可降低晶棒碳铁含量的单晶炉的制作方法

[0001]
本实用新型涉及单晶硅加工设备技术领域，特别涉及一种可降低晶棒碳铁含量的单晶炉。


背景技术：

[0002]
晶棒拉制过程中，整根晶棒会经过最内侧的热屏，现有的热屏全部为石墨材质，因石墨纯度的问题，石墨内的杂质元素会挥发到晶棒表面，并扩散进入晶棒表层，导致晶棒碳、铁含量偏高。


技术实现要素：

[0003]
有鉴于此，针对上述不足，有必要提出一种可降低晶棒碳铁含量的单晶炉。
[0004]
一种可降低晶棒碳铁含量的单晶炉，包括热屏，所述热屏包括内筒、外筒、筒底，所述内筒套装于外筒内，所述筒底为环形，所述筒底设于内筒、外筒的下端，所述内筒包括第一筒体、第二筒体、第三筒体、第四筒体，所述第一筒体、第二筒体、第三筒体、第四筒体均为上下开口，所述第一筒体为锥形，所述第一筒体的上端的直径大于所述第一筒体的下端的直径，所述第三筒体为锥形，所述第三筒体的上端的直径大于所述第三筒体的下端的直径，所述第二筒体、第四筒体均为柱形，所述第二筒体的直径等于第一筒体的下端的直径，所述第二筒体的直径等于第三筒体的上端的直径，所述第四筒体的直径等于第三筒体的下端的直径，所述第四筒体的内径等于筒底的内径，所述第一筒体的上端的外壁与外筒的上端的内壁连接，所述第二筒体的上端与所述第一筒体的下端连接，所述第二筒体的下端与所述第三筒体的上端连接，所述第三筒体的下端与第四筒体的上端连接，所述第四筒体与筒底同轴设置，所述第四筒体的下端与筒底的上表面连接，所述筒底的外壁与外筒的下端的内壁连接，在内筒、外筒、筒底包围的空腔中填充有保温毡。
[0005]
优选的，所述第一筒体的锥度值为2tan17
°
。
[0006]
优选的，所述第三筒体的锥度值为2tan45
°
。
[0007]
优选的，所述筒底包括第一环体、第二环体，所述第一环体为柱形，所述第二环体为锥形，所述第一环体的外径等于第二环体的下端的直径，所述第四筒体的下端与第一环体的上表面连接，所述第一环体的外壁与第二环体的下端连接，所述第二环体的上端的外壁与外筒的下端的内壁连接。
[0008]
优选的，所述内筒为石英材质。
[0009]
优选的，所述筒底、外筒为石墨材质。
[0010]
优选的，所述保温毡为石墨材质。
[0011]
优选的，所述热屏还包括支撑筒，所述支撑筒的内壁与外筒的上端的外壁连接。
[0012]
优选的，所述可降低晶棒碳铁含量的单晶炉还包括炉体、隔离阀，所述炉体上端开口，所述隔离阀的下端与炉体的上端连接，所述炉体包括壳体、保温筒、盖板，所述保温筒上端开口，所述保温筒嵌套于壳体内，在保温筒的上端安装有盖板，所述盖板的中部设有安装
孔，所述安装孔内径大于外筒的外径，所述安装孔内径小于支撑筒的外径，所述支撑筒的下表面与盖板上表面连接。
[0013]
优选的，所述炉体还包括支撑轴、托盘、坩埚、底加热器、侧加热器，保温毡底部设有支撑轴，支撑轴上托举托盘，在托盘上放置有坩埚，保温毡底壁与托盘之间安装有底加热器，保温毡侧壁与坩埚之间安装有侧加热器。
[0014]
本实用新型的有益效果在于，将靠近晶棒距离最近的内筒分段设计成第一筒体、第二筒体、第三筒体、第四筒体的串联体，第二筒体和第四筒体为柱形的设计，能减少内筒与晶棒之间的距离，能减少内筒杂质元素会挥发到晶棒表面。
附图说明
[0015]
图1为所述热屏的结构示意图。
[0016]
图2为所述可降低晶棒碳铁含量的单晶炉的结构示意图。
[0017]
图3为所述排气装置的结构示意图。
[0018]
图4为所述法兰与卡箍组件的装配图。
[0019]
图5为所述卡箍本体的主视图。
[0020]
图中：炉体10、壳体11、保温筒12、盖板13、支撑轴14、托盘15、坩埚16、底加热器17、侧加热器18、排气装置20、第一排气管21、四通管22、卡箍组件23、卡箍本体231、中间部2311、第一连接部2312、第二连接部2313、中间架232、中心环2321、o形圈2322、盲板24、真空阀25、第二排气管26、真空泵27、法兰28、热屏30、内筒31、第一筒体311、第二筒体312、第三筒体313、第四筒体314、外筒32、筒底33、第一环体331、第二环体332、支撑筒34、隔离阀40、上炉筒50、氩气供给装置60、氩气储罐61、转子流量计62、第一阀门63、布气罩64。
