基板的制造方法与流程

本揭露是关于一种基板的制造方法。

背景技术：

1、随着半导体技术进展，已持续需要较高储存容量、更快处理系统、较高效能及较低成本。为了满足这些需求，半导体行业继续按比例缩小半导体装置，诸如包括平面金属氧化物半导体场效晶体管及鳍片场效晶体管的金属氧化物半导体场效晶体管的尺寸。此按比例缩小已增大了半导体制造工艺的复杂性，且已使得工艺及装置对于下伏材料为更敏感的。

技术实现思路

1、于一些实施方式中，一种基板的制造方法包括：通过以一拉动速率v自一熔融晶体拉动一固态晶体而自熔融晶体形成一晶体铸块，晶体铸块具有一中心区及一外部外径；在形成晶体铸块同时，调整拉动速率v与一轴向温度梯度g的一比率，其中调整拉动速率v与轴向温度梯度g的一比率(比率v/g)的步骤调整形成于外部外径处的多个自填隙缺陷及形成于中心区中的多个空位缺陷的特性；自晶体铸块的富空位的一区选择多个晶圆；自晶体铸块的富空位区切割多个富空位的半导体晶圆。

2、于一些实施方式中，一种基板的制造方法包括：自一组半导体晶圆识别多个富空位半导体晶圆；施加一退火工艺至多个富空位半导体晶圆；执行一氮化操作，氮化操作将多个富空位半导体晶圆暴露至氮气；在经退火的多个富空位半导体晶圆上磊晶生长氮化镓。

3、于一些实施方式中，一种基板的制造方法包括：通过以一拉动速率v自一熔融晶体拉动一固态晶体而自熔融晶体形成一晶体铸块，晶体铸块具有一中心区及一外部外径；在形成晶体铸块同时，调整拉动速率v与一轴向温度梯度g的一比率，其中调整拉动速率v与轴向温度梯度g的一比率(比率v/g)控制形成于外部外径处的多个自填隙缺陷及形成于中心区中的多个空位缺陷；判定晶体铸块的富空位的一区；自晶体铸块的富空位区切割多个富空位晶圆；相对于一组选择准则评估多个富空位晶圆。

技术特征：

1.一种基板的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：

2.如权利要求1所述的基板的制造方法，其特征在于，其中形成该晶体铸块的步骤包含形成一硅晶体铸块的步骤，且其中切割多个富空位半导体晶圆的步骤包含切割多个富空位硅晶圆的步骤。

3.如权利要求1所述的基板的制造方法，其特征在于，其中所述多个自填隙缺陷且空位缺陷的特性包含自填隙及空位缺陷的一数目、自填隙及空位缺陷的一密度以及自填隙及空位缺陷的一分布中的一或多者。

4.如权利要求1所述的基板的制造方法，其特征在于，其中拉动该固态晶体的步骤包含拉动适合于制造多个半导体装置的一固态晶体的步骤，所述多个半导体装置包含硅、锗、多个化合物半导体及多个合金半导体中的一或多者。

5.一种基板的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：

6.如权利要求5所述的基板的制造方法，其特征在于，其中施加该退火工艺的步骤包含执行一热操作的步骤，该热操作将所述多个富空位半导体晶圆暴露至高于约1200℃的多个温度。

7.如权利要求5所述的基板的制造方法，其特征在于，进一步包含以下步骤：在该退火工艺之后，评估所述多个富空位半导体晶圆的一热导率。

8.如权利要求5所述的基板的制造方法，其特征在于，其中识别所述多个富空位半导体晶圆的步骤包含通过产生绘示氧化诱发的堆叠故障的一轮廓的一晶圆图来评估该组半导体晶圆的一空位密度。

9.一种基板的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：

10.如权利要求9所述的基板的制造方法，其特征在于，其中评估所述多个富空位晶圆的步骤包含分析所述多个富空位晶圆的多个边缘周围一或多个氧化诱发的堆叠故障环的一影像。

技术总结
描述一种基板的制造方法。一种制造工艺以在为磊晶层形成作准备中评估并选择多个原始半导体晶圆。该制造工艺首先产生一单一晶体铸块，在该操作期间，紧密地控制一晶种拉动速率及温度梯度。该所得铸块为富空位的但具有相对少的自填隙缺陷。多个所选择晶圆可进展至一高温氮化退火操作，该高温氮化退火操作进一步减小填隙的数目同时增大空位。由一高空位密度表征的多个基板可接着用以使一磊晶层沉积工艺最佳化。

技术研发人员：陈步芳,陈京玉
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/29