制造窗的方法、窗和显示装置与流程

本文中的公开涉及一种可以包括执行多次离子交换强化的制造窗的方法、由此制造的窗和包括窗的显示装置。

背景技术：

1、显示装置响应于电信号而激活，并且包括窗、外壳和电子元件。电子元件可以包括响应于电信号而激活的诸如显示元件、触摸元件或检测元件的各种类型的元件。

2、窗设置在显示装置的前侧，以保护电子元件并且向用户提供有源区域。电子元件可以经由窗被稳定地保护免受外部冲击。因此，正在研究一种强化窗以表现出优异强度的方法。

3、将理解的是，背景技术部分部分地旨在为理解该技术提供有用的背景。然而，该背景技术部分也可以包括不属于由相关领域技术人员在本文中公开的主题的相应有效申请日期之前已知或理解的内容的想法、概念或认识。

技术实现思路

1、本公开提供了一种表现出改善的强度的窗以及制造窗的方法。

2、本公开也提供了一种包括具有表现出改善的强度的窗的显示装置。

3、实施例可以提供一种制造窗的方法，所述方法可以包括：制备包括li+离子和na+离子的第一初步玻璃基底；将包括na+离子的第一强化熔融盐提供到所述第一初步玻璃基底上，并且形成第二初步玻璃基底；将包括rb+离子的第二强化熔融盐提供到所述第二初步玻璃基底上，并且形成第三初步玻璃基底；以及将包括k+离子的第三强化熔融盐提供到所述第三初步玻璃基底上，并且形成强化玻璃基底。

4、在实施例中，所述第一强化熔融盐可以包括nano3。

5、在实施例中，所述第二强化熔融盐可以包括na+离子。

6、在实施例中，相对于所述第二强化熔融盐的总阳离子浓度，所述na+离子可以以在大约60％至大约90％的范围内的比例存在，并且所述rb+离子可以以在大约10％至大约40％的范围内的比例存在。

7、在实施例中，所述第三强化熔融盐可以包括rb+离子。

8、在实施例中，相对于所述第三强化熔融盐的总阳离子浓度，所述k+离子可以以在大约60％至大约90％的范围内的比例存在，并且所述rb+离子可以以在大约10％至大约40％的范围内的比例存在。

9、在实施例中，在所述第二初步玻璃基底的所述形成中，可以在大约380℃至大约420℃的范围内的温度下提供所述第一强化熔融盐大约30分钟至大约3小时的范围内的时间。

10、在实施例中，在所述第三初步玻璃基底的所述形成中，可以在大约380℃至大约420℃的范围内的温度下提供所述第二强化熔融盐大约30分钟至大约3小时的范围内的时间。

11、在实施例中，在所述强化玻璃基底的所述形成中，可以在大约380℃至大约450℃的范围内的温度下提供所述第三强化熔融盐大约10分钟至大约2小时的范围内的时间。

12、在实施例中，所述强化玻璃基底可以包括具有经由astm c770-16的方法测量的大约1400mpa或更小的压缩应力的压缩应力层，并且所述压缩应力层可以具有在大约90μm至大约130μm的范围内的厚度。

13、在实施例中，根据实施例的制造窗的所述方法还可以包括：在所述强化玻璃基底的所述形成之后，形成在平面图中与所述强化玻璃基底的一部分重叠的印刷层。

14、在实施例中，一种窗可以包括包含na+离子、k+离子和rb+离子的强化玻璃基底。所述强化玻璃基底可以包括：基体层，具有零的压缩应力值；以及压缩应力层，设置在所述基体层的上表面和下表面中的至少一者上。所述压缩应力层可以包括：第一区域，具有第一压缩应力变化率；第二区域，具有小于所述第一压缩应力变化率的第二压缩应力变化率；以及第三区域，具有小于所述第二压缩应力变化率的第三压缩应力变化率。所述第一压缩应力变化率、所述第二压缩应力变化率和所述第三压缩应力变化率中的每一者是根据相对于厚度方向的深度的压缩应力变化率。相对于所述厚度方向，从所述强化玻璃基底的表面到所述第一区域和所述第二区域之间的边界的最小深度在大约5μm至大约15μm的范围内，相对于所述厚度方向，从所述强化玻璃基底的所述表面到所述第二区域和所述第三区域之间的边界的最小深度在大约20μm至大约40μm的范围内，并且所述压缩应力层具有在大约100μm至大约130μm的范围内的厚度。