具体实施方式
[0021]
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]
参见图1，本实用新型实施例提供了一种可降低晶棒碳铁含量的单晶炉，包括热屏30，热屏30包括内筒31、外筒32、筒底33，内筒31套装于外筒32内，筒底33为环形，筒底33设于内筒31、外筒32的下端，内筒31包括第一筒体311、第二筒体312、第三筒体313、第四筒体314，第一筒体311、第二筒体312、第三筒体313、第四筒体314均为上下开口，第一筒体311为锥形，第一筒体311的上端的直径大于第一筒体311的下端的直径，第三筒体313为锥形，第三筒体313的上端的直径大于第三筒体313的下端的直径，第二筒体312、第四筒体314均为柱形，第二筒体312的直径等于第一筒体311的下端的直径，第二筒体312的直径等于第三筒体313的上端的直径，第四筒体314的直径等于第三筒体313的下端的直径，第四筒体314的内径等于筒底33的内径，第一筒体311的上端的外壁与外筒32的上端的内壁连接，第二筒体312的上端与第一筒体311的下端连接，第二筒体312的下端与第三筒体313的上端连接，第三筒体313的下端与第四筒体314的上端连接，第四筒体314与筒底33同轴设置，第四筒体314的下端与筒底33的上表面连接，筒底33的外壁与外筒32的下端的内壁连接，在内筒31、
外筒32、筒底33包围的空腔中填充有保温毡。
[0023]
本实施例中，将靠近晶棒距离最近的内筒31分段设计成第一筒体311、第二筒体312、第三筒体313、第四筒体314的串联体，第二筒体312和第四筒体314为柱形的设计，能减少内筒31与晶棒之间的距离，能减少内筒31杂质元素会挥发到晶棒表面。
[0024]
参见图1，进一步，第一筒体311的锥度值为2tan17
°
。
[0025]
参见图1，进一步，第三筒体313的锥度值为2tan45
°
。
[0026]
参见图1，进一步，筒底33包括第一环体331、第二环体332，第一环体331为柱形，第二环体332为锥形，第一环体331的外径等于第二环体332的下端的直径，第四筒体314的下端与第一环体331的上表面连接，第一环体331的外壁与第二环体332的下端连接，第二环体332的上端的外壁与外筒32的下端的内壁连接。
[0027]
参见图1，进一步，内筒31为石英材质。
[0028]
本实施例中，高纯石英内铁含量很少，没有碳原子，并且可以耐高温，能减少内筒31杂质元素会挥发到晶棒表面。
[0029]
参见图1，进一步，筒底33、外筒32为石墨材质。
[0030]
参见图1，进一步，保温毡为石墨材质。
[0031]
参见图1，进一步，热屏30还包括支撑筒34，支撑筒34的内壁与外筒32的上端的外壁连接。
[0032]
参见图1和图2，进一步，可降低晶棒碳铁含量的单晶炉还包括炉体10、隔离阀40，炉体10上端开口，隔离阀40的下端与炉体10的上端连接，炉体10包括壳体11、保温筒12、盖板13，保温筒12上端开口，保温筒12嵌套于壳体11内，在保温筒12的上端安装有盖板13，盖板13的中部设有安装孔，安装孔内径大于外筒32的外径，安装孔内径小于支撑筒34的外径，支撑筒34的下表面与盖板13上表面连接。
[0033]
参见图2，进一步，炉体10还包括支撑轴14、托盘15、坩埚16、底加热器17、侧加热器18，保温毡底部设有支撑轴14，支撑轴14上托举托盘15，在托盘15上放置有坩埚16，保温毡底壁与托盘15之间安装有底加热器17，保温毡侧壁与坩埚16之间安装有侧加热器18。
[0034]
