技术特征：
1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述碳化硅晶体生长装置包括晶体生长单元、加热部件、隔热箱和腔室；所述晶体生长单元、隔热箱和腔室依次由内而外嵌套设置；所述加热部件为晶体生长单元中碳化硅晶体的生长提供热量；所述腔室上设置有进气口和出气口，且所述进气口包括工艺气体充入口和氢气充入口，所述出气口依次连接有气体霜点监测部件和抽气部件；所述氢气充入口和气体霜点监测部件分别连接于同一个控制部件。2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述晶体生长单元包括液相外延法晶体生长单元或物理气相传输法晶体生长单元；所述加热部件包括感应加热线圈或电阻加热器。3.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述感应加热线圈设置于隔热箱和腔室之间。4.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述感应加热线圈设置于腔室的外围。5.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述电阻加热器设置于晶体生长单元和隔热箱之间。6.根据权利要求1-5任一项所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述工艺气体充入口所充入的工艺气体包括氩气、氮气或氦气中的任意一种或至少两种的组合；所述进气口还连接有气体流量计，且所述气体流量计连接于控制部件。7.一种采用如权利要求1-6任一项所述碳化硅晶体生长装置进行生长碳化硅晶体的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：（1）在碳化硅晶体的生长过程中，向腔室内充入工艺气体的同时对腔室进行抽气；（2）待出气口的气体霜点下降至第一稳定值，向腔室内充入氢气的同时保持工艺气体继续充入，并逐渐增加充入氢气的流量；（3）待出气口的气体霜点上升至第二稳定值，保持充入氢气和工艺气体的流量恒定，继续进行碳化硅晶体的生长过程。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，步骤（1）-（3）保持碳化硅晶体的生长温度为1400-2300℃。9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，步骤（1）-（3）保持腔室内气压处于稳定状态，且所述稳定状态的保持方式为：根据腔室内气压测定值自动调整抽气部件的抽速或出气口的阀门开度，使得抽气量等于充气量。10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，步骤（1）-（3）碳化硅晶体的生长方法包括液相外延法或物理气相传输法；所述碳化硅晶体包括碳化硅单晶和/或碳化硅多晶。
技术总结
本发明提供一种碳化硅晶体生长装置及生长方法，所述生长装置包括晶体生长单元、加热部件、隔热箱和腔室；所述晶体生长单元、隔热箱和腔室依次由内而外嵌套设置；所述加热部件为晶体生长单元中碳化硅晶体的生长提供热量；所述腔室上设置有进气口和出气口，且所述进气口包括工艺气体充入口和氢气充入口，所述出气口依次连接有气体霜点监测部件和抽气部件；所述氢气充入口和气体霜点监测部件分别连接于同一个控制部件。本发明通过改进生长装置的结构和生长条件，尽可能排除或减少了生长气氛中痕量水蒸气与氧气的不利影响，从而延长了装置部件的使用寿命，提升了碳化硅晶体的品质。提升了碳化硅晶体的品质。提升了碳化硅晶体的品质。
技术研发人员：郭超 母凤文
受保护的技术使用者：青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
技术研发日：2022.09.26
技术公布日：2022/10/25