本实用新型涉及多晶硅铸锭工艺领域，尤其涉及多晶硅铸锭设备。
背景技术：
在多晶硅铸锭工艺中，往往会在多晶硅铸锭设备中的坩埚内壁形成一层达到指定厚度的氮化硅涂层，通过氮化硅涂层的隔离作用来提高多晶硅铸锭出锭的质量。然而，目前的多晶硅铸锭设备无法检测氮化硅涂层的厚度，只能通过肉眼观察的方式来检测检测氮化硅涂层的厚度是否达到指定厚度。
技术实现要素：
本实用新型提供一种多晶硅铸锭设备，所述多晶硅铸锭设备检测氮化硅涂层的厚度是否满足预设厚度的精准度更高。
所述多晶硅铸锭设备包括坩埚、光源、及光线检测装置。所述坩埚具有收容腔，所述坩埚在所述收容腔的内壁上附设有氮化硅涂层。所述光源及所述光线检测装置分别设置于收容腔的内侧和外侧，或者分别设置于外侧和内侧。所述光源朝所述氮化硅涂层发射初始光线，所述初始光线经过所述氮化硅涂层后形成检测光线，所述检测光线传导至所述光线检测装置。所述光线检测装置接收检测光线，并根据所述检测光线判断所述氮化硅涂层的厚度是否满足预设厚度。通过光线检测装置接收检测光线，并根据检测光线判断所述氮化硅涂层的厚度是否满足预设厚度，提高了检测所述氮化硅涂层的厚度是否满足预设厚度的精准度，提高了检测所述氮化硅涂层的厚度是否满足预设厚度的效率。
进一步地，所述多晶硅铸锭设备包括本体，所述本体具有收容槽，所述收容槽收容所述坩埚、所述光源、及所述光线检测装置，所述光线检测装置设置在所述收容腔内，所述光源位于收容腔外，并连接于所述收容槽的内壁。
进一步地，所述多晶硅铸锭装置还包括支撑架，所述支撑架固定于所述收容槽内，所述支撑架支撑所述坩埚。
进一步地，所述多晶硅铸锭设备还包括密封罩，所述密封罩盖接所述本体，并密封所述收容槽的开口，以防止光线经所述收容槽的开口传至所述收容槽内。
进一步地，所述密封罩设有坩埚密封罩，所述坩埚密封罩盖接所述坩埚，并密封所述坩埚的开口，以防止光线经所述收容腔的开口传至所述收容腔内。
进一步地，所述密封罩还包括与所述坩埚密封罩相连的光源密封罩，所述光源密封罩密封连接在所述坩埚和所述本体之间，以密封所述坩埚和所述本体之间的开口。
进一步地，所述光线检测装置固定连接所述坩埚密封罩靠近所述收容槽内壁的一侧。
进一步地，所述内壁包括底壁和与所述底壁相连的侧壁，所述多晶硅铸锭设备包括滑动装置，所述滑动装置包括滑动基座和与所述滑动基座相连的固定部，所述滑动基座滑动连接于所述坩埚密封罩靠近所述底壁的一侧，所述固定部固定连接所述光线检测装置，所述滑动基座可滑近所述侧壁或者滑离所述侧壁，以带动所述光线检测装置滑近所述侧壁或所述滑离所述侧壁。
进一步地，所述滑动装置还包括连接于所述滑动基座和所述固定部之间的伸缩部，所述伸缩部可沿靠近所述底壁的方向延伸或者沿背离所述底壁的方向收缩，以带动所述光线检测装置滑向所述底壁或者滑离所述底壁。
进一步地，所述多晶硅铸锭设备还包括处理器和电机，所述处理器与所述电机电连接，所述电机与所述滑动基座及所述伸缩部连接，所述处理器发出控制指令至所述电机，所述电机接收到所述控制指令后向所述滑动基座和所述伸缩部输出扭矩，以驱动所述滑动基座滑动和驱动所述伸缩部伸缩。
进一步地，所述多晶硅铸锭设备还包括距离检测装置，所述距离检测装置固定连接于所述光线检测装置，且所述距离检测装置电连接所述处理器，所述距离检测装置用于检测所述光线检测装置到所述侧壁及所述底壁的距离值，并将所述距离值传至所述处理器，以使所述处理器根据所述距离值发出所述控制指令。
