砷化镓晶体和砷化镓晶体基板的制作方法

技术特征：

技术总结
在砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体的氧浓度小于7.0×1015原子·cm‑3。在砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体基板的氧浓度小于7.0×1015原子·cm‑3。

技术研发人员：福永宽;秋田胜史;石川幸雄
受保护的技术使用者：住友电气工业株式会社
技术研发日：2017.07.04
技术公布日：2019.10.11