一种瓷片及其制备方法与流程

本申请涉及建筑陶瓷生产，尤其涉及一种瓷片及其制备方法。

背景技术：

1、瓷片是指表面具有釉面层的瓷质砖，多采用两次烧工艺，即高温素烧和低温釉烧而制成，且成品瓷片的吸水率一般为16％-19％。对于大多数的瓷片来说，釉面厚度一般比其他砖的釉面更厚，这主要是因为瓷片多用于铺贴在厨房、卫生间的墙上，需要使用较厚的釉面来防污。然而，较厚的釉面在进行烧成后，内质强度较低，若坯釉匹配性不好，使用后还容易出现后期龟裂的现象。同时，因为瓷片的吸水率相对较大，在吸湿膨胀变大之后，也容易出现龟裂问题。

2、因此，急需制备一种新的瓷片，来解决目前瓷片中存在的釉层过厚、强度较低、吸水率较高、容易出现龟裂等问题。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种瓷片及其制备方法，通过对坯体原料配方的调试，降低了坯体的烧成温度，进而降低了素坯的吸水率，保证釉料能快速干水，降低了施釉量的同时，依然能保证釉面的平整度。

2、为实现以上目的，本申请的技术方案如下：

3、本申请提供一种瓷片，包括坯体层、底釉层和面釉层；

4、所述坯体层的原料，按质量百分比为100％计，包括：石灰石5％-10％、硅灰石2％-8％、黑滑石1％-5％、白泥5％-10％、黑泥5％-10％、膨润土5％-10％、中温沙25％-35％、高温砂20％-30％和瓷片废料10％-15％。

5、优选地，所述坯体层的原料还包括解胶剂，所述解胶剂的质量为所述坯体层原料总质量的0.5％-1％。

6、优选地，所述坯体层的化学成分，按质量百分比为100％计，包括：sio260％-66％、al2o315.5％-16.5％、fe2o32％-2.5％、cao6％-8％、mgo0.7％-1.2％、k2o2％-3％、na2o≤1％、tio2≤0.8％，烧失6％-9％。

7、优选地，所述底釉层的化学成分，按质量百分比为100％计，包括：sio253％-63％、al2o35％-10％、fe2o30.1％-0.5％、cao10％-15％、mgo1％-3％、k2o3％-5％、na2o0.5％-1％、tio20.01％-0.03％、zro21％-3％、zno4％-6％，烧失1％-2％；

8、所述面釉层的化学成分，按质量百分比为100％计，包括：sio253％-63％、al2o35％-10％、fe2o30.1％-0.5％、cao10％-15％、mgo1％-3％、k2o3％-5％、na2o0.5％-1％、tio20.01％-0.03％、zro21％-3％、zno4％-6％，烧失1％-2％。优选地，所述坯体层的厚度为8.9mm-9.4mm，所述底釉层的厚度为0.08mm-0.12mm，所述面釉层的厚度为0.12mm-0.2mm。

9、本申请还提供了一种上述瓷片的制备方法，包括：

10、将所述坯体层的原料球磨制浆、喷雾造粒，压制形成坯体，进行素烧，得到素坯；

11、对所述素坯表面进行抛坯处理，再依次布施底釉釉浆和面釉釉浆，入窑烧成，得到所述瓷片。

12、优选地，所述球磨制浆包括：将所述坯体层的原料预磨8h-10h，检测浆料的细度，若所述细度为3.1％-3.7％，则停止球磨，再进行放浆、除铁、过筛、陈腐；若所述细度超过3.7％，则继续进行球磨。

