本发明涉及3d玻璃加工
技术领域：
，尤其涉及一种3d玻璃强化后褪应力工艺。
背景技术：
：3d玻璃具有轻薄、透明洁净、抗指纹、防眩光、坚硬、耐刮伤、耐候性佳等优点，已经成为智能手机、智能手表、平板计算机、可穿戴式智能产品、仪表板等产品所使用的玻璃的首选。3d玻璃一般需要经强化处理，3d玻璃强化后玻璃表面应力值已生成，强化后需要对3d玻璃进行dol、cs等性能检测，若性能合格则进入下一步的工艺；若性能不合格，则需要对其进行褪应力处理。目前，褪应力方法为返抛玻璃，对玻璃进行打磨，以减薄玻璃厚度来达到褪应力值的效果。但是受表面应力及深度影响，减薄玻璃厚度会导致玻璃异形翘曲，造成不良；返抛工艺流程繁琐，会增加耗材、人力等成本；玻璃不良率高；且返抛玻璃导致产品周转流程过长，过程中易造成不良，降低返修良率。技术实现要素：基于
背景技术：
存在的技术问题，本发明提出了一种3d玻璃强化后褪应力工艺，本发明可以达到良好的褪应力效果并保持良好的尺寸稳定性，提高良品率。本发明提出的一种3d玻璃强化后褪应力工艺，包括如下步骤：3d玻璃强化后，进行退火处理，退火温度为350-450℃。优选地，退火为四段阶梯退火，一段退火至四段退火的温度依次递减，相邻两段退火的温度相差10-30℃。上述相邻两段退火的温度相差可以为10、15、20、25或30℃。优选地，每段退火的时间相同，均为30-70s。上述退火时间可以为30、40、50、60或70s。优选地，一段退火的温度为380-400℃。优选地，四段退火的温度为350-360℃。优选地，在热弯模具中进行退火处理。优选地，退火处理后，自然冷却至室温。本发明所述3d玻璃强化方法为高温盐浴，所述盐可以为钾盐、锂盐等。有益效果：本发明搭配使用3d玻璃热弯机、热弯模具，选择适宜温度对强化后性能不合格的玻璃进行退火处理，以释放表面应力，达到降低应力值、褪应力的效果；可有效降低改善钢化后应力值，保证产品合格率；成功提升3d玻璃当段及整体制程良率，降低整体制造成本，创造效益；还可以杜绝因返抛而造成的毛刷、抛光粉等问题和返抛造成的制造成本增加的问题；选用四段阶梯退火，并选择适合的退火温度和时间，可以在大幅降低3d玻璃强化后应力的同时，保持3d玻璃尺寸的稳定性。具体实施方式下面，通过具体实施例对本发明的技术方案进行详细说明。按照相同强化方法处理10批3d玻璃，每批处理1200片，并对强化后的3d玻璃进行性能检测，其中有一批强化后性能不合格，将此批3d玻璃分成4组，每组300片，分别按照实施例1-3和对比例1的方法进行褪应力处理；其中，强化方法均为：于370℃预热50min，保温10min，然后于420℃，在硝酸锂盐浴中盐浴5h，然后提起3d玻璃滴盐10min。实施例1一种3d玻璃强化后褪应力工艺，包括如下步骤：将滴盐10min的3d玻璃放入热弯石墨模具中，于380℃、370℃、360℃、350℃分别保温退火30s进行四段退火处理，然后自然冷却至室温，从石墨模具中取出3d玻璃即可。实施例2一种3d玻璃强化后褪应力工艺，包括如下步骤：将滴盐10min的3d玻璃放入热弯石墨模具中，于400℃、370℃、360℃、350℃分别保温退火70s进行四段退火处理，然后自然冷却至室温，从石墨模具中取出3d玻璃即可。实施例3一种3d玻璃强化后褪应力工艺，包括如下步骤：将滴盐10min的3d玻璃放入热弯石墨模具中，于390℃、380℃、370℃、350℃分别保温退火50s进行四段退火处理，然后自然冷却至室温，从石墨模具中取出3d玻璃即可。对比例1强化后，采用常规的抛光工艺来进行褪应力处理。实验按照实施例1-3和对比例1所述工艺对强化后的3d玻璃进行褪应力处理，然后检测强化后(即褪应力前)、褪应力后的3d玻璃尺寸、二强应力，结果如表1-2所示。3d玻璃尺寸检测方法为：2次元仪器投影测量，通过投影检测产品外形点位，进行长宽等外形尺寸测量。二强应力检测方法为：将应力油滴在应力测量仪器光感探头上，进行产品应力深度检测。表1褪应力前后3d玻璃尺寸变化情况由表1可以看出，经本发明和对比例1进行褪应力处理后，3d玻璃的尺寸与褪应力前无差异，符合要求。表2褪应力前后3d玻璃二强应力变化情况由表2可以看出，经本发明和对比例1进行褪应力处理后，3d玻璃的cs均有明显减小，褪应力效果较好。对强化处理后的3d玻璃进行性能、外观、表面情况等检测，统计各组的良品率，结果如表3所示。表3良品率结果检测项目实施例1实施例2实施例3对比例1强化后不合格片数300300300300经褪应力处理后，合格片数285283286195良品率％9594.395.365由表3可以看出，本发明具有较高的良品率。以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
技术领域：
的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。当前第1页12