一种微波陶瓷滤波器元件及其制备方法与流程

文档序号:18840888发布日期:2019-10-09 07:00阅读:187来源:国知局

本发明涉及无线通信技术领域,尤其是指一种微波陶瓷滤波器元件及其制备方法。



背景技术:

随着无线通信技术的迅猛发展,频率资源日益紧张,而微波陶瓷滤波器元件具有在微波、毫米波通信电子线路中识别和分离有用信号和无用信号的功能,因此成为通信系统中的重要组成部件,其性能的优劣直接影响着整个通信系统的质量。

而传统微波陶瓷滤波器元件产品的qf值低,具有低阻带抑制、高通带插损、窄频带、低功率,寄生通带近和带内平坦群时快等缺点。在生产中存在着能耗高及高温工艺稳定性不好等问题,导致产品的性能不够稳定。



技术实现要素:

为此,本发明提出了一种微波陶瓷滤波器元件及其制备方法,采用精准的原料配方,并按照对应的方法进行制备;具有性能稳定,以及优越的电学性质、力学性质和热学性质,以解决上述背景技术中提出的问题。

本发明首先提出了一种微波陶瓷滤波器元件,由以下重量百分比的原料所组成:

mg5%-15%、sm5%-15%、ca5%-15%、zn5%-15%、al5%-15%、sr5%-15%、la0.01%-0.1%、mn0.01%-0.1%、sn0.01%-0.1%、co0.01%-0.1%、bi0.01%-0.1%、ti30%-40%、cu0.01%-0.1%、ni0.01%-0.1%、sn0.01%-0.1%、pb0.01%-0.1%、zr0.1%-0.9%、nd0.1%-0.9%、ta0.1%-0.9%、ce0.1%-0.9%。

优选地,微波陶瓷滤波器元件由以下重量百分比的原料所组成:

mg10%、sm10%、ca10%、zn10%、al10%、sr10%、la0.05%、mn0.05%、sn0.05%、co0.05%、bi0.05%、ti37.55%、cu0.05%、ni0.05%、sn0.05%、pb0.05%、zr0.5%、nd0.5%、ta0.5%、ce0.5%。

本发明还提供了一种微波陶瓷滤波器元件的制备方法,包括的步骤如下:

s1:按照重量百分比称取各原料,并按照原料:水:球=1:1.2:2的比例进行混合球磨3h后出料,制得粉体基料;

s2:将步骤s1制得的粉体基料脱水,并在160℃的温度下保温1h烘干,烘干后利用相应的合成曲线进行合成;

s3:在步骤s2的基础上进行二次球磨,按照重量百分比称取基料,并按照基料:水:球=1:1:2的比例进行混合球磨3h后出料,脱水并在160℃的温度下保温1h烘干,制得粉体物料;

s4:将步骤s3制得的粉体物料依次进行造粒、压片以及烧成,其中造粒过程为将磨细的粉体物料,经过干燥、加胶黏剂后制成流动性好且粒径为0.1mm的颗粒,随后将造好的颗粒加入压片机进行压制成型,制得一定规格的陶瓷坯片,再将陶瓷坯片按照烧成工艺进行烧结成型;

s5:将步骤s4烧结成型的陶瓷坯片经平面磨床磨片后依次进行清洗和烘干,再经过ag电极浸泡后即可得相应规格的微波陶瓷滤波器元件成品,其中具体操作包括首先进行清水清洗干净,然后在100℃的温度下烘干,其次进行封端银电极,再次在800℃的温度下保温50分钟烧端,最后在电镀银锡电极并在600℃的温度下烧成。

具体的,所述步骤s1中各原料的纯度均大于99.95%。

进一步所采取的措施是,所述步骤s2中的合成曲线为从室温到1100℃时用5小时进行升温,并在1100℃时保温3小时,之后随炉缓慢降温。

进一步采取的措施是,所述步骤s4中进行压片之前需要将粉体物料过100目筛,按粉体物料的重量百分比添加浓度为15%pva的水溶液,搅拌均匀后造粒并过60目筛。

进一步的措施是,所述步骤s4中进行烧成工艺之前需要将压制好的陶瓷坯片先放入钳钵,加入高温隔离粉之后,再一并装入高温烧结炉进行烧结成型。

优选的,所述步骤s4中陶瓷坯片的规格为53*22*6mm,陶瓷坯片的密度为3.6g/㎝3

进一步的措施是,所述步骤s4中的烧成工艺为从室温到400度时用6小时进行升温,在400度时保温4小时,再从400度到1350度时用5小时进行升温,在1350度时用5小时保温,然后随炉降温。

具体的,所述步骤s5中的成品规格为53*22*6mm,er=21,qf≧180000。

本发明的一种微波陶瓷滤波器元件及其制备方法,其有益效果在于:

