本发明涉及晶体生长领域,特别涉及一种加强低温相偏硼酸钡熔体对流。
背景技术:
低温相偏硼酸钡β-bab2o4是一种非常重要的新型非线性晶体,广泛运用于激光倍频,目前还未见有性能更好的材料取代它。
虽然该晶体具有优异的性能,但是实际晶体生长过程由于生长工艺特点,熔体对流不明显,晶体中存在一些质量问题:主要有中间包络、气泡、生长纹等。加强熔体对流是降低缺陷的最有效方法。
技术实现要素:
本发明的目的是加强低温相偏硼酸钡熔体对流,采用硼酸、碳酸钡为原料,氟化钠为助熔剂,熔盐炉为生长装置,将晶体生长坩埚置于坩埚套里面,坩埚套四周单独绕制炉丝,单独控温,具体见图1,该发明有效加强熔体对流,降低晶体缺陷形成。
附图说明
图1坩埚套示意图。
具体实施方式
实施例一:称取一定量的碳酸钡、硼酸和氟化钠,满足bab2o4:naf=2:1(摩尔比)于原料桶中混匀。将混好的料于1000℃的硅碳棒炉中熔解至反应完全。将熔好的料倒入铂金坩锅,将坩埚置于坩埚套中,升温至980℃,恒温18h,而后在饱和温度以上10℃下。将事先固定在籽晶杆上的籽晶缓慢的下至熔液表面,20r/min转动,半小时之后降7℃,晶体开始生长,直至晶体快至坩埚壁停止籽晶杆旋转,以1℃/天降温,降温180天,晶体生长结束,采用转炉,取出晶体,退火至室温。
1.一种加强低温相偏硼酸钡熔体对流的方法,其特征在于,采用硼酸、碳酸钡为原料,氟化钠为助熔剂,熔盐炉为生长装置,将晶体生长坩埚置于坩埚套里面,坩埚套四周单独绕制炉丝,单独控温。