进一步地，所述光源滑动连接于所述收容槽的内壁，所述光线检测装置包括光传感器，所述光源正对所述光传感器，所述光源朝所述光传感器发出光线。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一实施方式提供的多晶硅铸锭设备的立体结构示意图。
图2为图1中沿i-i线的剖视图。
图3为本申请另一实施方式提供的多晶硅铸锭设备在沿i-i线的剖视图。
图4为本申请另一实施方式提供的多晶硅铸锭设备在沿i-i线的剖视图。
图5为本申请另一实施方式提供的多晶硅铸锭设备在沿i-i线的剖视图。
图6为本申请另一实施方式提供的多晶硅铸锭设备在沿i-i线的剖视图。
图7为本申请另一实施方式提供的多晶硅铸锭设备在另一状态沿i-i线的剖视图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都应属于本实用新型保护的范围。
请一并参阅图1至图2，图1为本申请一实施方式提供的多晶硅铸锭设备的立体结构示意图；图2为图1中沿i-i线的剖视图。所述多晶硅铸锭设备1用于检测多晶硅铸锭设备1中坩埚10内壁附设的氮化硅涂层12是否满足预设厚度。在本实施方式中，所述多晶硅铸锭设备1包括坩埚10、光源20、及光线检测装置30。所述坩埚10具有收容腔11，所述坩埚10在所述收容腔11的内壁上附设有氮化硅涂层12。所述光源20及所述光线检测装置30分别设置于收容腔11的内侧和外侧，或者分别设置于外侧和内侧。所述光源20朝所述氮化硅涂层12发射初始光线，所述初始光线经过所述氮化硅涂层12后形成检测光线，所述检测光线传导至所述光线检测装置30。所述光线检测装置30接收检测光线，并根据所述检测光线判断所述氮化硅涂层12的厚度是否满足预设厚度。通过光线检测装置30接收检测光线，并根据检测光线判断所述氮化硅涂层12的厚度是否满足预设厚度，提高了检测所述氮化硅涂层12的厚度是否满足预设厚度的精准度，提高了检测所述氮化硅涂层12的厚度是否满足预设厚度的效率。
在本实施方式中，所述坩埚10具有收容腔11，所述收容腔11在多晶硅铸锭过程中用于装载多晶硅铸锭原料。所述收容腔11的内壁上附设有所述氮化硅涂层12，所述氮化硅涂层12用于隔离所述多晶硅原料与所述坩埚10收容腔11的内壁，避免所述坩埚10污染所述多晶硅原料，避免所述多晶硅原料与坩埚10黏连而不利于脱模。在实际加工过程中，将氮化硅粉和去离子水混合搅拌形成氮化硅原料，将所述氮化硅原料喷涂在温度达到预设温度的所述坩埚10的内壁，再通过高温烧结所述坩埚10及所述氮化硅原料，以使所述氮化硅原料在所述坩埚10内壁上形成致密的氮化硅涂层12。其中，所述氮化硅涂层12的厚度为0.2mm以上。具体地，所述氮化硅涂层12的厚度为0.2mm-1mm。
在本实施方式中，所述光源20朝所述氮化硅涂层12发射初始光线，所述光线经过所述氮化硅涂层12后形成检测光线，所述光线检测装置30接收所述检测光线并根据所述检测光线判断所述氮化硅涂层12的厚度是否满足预设厚度。
可以理解地，所述坩埚10可透光，即光线可通过所述坩埚10，所述坩埚10的收容腔11内的光线可透过所述坩埚10的内壁到外界；外界的光线可透过所述坩埚10的内壁至所述收容腔11内。而所述氮化硅涂层12不透光，即所述氮化硅涂层12可吸收光线。当所述氮化硅涂层12的厚度达到预设厚度，外界的光线透过所述氮化硅的光线强度也会低于预设光线强度。具体地，当所述氮化硅涂层12的预设厚度大于或者等于0.2mm、初始光线的照度为30勒克斯以上，所述初始光线经过所述氮化硅涂层12后形成照度0.1勒克斯以下的检测光线。所述光线检测装置30接收所述检测光线，根据接收的所述检测光线的照度是否小于0.1勒克斯来判断所述氮化硅涂层12的厚度是否满足预设厚度。
