本发明属于磁控溅射镀膜技术领域，具体涉及一种高透过中性色双银低辐射镀膜玻璃及制备方法。
背景技术：
作为一种优良的建筑材料，玻璃由于其良好的通透性，具有透光防风雪的功能，被广泛应用于建筑上。随着现代科技水平的发展，玻璃被赋予各种新的内涵，其中low-e玻璃以其美观大方的颜色、较好的质感以及优良的节能特性，在建筑幕墙领域已受到广泛应用。low-e玻璃又称低辐射玻璃，常使用磁控溅射法在玻璃基片表面沉积出纳米膜层，进而改变玻璃的光学、电学、机械和化学等方面的性能，达到装饰、节能、环保等目的。
作为节能建筑材料，low-e玻璃的节能特性与普通玻璃及热反射镀膜玻璃相比，low-e玻璃对远红外辐射具有极高的反射率。可保持室内温度稳定，减少建筑加热或制冷的能耗，起到了非常优秀的节能降耗作用。而高透型low-e玻璃在保障绝佳的保温性能的同时具有较高的可见光透射率，所以采光效果好，适用于北方寒冷地区和部分地域的高通透性建筑，突出自然采光效果。
现有技术的缺点：
1)现有高透双银低辐射镀膜玻璃透过率仍难以满足客户需求。
2)现有高透双银膜系普遍存在耐氧化性差，单片保存时间短的问题。
技术实现要素：
本发明的目的是针对现有的技术存在的上述问题，提供一种高透过中性色双银低辐射镀膜玻璃及制备方法，本发明所要解决的技术问题是如何通过镀膜层的设计，提高镀膜玻璃透过率、耐氧化能力。
本发明的目的可通过下列技术方案来实现：一种高透过中性色双银低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片层和镀膜层，所述镀膜层自所述玻璃基片层向外依次复合有十三个膜层，其中第一层为sinx层，第二层为znsno层,第三层为zno层，第四层为ag层，第五层为nicr层,第六层为tixsiynz层,第七层为sinx层,第八层为znsno层，第九层为zno层，第十层为ag层，第十一层为nicr层，第十二层为tixsiynz层，第十三层为sinx层。
一种高透过中性色双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述基片层为透光率可达90％以上的高透玻璃。
一种高透过中性色双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述第一层、第二层、第三层为第一电介质组合层，第四层为低辐射功能层，第五层为第一阻挡保护层，第六层为钛掺杂微晶保护层，第七层、第八层、第九层为第二电介质组合层，第十层为低辐射功能层,第十一层为第二阻挡保护层，第十二层为钛掺杂微晶保护层，第十三层为第三电介质层。
由于本专利技术膜层透过率较高，使用普通白玻基片生产出的产品室外观察略带绿色，使用高透玻璃作为基片生产时产品外观为中性灰色。
一种高透过中性色双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，本方法包括如下步骤：
1)、磁控溅射镀膜层；
a、磁控溅射第一层：
靶材数量：交流旋转靶3～4个；靶材配置为硅铝(sial)；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1:1.14，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为18～20nm；
b、磁控溅射第二层：
靶材数量：交流旋转靶2～3个；靶材配置为锌锡(znsn)；工艺气体比例：氩气和氧气，氩气和氧气的比例为1:2，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为7～8nm；
c、磁控溅射第三层：
靶材数量：交流旋转靶1～2个；靶材配置为锌铝(znal)；工艺气体比例：氩气和氧气，氩气和氧气的比例为1:2，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为15～6nm；
d、磁控溅射第四层：
靶材数量：直流平面靶1个；靶材配置为银(ag)；工艺气体：纯氩气，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为7～7.5nm；
e、磁控溅射第五层：
靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为镍铬(nicr)；工艺气体：纯氩气，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为0.1～0.5nm；
f、磁控溅射第六层：
靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为钛掺杂硅陶瓷；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为5:1，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为5～6nm；
g、磁控溅射第七层：
靶材数量：交流旋转靶3～5个；靶材配置为硅铝(sial)；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1:1.14，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为42～44nm；
h、磁控溅射第八层：
靶材数量：交流旋转靶2～3个；靶材配置为锌锡(znsn)；工艺气体比例：氩气和氧气，氩气和氧气的比例为1:2，溅射气压为,3～5×10-3mbar；镀膜厚度为18～20nm；
i、磁控溅射第九层：
靶材数量：交流旋转靶2～3个；靶材配置为锌铝(znal)；工艺气体比例：氩气和氧气，氩气和氧气的比例为1:2，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为27～29nm；
j、磁控溅射第十层：
靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为银(ag)；工艺气体比：纯氧，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为4～4.5nm；
磁控溅射第十层还可以为：
靶材数量：直流平面靶1个；靶材配置为银(ag)；工艺气体比：纯氧，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为5.5～6nm；
k、磁控溅射第十一层：
靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为镍铬(nicr)；工艺气体：纯氩，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为0.2～0.4nm；
l、磁控溅射第十二层：
靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为钛掺杂硅陶瓷；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1:1.14，溅射气压为2～3×10-3mbar；；镀膜厚度为5～6nm；
m、磁控溅射第十二层：
靶材数量：交流旋转靶4～6个；靶材配置为硅铝(sial)；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1:1.14，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为42～43nm；