13、优选地，所述制备方法满足以下条件中的至少一个：

14、a.所述球磨制浆得到的浆料比重为1.68-1.70；

15、b.所述压制使用的压制模具的胶硬度为93a-95a，胶厚度≤1mm；

16、c.所述压制使用的压机压力为28000kn-32000kn；

17、d.所述压制形成的坯体厚度为8.9mm-9.4mm；

18、e.所述底釉釉浆和所述面釉釉浆的布施方式包括喷釉和淋釉中的至少一种；

19、f.所述底釉釉浆的淋釉量为250mm*330mm托盘50g-55g；

20、g.所述面釉釉浆的淋釉量为250mm*330mm托盘68g-70g；

21、h.所述面釉釉浆布施结束后还包括印花处理，所述印花包括：贴花、丝网、滚筒、喷墨中的至少一种。

22、优选地，所述素烧的温度为1000℃-1020℃，时间为28min-32min；

23、所述入窑烧制的温度为1010℃-1020℃，时间为29min-33min。

24、优选地，所述入窑烧成结束后，还包括：抛光、磨边、分选，包装入库。

25、本申请的有益效果：

26、本申请的瓷片通过调整坯体层的配方原料，尤其是提高了坯体配方中含镁物质的含量，同时降低了含钙物质的用量，降低了坯体的素烧温度，降低了坯体层的吸水率，提高了坯体的强度，同时还能提高釉料的干釉速度，进而降低了成品瓷片的吸水率，提高瓷片强度，大大降低了后期发生龟裂的风险。

27、本申请瓷片的制备方法中，工艺简单，烧成周期短，生产效率高，可用于大规模生产制备。

技术特征：

1.一种瓷片，其特征在于，包括坯体层、底釉层和面釉层；

2.如权利要求1所述的瓷片，其特征在于，所述坯体层的原料还包括解胶剂，所述解胶剂的质量为所述坯体层的原料总质量的0.5％-1％。

3.如权利要求1所述的瓷片，其特征在于，所述坯体层的化学成分，按质量百分比为100％计，包括：sio260％-66％、al2o315.5％-16.5％、fe2o32％-2.5％、cao6％-8％、mgo0.7％-1.2％、k2o2％-3％、na2o≤1％、tio2≤0.8％，烧失6％-9％。

4.如权利要求1所述的瓷片，其特征在于，所述底釉层的化学成分，按质量百分比为100％计，包括：sio253％-63％、al2o35％-10％、fe2o30.1％-0.5％、cao10％-15％、mgo1％-3％、k2o3％-5％、na2o0.5％-1％、tio20.01％-0.03％、zro21％-3％、zno4％-6％，烧失1％-2％；

5.如权利要求1-4任一项所述的瓷片，其特征在于，所述坯体层的厚度为8.9mm-9.4mm，所述底釉层的厚度为0.08mm-0.12mm，所述面釉层的厚度为0.12mm-0.2mm。

6.一种如权利要求1-5任一项所述的瓷片的制备方法，其特征在于，包括：

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述球磨制浆包括：

8.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，满足以下条件中的至少一个：

9.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述素烧的温度为1000℃-1020℃，时间为28min-32min；

10.如权利要求6-9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述入窑烧制结束后，还包括：抛光、磨边、分选，包装入库。

技术总结
本申请提供一种瓷片及其制备方法，涉及建筑陶瓷生产技术领域。该瓷片，包括坯体层、底釉层和面釉层；其中，坯体层的原料，按质量百分比为100％计，包括：石灰石5％‑10％、硅灰石2％‑8％、黑滑石1％‑5％、白泥5％‑10％、黑泥5％‑10％、膨润土5％‑10％、中温沙25％‑35％、高温砂20％‑30％和瓷片废料10％‑15％。瓷片的制备方法包括：将坯体层的原料球磨制浆、喷雾造粒，压制形成坯体，进行素烧，得到素坯；对素坯表面进行抛坯处理，再依次布施底釉和面釉，入窑烧成，得到瓷片。本申请通过调整坯体的配方，降低了素烧温度，降低了素坯的吸水率，提高了坯体的强度，进而制备得到吸水率低、强度高的瓷片。

技术研发人员：程智强,徐景临,江涛,徐天放,胡晓飞
受保护的技术使用者：景德镇欧神诺陶瓷有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/5