用于外延沉积和先进外延膜应用的腔室架构的制作方法

背景技术：

技术实现思路

1、本文所述的实施例包括一种用于进行基板处理的工艺腔室，包括。该工艺腔室包括上部灯模块、下部灯模块、基板支撑件、上部窗口、下部窗口和腔室主体组件。该基板支撑件设置在该上部灯模块与该下部灯模块之间。该上部窗口设置在该上部灯模块与该基板支撑件之间。该下部窗口设置在该下部灯模块与该基板支撑件之间。该腔室主体组件设置在该上部灯模块与该下部灯模块之间，并且形成工艺空间的一部分。该腔室主体组件包括被设置为通过该腔室主体组件的基板传输通道。下部腔室排气通道被设置为与该基板传输通道相对(opposite)，并且通过该腔室主体组件。一个或多个上部腔室排气通道被设置为通过该腔室主体组件。该一个或多个上部腔室排气通道的每一者具有设置在该下部腔室排气通道上方的上部腔室排气通道开口。一个或多个喷射器通道被设置为通过该腔室主体组件，并且设置在该基板传输通道上方。

2、用于基板处理的工艺腔室的另一个实施例包括上部灯模块、下部灯模块、基板支撑件、上部窗口、下部窗口和腔室主体组件。该上部灯模块包括具有顶表面和底表面的上部模块主体。多个灯孔从该底表面设置到该顶表面。该基板支撑件设置在该上部灯模块与该下部灯模块之间。该上部窗口设置在该上部灯模块与该基板支撑件之间。该下部窗口设置在该下部灯模块与该基板支撑件之间。腔室主体组件设置在该上部灯模块与该下部灯模块之间，并且形成工艺空间的一部分。该腔室主体组件包括被设置为通过该腔室主体组件的基板传输通道。下部腔室排气通道被设置为与该基板传输通道相对，并且通过该腔室主体组件。一个或多个上部腔室排气通道被设置为通过该腔室主体组件。该一个或多个上部腔室排气通道的每一者具有设置在该下部腔室排气通道上方的上部腔室排气通道开口。一个或多个喷射器通道被设置为通过该腔室主体组件，并且设置在该基板传输通道上方。

3、在又另一个实施例中，用于基板处理的工艺腔室包括上部灯模块、下部灯模块、基板支撑件、上部窗口、下部窗口和腔室主体组件。该上部灯模块包括具有顶表面和底表面的上部模块主体。多个灯孔被设置为从该上部灯模块的该底表面朝向该顶表面。该基板支撑件设置在该上部灯模块与该下部灯模块之间。该上部窗口设置在该上部灯模块与该基板支撑件之间。该下部窗口设置在该下部灯模块与该基板支撑件之间。该腔室主体组件设置在该上部灯模块与该下部灯模块之间，并且形成工艺空间的一部分。该腔室主体组件包括基板传输通道，该基板传输通道被设置为通过该腔室主体组件。一个或多个上部腔室排气通道被设置为通过该腔室主体组件。该一个或多个上部腔室排气通道的每一者具有与该工艺空间流体连通的上部腔室排气通道开口。下部腔室排气通道被设置为通过该腔室主体组件，并且设置在这些上部腔室排气通道开口下方。一个或多个喷射器通道设置在该基板传输通道上方。

技术特征：

1.一种用于基板处理的工艺腔室，所述工艺腔室包括：

2.如权利要求1所述的工艺腔室，进一步包括：一个或多个气体喷射器，设置在所述一个或多个喷射器通道内，所述一个或多个气体喷射器的每一者的一个或多个气体出口相对于水平面以大于约5度的角度设置。

3.如权利要求1所述的工艺腔室，其中所述腔室主体组件包括：喷射环，所述喷射环包括所述一个或多个喷射器通道和设置在内部喷射环表面与底部喷射环表面之间的一个或多个凹痕，所述一个或多个凹痕设置在所述一个或多个上部腔室排气通道开口上方并且与所述一个或多个上部腔室排气通道流体耦接。

4.如权利要求1所述的工艺腔室，其中所述一个或多个上部腔室排气通道包括两个上部腔室排气通道。

5.如权利要求4所述的工艺腔室，其中所述两个上部腔室排气通道设置在所述下部腔室排气通道的相对侧。

6.如权利要求1所述的工艺腔室，进一步包括：

7.如权利要求6所述的工艺腔室，其中下部加热器设置在所述下部衬垫与所述内部基部环表面之间。

8.如权利要求1所述的工艺腔室，进一步包括：

9.一种用于进行基板处理的工艺腔室，所述工艺腔室包括：

10.如权利要求9所述的工艺腔室，其中所述下部灯模块包括升降臂组件，所述升降臂组件包括：

11.如权利要求10所述的工艺腔室，其中所述基板支撑件进一步包括：铁磁性轴承，被构造为使所述基板支撑件能够围绕轴线旋转。

12.如权利要求9所述的工艺腔室，其中所述上部灯模块进一步包括：多个灯泡开口，被设置为通过所述顶表面。

13.如权利要求9所述的工艺腔室，其中所述一个或多个上部腔室排气通道的每一者包括围绕所述腔室主体组件的周边的一部分设置的上部腔室排气通道开口，每个上部腔室排气通道围绕所述腔室主体组件的约25度至约60度而延伸。

14.如权利要求9所述的工艺腔室，其中所述多个灯孔设置在三个相异的区中，每个区包括5至10个灯孔。

15.如权利要求9所述的工艺腔室，其中所述腔室主体组件进一步包括：下部腔室排气通道，所述下部腔室排气通道被设置为与所述基板传输通道相对，并且通过内表面和外表面。

16.如权利要求15所述的工艺腔室，其中所述一个或多个上部腔室排气通道包括在所述下部腔室排气通道的相对侧的两个上部腔室排气通道。

17.一种用于进行基板处理的工艺腔室，所述工艺腔室包括：

18.如权利要求17所述的工艺腔室，其中升降臂组件被设置为通过所述下部腔室排气通道，并且包括设置在所述工艺空间内的多个臂。

19.如权利要求18所述的工艺腔室，其中所述升降臂组件进一步包括：升降销，从所述多个臂中的每个臂向上延伸；和对准传感器，与所述升降销的一者耦接，并且被构造为检测所述基板支撑件内的升降销孔。

20.如权利要求17所述的工艺腔室，其中所述腔室主体组件包括：

技术总结
本公开内容大致与用于处理半导体基板的工艺腔室相关。该工艺腔室包括：上部灯组件；下部灯组件；基板支撑件；上部窗口，设置在该基板支撑件与该上部灯组件之间；下部窗口，设置在该下部灯组件与该基板支撑件之间；喷射环；以及基部环。该上部灯组件和该下部灯组件的每一者包括垂直定向的灯孔，用于将加热灯放置在灯孔中。该喷射环包括气体喷射器，该气体喷射器被设置为通过该喷射环，并且该基部环包括基板传输通道、下部腔室排气通道和一个或多个上部腔室排气通道。这些气体喷射器设置在该基板传输通道之上，并且设置在该下部腔室排气通道和该一个或多个上部腔室排气通道对面。

技术研发人员：石川哲也,斯瓦米纳坦·T·斯里尼瓦桑,卡蒂克·布彭德拉·仙,阿拉·莫拉迪亚,曼朱纳特·苏班纳,马蒂亚斯·鲍尔,彼得·赖默,迈克尔·R·赖斯
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16