1.一种利用缺陷和杂质改进单晶金刚石晶种外延生长的方法，其特征在于：对单晶金刚石片的主表面(001)上含有的杂质和缺陷，对单晶金刚石片的主表面(001)上含有的杂质和缺陷，通过煮沸的浓硫酸和浓硝酸混合液对所述单晶金刚石片进行酸洗处理，再进行刻蚀处理，对经过酸洗和刻蚀处理后的金刚石进行沉积生长，最后在该主表面(001)面上获得微型开孔，从而完成改进单晶金刚石晶种外延生长。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述浓硫酸和浓硝酸的摩尔比为1:1，所述煮沸不少于30min。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述主表面(001)面上的微型开孔面积占主表面(001)面总面积约5％。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述主表面(001)面上的微型开孔面积占主表面(001)面总面积约15％。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述主表面(001)面上的微型开孔面积占主表面(001)面总面积约25％。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述刻蚀处理采用微波氢等离子体刻蚀工艺，刻蚀温度范围为770至800℃，其中氢气流量范围为450至550sccm，生长压力范围为90至110torr，微波功率范围1800至2600w。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述微波氢气等离子体刻蚀工艺中的，刻蚀时间不少于20分种。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：所述对经过酸洗和刻蚀处理后的金刚石进行沉积生长采用氢气和甲烷混合气体的等离子体进行气相沉积法生长。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述氢气和甲烷混合气体比例范围为20:1到10:1，氢气流量范围为400至600sccm，生长压力为180至220torr，微波功率范围2500至4000w之间。