15、在实施例中，所述第一区域可以与所述基体层间隔开，且所述第二区域和所述第三区域设置在所述第一区域和所述基体层之间。

16、在实施例中，相对于所述强化玻璃基底的总厚度的100％，所述压缩应力层可以具有在大约13％至大约25％的范围内的厚度。

17、在实施例中，所述强化玻璃基底可以具有在大约500μm至大约700μm的范围内的厚度。

18、在实施例中，所述第一区域的上表面可以限定所述强化玻璃基底的所述表面。在所述表面上经由astm c770-16的方法测量的压缩应力的最大值可以在大约1000mpa至大约1400mpa的范围内。

19、在实施例中，在所述第二区域和所述第三区域之间的所述边界处经由astm c770-16的方法测量的压缩应力可以为大约140mpa或更大。

20、在实施例中，在相对于所述厚度方向从所述强化玻璃基底的所述表面起的大约30μm的深度处经由astm c770-16的方法测量的压缩应力可以为大约140mpa或更大。

21、在实施例中，在相对于所述厚度方向从所述强化玻璃基底的所述表面起的大约50μm的深度处经由astm c770-16的方法测量的压缩应力可以为大约80mpa或更大。

22、在实施例中，一种显示装置可以包括：显示模块；以及窗，设置在所述显示模块上并且包括压缩应力层。所述压缩应力层可以包括：第一区域，具有第一压缩应力变化率；第二区域，具有不同于所述第一压缩应力变化率的第二压缩应力变化率；以及第三区域，具有不同于所述第一压缩应力变化率和所述第二压缩应力变化率的第三压缩应力变化率，并且所述第一压缩应力变化率、所述第二压缩应力变化率和所述第三压缩应力变化率中的每一者是根据相对于厚度方向的深度的压缩应力变化率。相对于所述厚度方向，从所述窗的表面到所述第一区域和所述第二区域之间的边界的最小深度在大约5μm至大约15μm的范围内，相对于所述厚度方向，从所述窗的所述表面到所述第二区域和所述第三区域之间的边界的最小深度在大约20μm至大约40μm的范围内，并且所述压缩应力层具有在大约100μm至大约130μm的范围内的厚度。

技术特征：

1.一种制造窗的方法，其中，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一强化熔融盐包括nano3。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二强化熔融盐包括na+离子。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第三强化熔融盐包括rb+离子。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第二初步玻璃基底的所述形成中，在380℃至420℃的范围内的温度下提供所述第一强化熔融盐30分钟至3小时的范围内的时间。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第三初步玻璃基底的所述形成中，在380℃至420℃的范围内的温度下提供所述第二强化熔融盐30分钟至3小时的范围内的时间。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述强化玻璃基底的所述形成中，在380℃至450℃的范围内的温度下提供所述第三强化熔融盐10分钟至2小时的范围内的时间。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：

12.一种窗，其中，所述窗包括：

13.根据权利要求12所述的窗，其中，所述第一区域与所述基体层间隔开，且所述第二区域和所述第三区域设置在所述第一区域和所述基体层之间。

14.根据权利要求12所述的窗，其中，相对于所述强化玻璃基底的总厚度的100％，所述压缩应力层具有在13％至25％的范围内的厚度。

15.根据权利要求12所述的窗，其中，所述强化玻璃基底具有在500μm至700μm的范围内的厚度。

16.根据权利要求12所述的窗，其中，

17.根据权利要求12所述的窗，其中，在所述第二区域和所述第三区域之间的所述边界处经由astm c770-16的方法测量的压缩应力为140mpa或更大。

18.根据权利要求12所述的窗，其中，在相对于所述厚度方向从所述强化玻璃基底的所述表面起的30μm的深度处经由astm c770-16的方法测量的压缩应力为140mpa或更大。

19.根据权利要求12所述的窗，其中，在相对于所述厚度方向从所述强化玻璃基底的所述表面起的50μm的深度处经由astm c770-16的方法测量的压缩应力为80mpa或更大。

20.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：

技术总结
提供了一种制造窗的方法、一种窗以及一种显示装置。所述方法包括：制备包括Li<supgt;+</supgt;离子和Na<supgt;+</supgt;离子的第一初步玻璃基底；将包括Na<supgt;+</supgt;离子的第一强化熔融盐提供到所述第一初步玻璃基底上，并且形成第二初步玻璃基底；将包括Rb<supgt;+</supgt;离子的第二强化熔融盐提供到所述第二初步玻璃基底上，并且形成第三初步玻璃基底；以及将包括K<supgt;+</supgt;离子的第三强化熔融盐提供到所述第三初步玻璃基底上，并且形成强化玻璃基底。

技术研发人员：白元种,安泰镐
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/31