本发明属于磁性材料领域，特别是指用于制作抗干扰磁芯的铕镱系铁氧体材料。
背景技术：
在信息产业领域中，磁性铁氧体材料是制作电子元器件的必需材料。随着电子设备制造技术的不断提高，对磁性铁氧体材料的要求也越来越高。其中对于截止使用频率范围宽的磁性材料的需求也起来越多，铕镱系铁氧体以其截止使用频率高达1mhz的使用范围应用的最为广泛，但是铕镱系铁氧体的制造成本一直居高不下，影响最终产品的价格。
技术实现要素：
本发明的目的是提供一种铕镱系铁氧体，它能够在降低铕元素的使用量的同时，具有更宽的截止使用频率，更广泛的应用范围。
本发明是通过以下技术方案实现的：
一种铕镱系铁氧体，其组成按质量百分比包括，3-5％的氧化铕、10-15％的氧化镱、5-10％的氧化镁、5-10％的碳酸锰、0.1-0.5％的氧化硅、0.1-0.5％的碳酸钙及余量的氧化铁。
本发明同现有技术相比的有益效果是：
同现使用的铕镱系铁氧体相比，减少了大量的铕的使用，但所得到的新的磁性材料的截止使用频率范围在0.5mhz-20mhz之间，为现有电子设备最常用的使用范围。
具体实施方式
将组成按质量百分比包括，所需要的铁、3-5％的氧化铕、10-15％的氧化镱、5-10％的氧化镁依次加入到混料机中混合后在1000-1100℃预烧40-60分钟；
将得到的预烧混合料粉碎，得到100μm以下的粉末，为a产品；
将a产品加入5-10％的碳酸锰、0.1-0.5％的氧化硅、0.1-0.5％的碳酸钙后进行二次粉碎，得到平均粒径为50-100μm的粉末，为b产品；
将b产品加入按b产品质量百分含量5-10％的醇类溶剂进行混合，然后再球磨机内研磨2-4小时，得到平均粒径为1-30μm的粉末，为c产品；
将c产品在100-120℃的烘炉中烘干3-5小时；加入粘结剂充分混合2-4小时；粘结剂的用量为c产品量的5-10％，粘结剂为常用的聚乙烯醇类；将混合好的物料用模具在450-500mpa压力下压制成坯，并用400℃左右温度预烧处理2-4小时，然后修整；
将修整后的坯料在1250-1350℃下烧结2-4小时，降温。
实施例1
将组成按质量百分比包括，所需要的铁、3％的氧化铕、10％的氧化镱、10％的氧化镁依次加入到混料机中混合后在1000-1100℃预烧60分钟；
将得到的预烧混合料粉碎，得到100μm以下的粉末，为a产品；
将a产品加入5％的碳酸锰、0.1％的氧化硅、0.1％的碳酸钙后进行二次粉碎，得到平均粒径为50-100μm的粉末，为b产品；
将b产品加入按b产品质量百分含量5％的醇类溶剂进行混合，然后再球磨机内研磨3小时，得到平均粒径为1-30μm的粉末，为c产品；
将c产品在100-120℃的烘炉中烘干3小时；加入粘结剂充分混合2小时；粘结剂的用量为c产品量的8％，粘结剂为常用的聚乙烯醇类；将混合好的物料用模具在500mpa压力下压制成坯，并用400℃左右温度预烧处理2小时，然后修整；
将修整后的坯料在1250-1350℃下烧结2小时，降温。
实施例2
将组成按质量百分比包括，所需要的铁、5％的氧化铕、15％的氧化镱、5％的氧化镁依次加入到混料机中混合后在1000-1100℃预烧60分钟；
将得到的预烧混合料粉碎，得到100μm以下的粉末，为a产品；
将a产品加入10％的碳酸锰、0.5％的氧化硅、0.5％的碳酸钙后进行二次粉碎，得到平均粒径为50-100μm的粉末，为b产品；
将b产品加入按b产品质量百分含量5％的醇类溶剂进行混合，然后再球磨机内研磨3小时，得到平均粒径为1-30μm的粉末，为c产品；
将c产品在100-120℃的烘炉中烘干3小时；加入粘结剂充分混合2小时；粘结剂的用量为c产品量的8％，粘结剂为常用的聚乙烯醇类；将混合好的物料用模具在500mpa压力下压制成坯，并用400℃左右温度预烧处理2小时，然后修整；
将修整后的坯料在1250-1350℃下烧结2小时，降温。
实施例3
将组成按质量百分比包括，所需要的铁、4％的氧化铕、12％的氧化镱、8％的氧化镁依次加入到混料机中混合后在1000-1100℃预烧60分钟；
将得到的预烧混合料粉碎，得到100μm以下的粉末，为a产品；
将a产品加入6％的碳酸锰、0.5％的氧化硅、0.3％的碳酸钙后进行二次粉碎，得到平均粒径为50-100μm的粉末，为b产品；
将b产品加入按b产品质量百分含量5％的醇类溶剂进行混合，然后再球磨机内研磨3小时，得到平均粒径为1-30μm的粉末，为c产品；
将c产品在100-120℃的烘炉中烘干3小时；加入粘结剂充分混合2小时；粘结剂的用量为c产品量的8％，粘结剂为常用的聚乙烯醇类；将混合好的物料用模具在500mpa压力下压制成坯，并用400℃左右温度预烧处理2小时，然后修整；
将修整后的坯料在1250-1350℃下烧结2小时，降温。
制得的铁氧体的气孔率平均为1.1％-1.5％，居里温度大于135℃，电阻率大于115欧/厘米，25摄氏度的饱和磁通密度大于2430m/a。