技术特征：
1.一种承载件，用于半导体工艺设备中承载晶圆(100)，其特征在于，所述承载件(200)具有导流面(210)、第一凹槽(220)和第二凹槽(230)，所述第一凹槽(220)设置于所述导流面(210)，所述第二凹槽(230)设置于所述第一凹槽(220)的槽底，所述第一凹槽(220)和所述第二凹槽(230)的形状均为圆形，所述第二凹槽(230)的直径小于所述第一凹槽(220)的直径，且所述第一凹槽(220)的槽底形成环绕所述第二凹槽(230)的承载面(240)，所述承载面(240)用于承载所述晶圆(100)；所述导流面(210)和所述承载面(240)中至少一者具有多个凸起部(241)和凹陷部(242)，所述多个凸起部(241)沿所述第一凹槽(220)的圆周方向排布，所述凹陷部(242)位于两个相邻的所述凸起部(241)之间。2.根据权利要求1所述的承载件，其特征在于，各所述凸起部(241)均具有第一倾斜子部和第二倾斜子部，所述第一倾斜子部和所述第二倾斜子部相交形成所述凸起部(241)，所述第一倾斜子部和所述第二倾斜子部的交线沿所述第一凹槽(220)的径向设置；各所述凹陷部(242)均具有第三倾斜子部和第四倾斜子部，所述第三倾斜子部和所述第四倾斜子部相交形成所述凹陷部(242)，所述第三倾斜子部和所述第四倾斜子部的交线沿所述第一凹槽(220)的径向设置；各所述凸起部(241)和各所述凹陷部(242)在所述第一凹槽(220)周向上的尺寸均由靠近所述第一凹槽(220)中心的一侧向远离所述第一凹槽(220)中心的一侧逐渐增加。3.根据权利要求1所述的承载件，其特征在于，所述凸起部(241)为弧形凸面，所述凹陷部(242)为弧形凹面。4.根据权利要求3所述的承载件，其特征在于，所述凸起部(241)与所述凹陷部(242)连接处为衔接部(243)，所述凸起部(241)沿所述第一凹槽(220)的圆周方向的曲率为第一曲率，所述第一曲率由所述凸起部(241)顶部向所述衔接部(243)逐渐减小，所述凹陷部(242)沿所述第一凹槽(220)的圆周方向的曲率为第二曲率，所述第二曲率由所述凹陷部(242)的底部向所述衔接部(243)逐渐减小。5.根据权利要求1至4中任意一项所述的承载件，其特征在于，所述凸起部(241)在第二方向上的高度均相等；和/或，所述凹陷部(242)在所述第二方向上的深度均相等；所述第二方向为所述第一凹槽(220)的槽口的朝向。6.根据权利要求5所述的承载件，其特征在于，在所述导流面(210)和所述承载面(240)中仅所述承载面(240)具有所述凸起部(241)和所述凹陷部(242)的情况下，所述凸起部(241)的顶部与所述凹陷部(242)的底部在所述第二方向上的距离为18um至21um；或者，在所述导流面(210)和所述承载面(240)中仅所述导流面(210)具有所述凸起部(241)和所述凹陷部(242)的情况下，所述凸起部(241)的顶部与所述凹陷部(242)的底部在所述第二方向上的距离为0.10um至0.15um。7.根据权利要求5所述的承载件，其特征在于，所述凸起部(241)沿所述第一凹槽(220)的圆周方向均匀排布，且所述凸起部(241)对应的圆心角均相等；和/或，所述凹陷部(242)沿所述第一凹槽(220)的圆周方向均匀排布，且所述凹陷部(242)对应的圆心角与所述凸起部(241)对应的圆心角相等。8.根据权利要求7所述的承载件，其特征在于，所述凸起部(241)和所述凹陷部的数量均为4个。
9.根据权利要求1至4中任意一项所述的承载件，其特征在于，所述承载面(240)相对第一方向向第二凹槽(230)的槽底倾斜，所述第一方向为沿所述第一凹槽(220)的径向向靠近所述第一凹槽(220)中心的方向。10.根据权利要求1至4中任意一项所述的承载件，其特征在于，在所述导流面(210)和所述承载面(240)均具有所述凸起部(241)和所述凹陷部(242)的情况下，所述导流面(210)的所述凸起部(241)与所述承载面(240)的所述凹陷部(242)在所述第一凹槽(220)的径向上相对。11.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括权利要求1至10中任意一项所述的承载件和晶圆校准装置，所述晶圆校准装置用于将所述晶圆(100)的缺口方向与凸起部(241)的顶部相对应。
技术总结
本发明公开一种承载件和半导体工艺设备，涉及半导体制造技术领域。该承载件承载件具有导流面、第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽设置于导流面，第二凹槽设置于第一凹槽的槽底，第一凹槽和第二凹槽的形状均为圆形，第二凹槽的直径小于第一凹槽的直径，且第一凹槽的槽底形成环绕第二凹槽的承载面，承载面用于承载晶圆。导流面和承载面中至少一者具有多个凸起部和凹陷部，多个凸起部沿第一凹槽的圆周方向排布，凹陷部位于两个相邻的凸起部之间。该方案能解决晶圆的边沿生长速率不一致的问题。能解决晶圆的边沿生长速率不一致的问题。能解决晶圆的边沿生长速率不一致的问题。
技术研发人员：高雄
受保护的技术使用者：北京北方华创微电子装备有限公司
技术研发日：2022.04.28
技术公布日：2022/8/5