(1)各原料按照一定的比例进行混合,经球磨、烘干、合成、压片等工序,并在1350℃的环境下烧成微波陶瓷滤波器元件,用这种陶瓷滤波器配方及制备方法制成的滤波器元件性能稳定,具有优越的电学性质、力学性质和热学性质,特别是具有高机械强度、耐高低温、高湿、抗辐射、较高的抗电强度和较好的老化性能。

(2)另外,本发明的制备方法能源消耗大大降低,而且所制备的微波陶瓷滤波器元件能获得高qf值,具有高阻带抑制、低通带插损、宽频带,高功率、寄生通带远和带内平坦群时延,体积小的优点,综合性能优良、元件一致性、可靠性更高。

具体实施方式

下面结合具体实施例来对本发明做进一步说明。

实施例1

本发明提出了一种微波陶瓷滤波器元件,由以下重量百分比的原料所组成:

mg10%、sm10%、ca10%、zn10%、al10%、sr10%、la0.05%、mn0.05%、sn0.05%、co0.05%、bi0.05%、ti37.55%、cu0.05%、ni0.05%、sn0.05%、pb0.05%、zr0.5%、nd0.5%、ta0.5%、ce0.5%。

本发明还提供了一种微波陶瓷滤波器元件的制备方法,包括以下步骤:

s1:按照重量百分比称取上述所列的各种原料,并按照原料:水:球=1:1.2:2的比例进行混合球磨3h后出料,制得粉体基料;

s2:将步骤s1制得的粉体基料脱水,并在160℃的温度下保温1h烘干,烘干后利用相应的合成曲线进行合成;

s3:在步骤s2的基础上进行二次球磨,按照重量百分比称取基料,并按照基料:水:球=1:1:2的比例进行混合球磨3h后出料,脱水并在160℃的温度下保温1h烘干,制得粉体物料;

s4:将步骤s3制得的粉体物料依次进行造粒、压片以及烧成,其中造粒过程为将磨细的粉体物料,经过干燥、加胶黏剂后制成流动性好且粒径为0.1mm的颗粒,随后将造好的颗粒加入压片机进行压制成型,制得一定规格的陶瓷坯片,再将陶瓷坯片按照烧成工艺进行烧结成型;

s5:将步骤s4烧结成型的陶瓷坯片经平面磨床磨片后依次进行清洗和烘干,再经过ag电极浸泡后即可得相应规格的微波陶瓷滤波器元件成品,其中具体操作包括首先进行清水清洗干净,然后在100℃的温度下烘干,其次进行封端银电极,再次在800℃的温度下保温50分钟烧端,最后在电镀银锡电极并在600℃的温度下烧成。

步骤s1中各原料的纯度均大于99.95%,以保证本发明的成品质量和产品性能。

所述步骤s2中的合成曲线为从室温到1100℃时用5小时进行升温,并在1100℃时保温3小时,之后随炉缓慢降温。

所述步骤s4中进行压片之前需要将粉体物料过100目筛,按粉体物料的重量百分比添加浓度为15%pva的水溶液,搅拌均匀后造粒并过60目筛,保证颗粒的粒径规整度。

所述步骤s4中进行烧成工艺之前需要将压制好的陶瓷坯片先放入钳钵,加入高温隔离粉之后,再一并装入高温烧结炉进行烧结成型。

所述步骤s4中陶瓷坯片的规格为53*22*6mm,陶瓷坯片的密度为3.6g/㎝3

所述步骤s4中的烧成工艺为从室温到400度时用6小时进行升温,在400度时保温4小时,再从400度到1350度时用5小时进行升温,在1350度时用5小时保温,然后随炉降温。

所述步骤s5中的成品规格为53*22*6mm,经测试,成品的介电常数(er)为21,qf值高达180000ghz。

实施例2

本发明的一种微波陶瓷滤波器元件,由以下重量百分比的原料所组成:

mg12%、sm12%、ca12%、zn12%、al12%、sr12%、la0.03%、mn0.03%、sn0.03%、co0.03%、bi0.03%、ti38%、cu0.03%、ni0.03%、sn0.03%、pb0.03%、zr0.7%、nd0.6%、ta0.5%、ce0.7%。

