1.一种参数确定装置，其计算出用于在基板上成膜外延膜的外延生长装置的一个或多个参数的每一个的最佳值，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的参数确定装置，其特征在于，所述响应函数是一次函数。
3.根据权利要求1所述的参数确定装置，其特征在于，所述特性是所述外延膜的膜厚、生长速度、比电阻值、平坦度、边缘平坦度、背面沉积厚度、粗糙度、雾度中的任意一个。
4.根据权利要求1所述的参数确定装置，其特征在于，所述参数是工艺参数，是载气、硅源气体等气体流量、晶圆温度、灯加热平衡、气体流量的平衡、基座的旋转速度、基座的高度中的至少一个。
5.根据权利要求1所述的参数确定装置，其特征在于，所述位置是距基板的中心点的距离、距圆盘状基板边缘的距离、圆盘状基板的圆周方向的角度或者其组合中的任意一个。
6.根据权利要求1所述的参数确定装置，其特征在于，所述参数是硬件设计参数，是基座设计中凹穴的高度以及凹穴壁到晶圆边缘的距离，所述特性是晶圆边缘的膜厚。
7.根据权利要求1所述的参数确定装置，其特征在于，所述参数是硬件设计参数，是外延生长装置中形成气体流的空间高度，所述特性是所述外延膜的膜厚。
8.根据权利要求1所述的参数确定装置，其特征在于，所述参数是硬件设计参数，是加热灯用反射器的斜率，所述特性是所述外延膜的膜厚。
9.根据权利要求1所述的参数确定装置，其特征在于，还具备：
10.一种参数确定方法，其计算出用于在基板上成膜外延膜的外延生长装置的一个或多个参数的每一个的最佳值，其特征在于，具备以下步骤：
11.一种参数确定程序，其计算出用于在基板上成膜外延膜的外延生长装置的一个或多个参数的每一个的最佳值，其特征在于，使计算机实现以下单元：