1.一种8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构，其特征在于：其包括：
外延生长室(10)，其由感应加热材料制成，该外延生长室(10)中形成有一矩形腔室(100)，且该外延生长室(10)于矩形腔室(100)中设置有承载槽(101)，藉由该承载槽(101)承载用于装载SiC晶片的8英寸的托盘(102)，该外延生长室(10)两侧分别设置有贯通矩形腔室(100)的进气口(103)和出气口(104)；
一硬质保温层(5)，其紧密包裹在所述的外延生长室(10)的外围，以对外延生长室(10)保温，及减少外延生长室(10)的热辐射；
一导气管连接器(6)，其设于外延生长室(10)的进气口(103)处，并伸出于硬质保温层(5)外；
一用于引导反应气体在进入外延生长室(10)之前呈层流状态的上游导气管(7)，其套接于导气管连接器(6)上；
一用于引导尾气排出的下游导气管(8)，其设于外延生长室(10)的出气口(104)处，并伸出于硬质保温层(5)外。
2.根据权利要求1所述的一种8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构，其特征在于：所述外延生长室(10)其包括感应加热材料制成的上盖(1)、底盘(2)、左侧板(3)和右侧板(4)，该左侧板(3)和右侧板(4)分别设置于上盖(1)和底盘(2)左右两侧，并围成一前后通透的所述的矩形腔室(100)，且该左侧板(3)和右侧板(4)上分别设置有贯通矩形腔室(100)的所述的出气口(104)和进气口(103)。
3.根据权利要求2所述的一种8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构，其特征在于：所述上盖(1)呈矩形，该上盖(1)内部设置有第一矩形腔道(11)，且其四周壁厚度相等。
4.根据权利要求3所述的一种8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构，其特征在于：所述底盘(2)的结构及形状和尺寸大小均与上盖(1)相当，且该底盘(2)及上盖(1)为对称设置。
5.根据权利要求1所述的一种8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构，其特征在于：所述底盘(2)两侧上端均设置有第一卡槽(21)；所述上盖(1)两侧下端均设置有第二卡槽(12)，该第一卡槽(21)及第二卡槽(12)分别卡合左侧板(3)和右侧板(4)的上下两端。
6.根据权利要求1所述的一种8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构，其特征在于：所述的上游导气管(7)呈矩形，该上游导气管(7)具有第二矩形腔道(71)，该第二矩形腔道(71)的截面形状及面积与所述外延生长室(10)中矩形腔室(100)的截面形状及面积均相同。
7.根据权利要求1所述的一种8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构，其特征在于：所述的下游导气管(8)呈矩形，该下游导气管(8)具有第三矩形腔道(81)，该第三矩形腔道(81)的截面面积大于所述外延生长室(10)中矩形腔室(100)的截面面积。
8.根据权利要求1所述的一种8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构，其特征在于：所述导气管连接器(6)前后两端分别成型有第一、第二接口(61、62)，该第一接口(61)与所述外延生长室(10)的进气口(103)对接，该第二接口(62)与上游导气管(7)对接，且该导气管连接器(6)内形成有第四矩形腔道(63)，该第四矩形腔道(63)的截面形状及面积与所述外延生长室(10)中矩形腔室(100)的截面形状及面积均相同。
9.根据权利要求2所述的一种8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构，其特征在于：所述左侧板(3)和右侧板(4)均呈长方形板条，且其形状和尺寸完全相同。
10.根据权利要求2所述的一种8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构，其特征在于：所述硬质保温层(5)对应所述外延生长室(10)的进气口(103)及出气口(104)处分别设置有第一、第二通孔，该第一通孔的尺寸小于进气口(103)的尺寸，该第二通孔的尺寸小于出气口(104)的尺寸。