号码：201610860392
技术研发日：2016.09.28
技术公布日：2017.01.11