参见图2和图3，进一步，可降低晶棒碳铁含量的单晶炉还包括排气装置20，排气装置20包括第一排气管21、四通管22、卡箍组件23、盲板24、真空阀25、第二排气管26、真空泵27，第一排气管21的入口端与炉体10的内腔连通，第一排气管21的出口端与四通管22的左端口密封连接，四通管22的右端口通过卡箍组件23与盲板24密封连接，四通管22的上端口通过卡箍组件23与盲板24密封连接，四通管22的下端口与真空阀25的入口端密封连接，真空阀25的出口端与第二排气管26的入口端密封连接，第二排气管26出口端与真空泵27的入口密封连接。
[0035]
具体的，卡箍组件23为kf卡箍，更具体的，卡箍组件23为不锈钢kf卡箍，更具体的，卡箍组件23为kf80卡箍，真空阀25为高真空隔离球阀。
[0036]
参见图4，四通管22的右端口、四通管22的下端口各安装有法兰28，盲板24的一端安装有法兰28。
[0037]
参见图4，卡箍组件23包括卡箍本体231、中间架232，中间架232包括中心环2321、o形圈2322，o形圈2322固定套装在中心环2321的环形表面，中心环2321的直径小于法兰28的内径，o形圈2322的直径小于法兰28的外径。
[0038]
参见图4和图5，卡箍本体231为两个，卡箍本体231包括半圆环状的中间部2311，中间部2311的截面为“凹”字形，中间部2311的两侧为对称设置的穿装孔，穿装孔的半径大于四通管22的半径，中间部2311径向内侧为卡装槽，卡装槽的半径大于法兰28的外径，卡装槽的两侧为斜面，中间部2311的一端连接第一连接部2312，中间部2311的另一端连接第二连接部2313。
[0039]
使用方法：参见图4和图5，将中间架232卡装在两个法兰28之间，两个卡箍本体231的第一连接部2312铰接，两个法兰28连同中间架232一同卡入两个卡箍本体231形成的环形卡装槽内，两个第二连接部2313通过螺栓连接，并旋紧螺栓，两个卡箍本体231形成的卡装槽的直径逐渐减小，卡装槽两侧为斜面，卡装槽两侧产生的分力将两个法兰28沿轴向相对压紧，中间架232的o形圈2322卡紧在法兰28之间，以使两个法兰28相对密封连接。
[0040]
本实施例中，改用四通管22作为连接管，管道内残留聚集的氧化物可以很轻松的、彻底的清理干净，避免了因氧化物较多导致真空阀25关闭不严以及管道中的氧化物影响晶棒性能的问题；四通管22的右端口、上端口均通过卡箍组件23盲板24密封连接，安装和拆卸方便，还避免了清理前后需要拆装四通管22、真空阀25，有效的提高了清理效率。
[0041]
参见图2，进一步，可降低晶棒碳铁含量的单晶炉还包括上炉筒50、氩气供给装置60，上炉筒50的下端与隔离阀40的上端连接，氩气供给装置60包括氩气储罐61、转子流量计62、第一阀门63、布气罩64，布气罩64为一个圆台形筒体，布气罩64的上端开口，布气罩64的下端中心设有通孔，在布气罩64的环壁设有进气微孔，进气微孔沿布气罩64的周向密布，布气罩64内置于上炉筒50中，布气罩64的开口端盖合在上炉筒50顶部中心位置，氩气储罐61的出口通过管道与转子流量计62的入口连接，转子流量计62的出口通过管道与第一阀门63的入口连接，第一阀门63的出口通过管道与布气罩64的内腔连通。
[0042]
本实施例中，为了尽可能快的带出挥发气尘，氩气流量必须足够大，大气流量会在上炉筒50产生高速气流，并在气流周围形成不规则的气流旋涡，影响晶棒的性能，利用布气罩64将原来的一个进气口，改为多个的进气微孔，并且气流方向向外发散。这样进气口的总孔径不变，保证了大进气量，又使气流相对缓和分散，避免形成不规则的气流旋涡。
[0043]
本实用新型实施例装置中的模块或单元可以根据实际需要进行合并、划分和删减。
[0044]
以上所揭露的仅为本实用新型较佳实施例而已，当然不能以此来限定本实用新型之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本实用新型权利要求所作的等同变化，仍属于实用新型所涵盖的范围。