本发明属于化工,具体涉及一种纯化三氟化硼的方法。
背景技术:
1、全球半导体用电子气体市场中,空气化工、林德集团、液化空气和大阳日酸四大公司控制着全球90%以上的市场份额,形成寡头垄断的局面。
2、三氟化硼可用于工业生产中,如有机反应催化剂(酯化、烷基化、聚合、异构化、磺化、硝化等),是最重要的原材料之一。也可用于半导体领域生产中,在电子产品制程中广泛应用于薄膜、刻蚀、掺杂、气相沉积、扩散等工艺,是集成电路、液晶面板、led及光伏等材料的“粮食”和“源”。
3、在微电子及光电子器件制备过程中,从单个生成到最后器件的组装,几乎每一步、每一个环节都离不开
4、电子气体,电子气体的质量也决定着半导体器件性能的优劣,电子气体纯度每提高一个等级,就会使半导体器件质量飞跃等,以实验室中所用的99.9%(质量分数)bf3气体为例,所含主要杂质为o2、n2、co2、sif4、hf等。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种纯化操作简单,用的成本较少且纯化效率高的纯化三氟化硼的方法。
2、为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:
3、一种纯化三氟化硼的方法,包括以下步骤:
4、s1、将粗品三氟化硼气体先通过分子筛除去杂质气体;
5、s2、用改性的吸附剂除去hf杂质气体;
6、s3、再用冷阱除去轻组分气体;
7、s4、最后用低温精馏除去sif4杂质气体。
8、优选的,s1中所述分子筛为zsm-5分子筛,分子筛除去的杂质气体包括co2和so2,分子筛除去的杂质气体的温度控制在-65~-100℃范围内,粗品三氟化硼气体流量为500ml-1000ml/min。
9、优选的,s2中吸附除去hf杂质气体所用吸附剂为改性的硅铝酸盐分子筛吸附剂,吸附温度控制在28~32℃,压力为0.18~0.22mpa,吸附流量为0.15l/min。
10、优选的,s3中轻组分气体包括o2、n2和co2,冷阱温度控制在-150~-200℃,压力控制在-0.02~-0.05mpa。
11、优选的,s4中所述低温精馏,温度为-15℃~-5℃,脱轻塔压力0.4~0.6mpa,脱重塔压力0.2~0.3mpa。
12、优选的,改性的硅铝酸盐分子筛吸附剂的制备方法为:将质量比1:10的0.5mol/l硅酸盐溶液与3a分子筛加入到同一反应容器中,搅拌、加热10~100℃并保持1-2小时,然后向该反应容器中逐渐滴入1mol/l的盐酸,直至该反应容器中液体的ph值≤7,则取出该反应容器中的结晶物,并对所述结晶物进行洗涤和干燥,从而即可制得。
13、本发明与现有技术相比具有以下优点:
14、本发明采用吸附与精馏的结合,来对粗品三氟化硼进行纯化。该方法操作简单,产品纯度可以达到99.9995%。
15、本发明在纯化操作简单,用的成本较少且纯化效率高。
16、下面通过实施例对本发明的技术方案作进一步的详细说明。
1.一种纯化三氟化硼的方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种纯化三氟化硼的方法,其特征在于,s1中所述分子筛为zsm-5分子筛,分子筛除去的杂质气体包括co2和so2,分子筛除去的杂质气体的温度控制在-65~-100℃范围内,粗品三氟化硼气体流量为500ml-1000ml/min。
3.根据权利要求1所述的一种纯化三氟化硼的方法,其特征在于,s2中吸附除去hf杂质气体所用吸附剂为改性的硅铝酸盐分子筛吸附剂,吸附温度控制在28~32℃,压力为0.18~0.22mpa,吸附流量为0.15l/min。
4.根据权利要求1所述的一种纯化三氟化硼的方法,其特征在于,s3中轻组分气体包括o2、n2和co2,冷阱温度控制在-150~-200℃,压力控制在-0.02~-0.05mpa。
5.根据权利要求1所述的一种纯化三氟化硼的方法,其特征在于,s4中所述低温精馏,温度为-15℃~-5℃,脱轻塔压力0.4~0.6mpa,脱重塔压力0.2~0.3mpa。
6.根据权利要求3所述的一种纯化三氟化硼的方法,其特征在于,改性的硅铝酸盐分子筛吸附剂的制备方法为:将质量比1:10的0.5mol/l硅酸盐溶液与3a分子筛加入到同一反应容器中,搅拌、加热10~100℃并保持1-2小时,然后向该反应容器中逐渐滴入1mol/l的盐酸,直至该反应容器中液体的ph值≤7,则取出该反应容器中的结晶物,并对所述结晶物进行洗涤和干燥,从而即可制得。