相关技术中，往往通过肉眼来判断光线透过氮化硅涂层12的照度来判断所述氮化硅涂层12是否达到指定的厚度。然而，肉眼观察往往无法精确地检测出氮化硅涂层12中一些细微的缺陷，因此，肉眼检测的精准度较差。
相比于相关技术，本实施方式通过光线检测装置30接收检测光线，并根据检测光线判断所述氮化硅涂层12的厚度是否满足预设厚度，提高了检测的精准度。
在本实施方式中的所述多晶硅铸锭设备，通过检测所述氮化硅涂层12的厚度是否满足预设厚度，不但可以检测出所述氮化硅涂层12是否存在一些明显的缺陷，如从部分所述氮化硅涂层12脱落、甚至是部分氮化硅涂层12龟裂；还可检测所述氮化硅涂层12中的一些较隐蔽的缺陷，如细微的裂纹，以检测所述氮化硅涂层12是否完整地涂覆在所述坩埚10内壁，提高了检测的精准度。
所述光源20及所述光线检测装置30分别设置于收容腔11的内侧和外侧，或者分别设置于外侧和内侧。在本实施方式中，所述光源20设置在所述收容腔11的外侧，所述光线检测装置30设置于所述收容腔11的内侧。所述光源20的数量不限于为一个或者多个，以所述光源20发出的光线能够照射到所述收容腔11的内壁中所有氮化硅涂层12为准。所述光源20的数量为一个时，所述光源20滑动设置在所述收容腔11的外侧，所述光源20可围绕所述收容腔11的外侧滑动，以照射到所述所述收容腔11的内壁中所有的氮化硅涂层12。所述光源20的数量为多个，所述每个光源20间隔设置，以所有光源20发出的光线能够照射到所述收容腔11的内壁中所有氮化硅涂层12为准。
在本实施方式中，所述多晶硅铸锭设备1包括本体40。所述本体40具有收容槽41。所述收容槽41收容所述坩埚10、所述光源20、及所述光线检测装置30。所述光线检测装置30设置在所述收容腔11内，所述光源20位于收容腔11外，并连接于所述收容槽41的内壁。所述本体40具有收容槽41，所述收容槽41用于收容所述坩埚10、所述光源20、及所述光源20检测装置。所述光线检测装置30设置在所述收容腔11内，所述光源20连接在所述收容槽41的内壁。所述光源20发出的初始光线经过所述坩埚10及所述氮化硅涂层12后形成检测光线，所述检测光线传至所述光线检测装置30，所述光线检测装置30根据所述检测光线检测所述氮化硅涂层12的厚度。在本实施方式中，所述光源20连接于所述收容槽41的内壁，所述连接的方式不限于为固定连接、滑动连接。
请参阅图3，图3为本申请另一实施方式提供的多晶硅铸锭设备在沿i-i线的剖视图。本实施方式可以结合前面描述的所述多晶硅铸锭设备1。在本实施方式中，多晶硅铸锭装置还包括支撑架50，所述支撑架50固定于所述收容槽41内，所述支撑架50支撑所述坩埚10。具体地，所述支撑架50固定于所述收容槽41的内壁42。所述支撑架50支撑所述坩埚10，以使所述坩埚10稳固。进一步地，所述收容槽41的内壁42包括收容槽41的底壁421和与所述收容槽41的底壁421相连的收容槽41的侧壁422。所述支撑架50使所述坩埚10与所述收容槽41的底壁421设有间隔，以使设置在所述收容槽41的底壁421的光源20发出的光线能够照射到所述坩埚10收容腔11中底壁421上的氮化硅涂层12。
