技术特征：
技术总结
本发明公开了一种低温相锗酸钡晶体的制备方法及其应用。该晶体采用高温溶液法生长制备，选择助熔剂种类包括：碱金属钼酸盐、碱金属钨酸盐、碱金属硼酸盐、Bi2O3和PbO，助熔剂在晶体生长原料中的比例为15‑50 mol%，采用铂金坩埚为容器，晶体生长过程中的降温速率为1‑3℃/天，晶体旋转速度为1‑10转/分钟。该晶体的受激Raman散射活性振动模式位于799 cm–1，振动峰的半高宽为4.5 cm–1，其红外透过截止边位于5.8μm。该晶体可用做受激Raman散射晶体，在中红外波段实现激光变频，输出3‑5.8μm波长范围的中红外激光。
技术研发人员：万松明;张树杰;姚亚楠
受保护的技术使用者：中国科学院合肥物质科学研究院
技术研发日：2018.01.16
技术公布日：2018.07.13