技术特征：
1.一种吸波剂，其特征在于，所述吸波剂的化学式为m2xyo6，其中，m元素选自be、mg、ca、sr或ba，x元素选自ti、zr或hf，y元素选自cr、mo或w。2.根据权利要求1所述的吸波剂，其特征在于，所述吸波剂为粉体，所述吸波剂的粒径为0.01μm～10μm。3.一种吸波材料，其特征在于，包括透波剂和权利要求1或2所述的吸波剂。4.根据权利要求3所述的吸波材料，其特征在于，所述吸波材料具有以下特征中的至少一个：(1)所述吸波材料为吸波薄膜或吸波涂层，所述吸波材料的厚度为0.5mm～2mm；(2)所述透波剂包括树脂、石蜡及电绝缘性氧化物中的一种或多种。5.根据权利要求4所述的吸波材料，其特征在于，所述吸波材料的厚度为1mm～1.5mm。6.根据权利要求4所述的吸波材料，其特征在于，所述吸波材料的吸波频率为1ghz～18ghz，反射损耗为-1db～-16db。7.一种吸波剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将m源、x源和y源混合，在含o2的第一气氛下进行一次烧结后，再在含h2的第二气氛中进行二次烧结；所述m源、所述x源和所述y源分别选自含m元素的碳酸盐和/或氧化物、含x元素的氧化物以及含y元素的氧化物，其中，所述m元素选自be、mg、ca、sr或ba，所述x元素选自ti、zr或hf，所述y元素选自cr、mo或w。8.根据权利要求7所述的吸波剂的制备方法，其特征在于，所述一次烧结和所述二次烧结的温度分别独立地为800℃～1000℃，时间分别独立地为8h～12h，升温速率分别独立地为3℃/min～5℃/min。9.根据权利要求6～8任一项所述的吸波剂的制备方法，其特征在于，所述第二气氛还包括ar或n2。10.一种隐身设备，其特征在于，包括设备本体及形成于所述设备本体表面的吸波材料层，所述吸波材料层的材质包括权利要求3～6任一项所述的吸波材料。
技术总结
本申请涉及吸波材料技术领域，特别是涉及一种吸波剂及其制备方法、吸波材料和隐身设备。吸波剂的化学式为M2XYO6，其中，M元素选自Be、Mg、Ca、Sr或Ba，X元素选自Ti、Zr或Hf，Y元素选自Cr、Mo或W。上述吸波剂具有优异的吸波性能，且制备方法简单、成本低。成本低。成本低。
技术研发人员：郭洪波 吴鹏 何雯婷
受保护的技术使用者：北京航空航天大学
技术研发日：2022.10.10
技术公布日：2023/1/5