在本实施方式中，所述光源20滑动连接于所述收容槽41的内壁42，所述光线检测装置30包括光传感器31，所述光源20正对所述光传感器31，所述光源20朝所述光传感器31发出光线。所述光源20发出的初始光线经过所述氮化硅涂层12后形成检测光线，所述检测光线传至正对所述光源20的所述光传感器31，所述光传感器31接收所述检测光线，以判断所述氮化硅的厚度是否满足预设厚度。
请参阅图4，图4为本申请另一实施方式提供的多晶硅铸锭设备在沿i-i线的剖视图。本实施方式可以结合前面任意实施方式提供的所述多晶硅铸锭设备1。在本实施方式中，所述多晶硅铸锭设备1还包括密封罩50，所述密封罩50盖接所述本体40，并密封所述收容槽41的开口，以防止光线经所述收容槽41的开口传至所述收容槽41内。所述本体40具有收容槽41，所述收容槽41具有开口，所述密封罩50盖接所述本体40，以密封所述收容槽41的开口。所述本体40与所述密封罩50形成密闭空间，使得外界的光线无法从所述收容槽41的开口进入到所述收容槽41的内部。而所述光线检测装置30收容在所述收容槽41内部，所述密封罩50盖接所述本体40，避免外界的光线干扰所述光线检测装置30检测所述氮化硅涂层12的厚度，提高所述光线检测装置30检测所述氮化硅涂层12的厚度的精准度。
请参阅图5，图5为本申请另一实施方式提供的多晶硅铸锭设备在沿i-i线的剖视图。本实施方式可以结合前面任意实施方式提供的所述多晶硅铸锭设备1。在本实施方式中，所述密封罩50设有坩埚密封罩51，所述坩埚密封罩51盖接所述坩埚10，并密封所述坩埚10的开口，以防止光线经所述收容腔11的开口传至所述收容腔11内。所述坩埚10具有收容腔11，所述收容腔11具有开口。所述密封罩50设有坩埚密封罩51，所述坩埚密封罩51盖接所述坩埚10，以密封所述坩埚10的开口，使得外界的光线无法进入到所述收容腔11，无法干扰到设置在所述收容腔11内的所述光线检测装置30的运作，提高了所述光线检测装置30检测所述氮化硅涂层12的厚度的精准度。同时也使得所述光源20发出的光线经所述收容腔11的开口传至所述收容腔11内。
请再次参阅图5，所述密封罩50还包括与所述坩埚密封罩51相连的光源密封罩52密封罩，所述光源密封罩52密封连接在所述坩埚10和所述本体40之间，以密封所述坩埚10和所述本体40之间的开口。所述光源20连接所述收容槽41的内壁42，而所述坩埚10收容在所述收容槽41内，所述光源20设置在所述收容槽41的内壁42与所述坩埚10的侧壁之间。而所述光源密封罩52密封连接于所述坩埚10和所述本体40之间，使得所述光源20的发出的初始光线无法透出所述光源密封罩52、从所述坩埚10的开口进入到所述坩埚10的收容腔11内而干扰所述光线检测装置30的检测。使得所述初始光线只能穿过所述坩埚10的侧壁以及氮化硅涂层12进入到所述光线检测装置30，提高了所述光线检测装置30检测所述氮化硅涂层12的厚度的精准度。
请再次参阅图5，所述光线检测装置30固定连接所述坩埚密封罩51靠近所述收容槽41的内壁42的一侧。所述光线检测装置30固定连接所述坩埚密封罩51靠近所述收容槽41内壁42的一侧，以使所述光线检测装置30在所述坩埚密封罩51稳固。