2)、镀膜层总厚度控制在200～210nm之间，溅射室传动走速控制在4.5-5.0m/min。
其中高透中性色双银膜系各项具体的颜色值(cie1976l*a*b*色空间)。
本发明优点：
1、单片透过率＞80％
2、外观颜色为中性，其中透过色a*∈[-4,-3]，b*∈[1，2]；玻面颜色a*∈[-1,0]，b*∈[-7，-6]；膜面颜色a*∈[-7,-6]，b*∈[1，3]；玻面小角度颜色a*∈[-2,-1]，b*∈[-8，-7]。
3、耐氧化性能好，车间放置实验，时间大于70小时(湿度≥70％，温度≥20℃)。
4、光热学性能优良，实测平均传热系数为1.67、遮阳系数为0.48。
附图说明
图1是本高透过中性色双银低辐射镀膜玻璃层状结构示意图。
图中，g、玻璃基片层；1、第一层；2、第二层；3、第三层；4、第四层；5、第五层；6、第六层；7、第七层；8、第八层；9、第九层；10、第十层；11、第十一层；12、第十二层；13、第十三层。
具体实施方式
以下是本发明的具体实施例并结合附图，对本发明的技术方案作进一步的描述，但本发明并不限于这些实施例。
如图1所示，本高透过中性色双银低辐射镀膜玻璃包括玻璃基片层g和镀膜层，镀膜层自所述玻璃基片层向外依次复合有十三个膜层，其中第一层1为sinx层，第二层2为znsno层,第三层3为zno层，第四层4为ag层，第五层5为nicr层,第六层6为tixsiynz层,第七层7为sinx层,第八层8为znsno层，第九层9为zno层，第十层10为ag层，第十一层11为nicr层，第十二层12为tixsiynz层，第十三层13为sinx层。所述基片层g为透光率可达90％以上的高透玻璃。所述第一层1、第二层2、第三层3为第一电介质组合层，第四层4为低辐射功能层，第五层5为第一阻挡保护层，第六层6为钛掺杂微晶保护层，第七层7、第八层8、第九层9为第二电介质组合层，第十层10为低辐射功能层,第十一层11为第二阻挡保护层，第十二层12为钛掺杂微晶保护层，第十三层13为第三电介质层。
一种高透过中性色双银低辐射镀膜玻璃，其制备方法包括如下步骤：
1)、磁控溅射镀膜层；
a、磁控溅射第一层1：
靶材数量：交流旋转靶3～4个；靶材配置为硅铝(sial)；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1:1.14，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为18～20nm；
b、磁控溅射第二层2：
靶材数量：交流旋转靶2～3个；靶材配置为锌锡(znsn)；工艺气体比例：氩气和氧气，氩气和氧气的比例为1:2，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为7～8nm；
c、磁控溅射第三层3：
靶材数量：交流旋转靶1～2个；靶材配置为锌铝(znal)；工艺气体比例：氩气和氧气，氩气和氧气的比例为1:2，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为15～6nm；
d、磁控溅射第四层4：
靶材数量：直流平面靶1个；靶材配置为银(ag)；工艺气体：纯氩气，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为7～7.5nm；
e、磁控溅射第五层5：
靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为镍铬(nicr)；工艺气体：纯氩气，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为0.1～0.5nm；
f、磁控溅射第六层6：
靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为钛掺杂硅陶瓷；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为5:1，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为5～6nm；
g、磁控溅射第七层7：
靶材数量：交流旋转靶3～5个；靶材配置为硅铝(sial)；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1:1.14，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为42～44nm；
h、磁控溅射第八层8：
靶材数量：交流旋转靶2～3个；靶材配置为锌锡(znsn)；工艺气体比例：氩气和氧气，氩气和氧气的比例为1:2，溅射气压为,3～5×10-3mbar；镀膜厚度为18～20nm；
i、磁控溅射第九层9：
靶材数量：交流旋转靶2～3个；靶材配置为锌铝(znal)；工艺气体比例：氩气和氧气，氩气和氧气的比例为1:2，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为27～29nm；
j、磁控溅射第十层10：
靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为银(ag)；工艺气体比：纯氧，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为4～4.5nm；
磁控溅射第十层10还可以为：
靶材数量：直流平面靶1个；靶材配置为银(ag)；工艺气体比：纯氧，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为5.5～6nm；
k、磁控溅射第十一层11：
靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为镍铬(nicr)；工艺气体：纯氩，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为0.2～0.4nm；
l、磁控溅射第十二层12：
靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为钛掺杂硅陶瓷；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1:1.14，溅射气压为2～3×10-3mbar；；镀膜厚度为5～6nm；
m、磁控溅射第十二层13：
靶材数量：交流旋转靶4～6个；靶材配置为硅铝(sial)；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1:1.14，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为42～43nm；
2)、镀膜层总厚度控制在200～210nm之间，溅射室传动走速控制在4.5-5.0m/min。
其中高透中性色双银膜系各项具体的颜色值(cie1976l*a*b*色空间)。
本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神作举例说明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。