本发明的一种微波陶瓷滤波器元件的制备方法,步骤如下:

s1:按照重量百分比称取上述所列的各种原料,并按照原料:水:球=1:1.2:2的比例进行混合球磨2h后出料,制得粉体基料;

s2:将步骤s1制得的粉体基料脱水,并在160℃的温度下保温1h烘干,烘干后利用相应的合成曲线进行合成;

s3:在步骤s2的基础上进行二次球磨,按照重量百分比称取基料,并按照基料:水:球=1:1:2的比例进行混合球磨2h后出料,脱水并在160℃的温度下保温1h烘干,制得粉体物料;

s4:将步骤s3制得的粉体物料依次进行造粒、压片以及烧成,其中造粒过程为将磨细的粉体物料,经过干燥、加胶黏剂后制成流动性好且粒径为0.1mm的颗粒,随后将造好的颗粒加入压片机进行压制成型,制得一定规格的陶瓷坯片,再将陶瓷坯片按照烧成工艺进行烧结成型;

s5:将步骤s4烧结成型的陶瓷坯片经平面磨床磨片后依次进行清洗和烘干,再经过ag电极浸泡后即可得相应规格的微波陶瓷滤波器元件成品,其中具体操作包括首先进行清水清洗干净,然后在100℃的温度下烘干,其次进行封端银电极,再次在800℃的温度下保温50分钟烧端,最后在电镀银锡电极并在600℃的温度下烧成。

步骤s1中各原料的纯度均大于99.95%,以保证本发明的成品质量和产品性能。

所述步骤s2中的合成曲线为从室温到1100℃时用5小时进行升温,并在1100℃时保温3小时,之后随炉缓慢降温。

所述步骤s4中进行压片之前需要将粉体物料过100目筛,按粉体物料的重量百分比添加浓度为15%pva的水溶液,搅拌均匀后造粒并过60目筛,保证颗粒的粒径规整度。

所述步骤s4中进行烧成工艺之前需要将压制好的陶瓷坯片先放入钳钵,加入高温隔离粉之后,再一并装入高温烧结炉进行烧结成型。

所述步骤s4中陶瓷坯片的规格为53*22*6mm,陶瓷坯片的密度为3.6g/㎝3

所述步骤s4中的烧成工艺为从室温到400度时用6小时进行升温,在400度时保温4小时,再从400度到1350度时用5小时进行升温,在1350度时用5小时保温,然后随炉降温。

所述步骤s5中的成品规格为53*22*6mm,经测试,成品的介电常数(er)为21,qf值高达200000ghz。

实施例3

本发明提出了一种微波陶瓷滤波器元件,由以下重量百分比的原料所组成:

mg14%、sm13%、ca12%、zn11%、al10%、sr15%、la0.05%、mn0.05%、sn0.05%、co0.05%、bi0.05%、ti39.55%、cu0.05%、ni0.05%、sn0.05%、pb0.05%、zr0.5%、nd0.5%、ta0.5%、ce0.5%。

本发明还提供了一种微波陶瓷滤波器元件的制备方法,包括以下步骤:

s1:按照重量百分比称取上述所列的各种原料,并按照原料:水:球=1:1.2:2的比例进行混合球磨2h后出料,制得粉体基料;

s2:将步骤s1制得的粉体基料脱水,并在160℃的温度下保温1h烘干,烘干后利用相应的合成曲线进行合成;

s3:在步骤s2的基础上进行二次球磨,按照重量百分比称取基料,并按照基料:水:球=1:1:2的比例进行混合球磨3h后出料,脱水并在160℃的温度下保温1h烘干,制得粉体物料;

s4:将步骤s3制得的粉体物料依次进行造粒、压片以及烧成,其中造粒过程为将磨细的粉体物料,经过干燥、加胶黏剂后制成流动性好且粒径为0.1mm的颗粒,随后将造好的颗粒加入压片机进行压制成型,制得一定规格的陶瓷坯片,再将陶瓷坯片按照烧成工艺进行烧结成型;

s5:将步骤s4烧结成型的陶瓷坯片经平面磨床磨片后依次进行清洗和烘干,再经过ag电极浸泡后即可得相应规格的微波陶瓷滤波器元件成品,其中具体操作包括首先进行清水清洗干净,然后在100℃的温度下烘干,其次进行封端银电极,再次在800℃的温度下保温50分钟烧端,最后在电镀银锡电极并在600℃的温度下烧成。

步骤s1中各原料的纯度均大于99.95%,以保证本发明的成品质量和产品性能。

所述步骤s2中的合成曲线为从室温到1100℃时用5小时进行升温,并在1100℃时保温3小时,之后随炉缓慢降温。

所述步骤s4中进行压片之前需要将粉体物料过100目筛,按粉体物料的重量百分比添加浓度为15%pva的水溶液,搅拌均匀后造粒并过60目筛,保证颗粒的粒径规整度。

所述步骤s4中进行烧成工艺之前需要将压制好的陶瓷坯片先放入钳钵,加入高温隔离粉之后,再一并装入高温烧结炉进行烧结成型。

所述步骤s4中陶瓷坯片的规格为53*22*6mm,陶瓷坯片的密度为3.6g/㎝3

所述步骤s4中的烧成工艺为从室温到400度时用6小时进行升温,在400度时保温4小时,再从400度到1350度时用5小时进行升温,在1350度时用5小时保温,然后随炉降温。

所述步骤s5中的成品规格为53*22*6mm,经测试,成品的介电常数(er)为21,qf值高达250000ghz。

以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。

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