请参阅图6至图7，图6为本申请另一实施方式提供的多晶硅铸锭设备在沿i-i线的剖视图；图7为本申请另一实施方式提供的多晶硅铸锭设备在另一状态沿i-i线的剖视图。本申请另一实施方式提供的多晶硅铸锭设备1在沿i-i线的剖视图。本实施方式可以结合图1至图4提供的所述多晶硅铸锭设备1的任意一个。在本实施方式中，所述内壁42包括底壁421和与所述底壁421相连的侧壁422。所述多晶硅铸锭设备1包括滑动装置60。所述滑动装置60包括滑动基座61和与所述滑动基座61相连的固定部62。所述滑动基座61滑动连接于所述坩埚密封罩51靠近所述底壁421的一侧，所述固定部62固定连接所述光线检测装置30，所述滑动基座61可滑近所述侧壁422或者滑离所述侧壁422，以带动所述光线检测装置30滑近所述侧壁422或所述滑离所述侧壁422。所述滑动基座61滑动连接于所述坩埚密封罩51靠近所述底壁421的一侧，所述滑动基座61可在所述坩埚密封罩51靠近所述底壁421的一侧上滑动。所述固定部62固定连接所述光线检测装置30，使得所述滑动基座61可带动固定部62、及所述光线检测装置30滑近所述侧壁422或者滑离所述侧壁422。即所述光线检测装置30可沿x轴的正方向或者负方向滑动。所述光线检测装置30滑近所述侧壁422，以便接收穿过所述氮化硅涂层12的所述检测光线。
在本实施方式中，所述滑动装置60还包括连接于所述滑动基座61和所述固定部62之间的伸缩部63，所述伸缩部63可沿靠近所述底壁421的方向延伸或者沿背离所述底壁421的方向收缩，以带动所述光线检测装置30滑向所述底壁421或者滑离所述底壁421。所述伸缩博可带动所述光线检测装置30滑向所述底壁421或者滑离所述底壁421，即所述光线检测装置30可沿y轴的正方向或者负方向滑动。可以理解地，所述坩埚密封罩51靠近所述底壁421的一侧设有滑轨，所述滑动基座61可在所述滑轨上滑动。
由于所述光线检测装置30可沿x或者y轴方向滑动，使得所述光线检测装置30可检测所述收容腔11的内壁中各个部分上附设的氮化硅涂层12。
请继续参阅图6和图7，所述多晶硅铸锭设备还包括处理器70和电机80。所述处理器70与所述电机80电连接，所述电机80与所述滑动基座61及所述伸缩部63连接，所述处理器70发出控制指令至所述电机80，所述电机80接收到所述控制指令后向所述滑动基座61和所述伸缩部63输出扭矩，以驱动所述滑动基座61滑动和驱动所述伸缩部63伸缩。所述处理器70与所述电机80电连接，所述处理器70用于控制所述电机80输出扭矩。所述电机80接收到所述控制指令后，向所述滑动基座61和所述伸缩部63输出扭矩，以使所述滑动基座61滑动、所述伸缩部63伸缩，进而带动所述光线检测装置30沿x轴方滑动、沿y轴方向滑动。
在本实施方式中，所述多晶硅铸锭设备还包括距离检测装置90。所述距离检测装置90固定连接于所述光线检测装置30，且所述距离检测装置90电连接所述处理器70，所述距离检测装置90用于检测所述光线检测装置30到所述侧壁422及所述底壁421的距离值，并将所述距离值传至所述处理器70，以使所述处理器70根据所述距离值发出所述控制指令。所述距离检测装置90发出距离信号，所述距离信号照射到所述侧壁422及所述侧壁422后反射至所述距离检测装置90，以使所述距离检测装置90接收所述距离信号。所述距离检测装置90根据发出所述距离信号的时间和接收所述距离信号的时间来检测所述光学检测装置到所述侧壁422及所述底壁421的距离值。所述距离检测装置90将所述距离值传至所述处理器70，以使所述处理器70根据所述距离值发出控制指令来控制所述电机80的输出，提高所述多晶硅铸锭设备1的自动化程度。
以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。