一种支撑盘、气路系统及气相外延生长系统的制作方法

本实用新型涉及半导体加工装置技术领域，具体涉及一种支撑盘、气路系统及气相外延生长系统。

背景技术：

mocvd是在气相外延生长(vpe)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。mocvd是以ⅲ族、ⅱ族元素的有机化合物和v、ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种ⅲ－v族、ⅱ－ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常mocvd系统中的晶体生长都是在常压或低压(10－100torr)下通h2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500－1200℃，用直流加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方)，h2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。在mocvd系统中需要通入气体，并要求通入气体均匀稳定。用于通入气体的气路通常使用支撑盘来连接，且不同工艺或产品需要通入的气路数量不同。现有操作中，在需要不同气路时，通常是通过封闭其中的若干个气体接口来得到需要数量的气路，这种方式中封闭的若干个气体接口不是均布在支撑盘的周向时，会出现通入的气体均匀性差，影响到产品的质量。而针对不同的工艺或产品设计不同的气路系统，又会较大的增加生产成本，并且更换气路系统的也会延长产品的生产周期。

技术实现要素：

因此，本实用新型提供一种能够保证产品质量、降低生产成本的支撑盘，具有该支撑盘的通用性好的气路系统，及设有该气路系统的气相外延生长系统。

为解决上述问题，本实用新型的支撑盘，包括本体，所述本体上具有中心，所述本体上设有多圈气体接口，任意一圈所述气体接口到所述中心的距离相等，且绕所述中心均匀分布，各圈所述气体接口距离所述中心的距离不同。

多圈所述气体接口中最靠近所述中心的为内圈气体接口，所述内圈气体接口的数量为所述支撑盘可连接的最大气路数。

任意一圈所述气体接口的数量小于等于所述内圈气体接口的数量。

多圈所述气体接口中对应的两圈所述气体接口连接，为相互靠近的气体接口一一对应连接。

具有两圈气体接口，分别为靠近中心的内圈气体接口，和远离所述中心的外圈气体接口。

所述本体为圆盘状，所述外圈气体接口靠近所述本体的外侧设置，所述内圈气体接口靠近所述本体的所述中心设置。

所述内圈气体接口具有11个气体接口，所述外圈气体接口具有8个气体接口。

本实用新型的气路系统，具有上述的支撑盘，进气管路与对应的一圈所述气体接口接通，出气管路与对应的另一圈所述气体接口接通。

本实用新型的气相外延生长系统，具有上述的气路系统。

本实用新型技术方案，具有如下优点：

1.本实用新型的支撑盘，用于气相外延生长系统中，包括本体，所述本体上具有中心，所述本体上设有多圈气体接口，任意一圈所述气体接口到所述中心的距离相等，且绕所述中心均匀分布，各圈所述气体接口距离所述中心的距离不同。在使用不同的工艺或生产不同的产品时，可以选用适当的两圈或多圈气体接口相互连接，由于选用的任一圈气体接口绕所述中心均匀分布，使得通入的气体均匀性好，保证了产品的质量；且不用针对不同的工艺或产品设计不同的气路系统，较大的减少了生产成本。

2.本实用新型的支撑盘，所述内圈气体接口的数量为所述支撑盘可连接的最大气路数，内圈气体接口数可以是气路系统中使用的最大气路数，这样的设置可以让具有不同气体接口的支撑盘的结构更加的相似，更适应的安装在气路系统中。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的支撑盘的结构示意图；

附图标记说明：

1－内圈气体接口；2－外圈气体接口；3－本体；4－气路。

具体实施方式

下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

此外，下面所描述的本实用新型不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

实施例一：

本实施例中的支撑盘，包括本体3，所述本体3上具有中心，所述本体3上设有多圈气体接口，任意一圈所述气体接口到所述中心的距离相等，且绕所述中心均匀分布，各圈所述气体接口距离所述中心的距离不同。多圈所述气体接口中最靠近所述中心的为内圈气体接口1，所述内圈气体接口1的数量为所述支撑盘可连接的最大气路数。任意一圈所述气体接口的数量小于等于所述内圈气体接口1的数量。

当由于体积或供气稳定性或强度或与支撑盘配合的连接结构等限制，支撑盘需要具有多个，且多个支撑盘上的气体接口数不同时，支撑盘中的内圈气体接口1数量为所述支撑盘可连接的最大气路数，使得支撑盘的结构比较相似，尤其是支撑盘安装在气路系统中所使用的结构可以设置的相同，进而降低支撑盘的加工制造成本，和安装成本。

本实施例的支撑盘在使用时，选择多圈所述气体接口中对应的两圈所述气体接口连接，该两圈上的所述气体接口为相互靠近的所述气体接口一一对应连接，多余的气体接口可以封堵上。

本实施例中的中心，是指各圈气体接口中的圆心，而不是对支撑盘形状的限定。

实施例二：

本实施例的支撑盘，所述本体3为圆盘状，在实施例一的基础上，具有两圈气体接口，分别为靠近中心的内圈气体接口1，和远离所述中心的外圈气体接口2，所述外圈气体接口2靠近所述本体3的外侧设置，所述内圈气体接口1靠近所述本体3的中心设置。本实施例中的中心，是指所述本体3的圆心。

如图1所示，所述内圈气体接口1具有11个所述气体接口，所述外圈气体接口2具有8个所述气体接口，在连接气路4时，8个气体接口与靠近的内圈中的所述气体接口一一对应连接，内圈剩余的三个气体接口被封堵上。

本实施例中的支撑盘，可以适用于气路4数为11的气路系统，在需要使用8个进气管路时，在气路系统中安装外圈气体接口2数为8的支撑盘，外圈气体接口2在所述支撑盘的外周均匀分布，使得通入的气体均匀性好，保证了产品的质量；而且，不用更换整个气路系统，较大的减少了生产成本。

当然，在需要使用9个进气管路时，在气路系统中安装外圈气体接口2数为8的支撑盘。这里便不一一例举。

实施例二：

本实施例中的气路系统，具有实施例一中的支撑盘，进气管路与对应的一圈所述气体接口接通，出气管路与对应的另一圈所述气体接口接通。

实施例三：

本实施例中的气相外延生长系统，具有实施例二中所述的气路系统。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型创造的保护范围之中。