晶体直拉生长控制方法、装置、设备及存储介质与流程

本技术涉及晶体生长的，尤其是涉及一种晶体直拉生长控制方法、装置、设备及存储介质。

背景技术：

1、晶体直拉生长控制方法是利用籽晶从熔体内拉出单晶的方法。电子学和光学等现代技术所用的单晶，如硅、锗、砷化镓、磷化镓、磷化铟、红宝石、白宝石、钇铝石榴石、尖晶石以及某些碱金属和碱土金属的卤化物等单晶都可以用直拉法生长。

2、直拉生长的过程中需要首先将原料装在坩蜗内加热熔化，继而将一个切成特定晶向的籽晶的端部浸入溶体并使其略有熔化；然后控制温度并缓慢地将籽晶旋转并沿垂直方向提升，拉出的液体固化为单晶。在直拉生长过程中需要对晶体直径进行控制，常见的控制方法是采用视觉识别的方法对固液界面处的弯月面的高度和角度进行识别，判断当前晶体生长温度是否合适，晶体直径处于变大还是缩小过程，从而对温度或者加热功率进行调节。

3、在实现本技术的过程中，发明人发现该技术中至少存在如下问题：在对晶体直拉生长进行控制的过程中，通常会采用摄像头对晶体的生长进程进行拍摄识别；但是摄像头在进行拍摄时，由于拍摄角度或环境等外在因素的影响，可能会出现拍摄获得的图片清晰度不足，影响直拉生长的控制进程，进而降低晶体生长的质量。

技术实现思路

1、为了有助于提高直拉生长的控制效果及晶体生长的质量，本技术提供的一种晶体直拉生长控制方法、装置、设备及存储介质。

2、第一方面，本技术提供一种晶体直拉生长控制方法，采用如下的技术方案：所述方法应用于直拉控制系统，所述直拉控制系统包括用于对坩蜗内晶体区域进行拍摄的标准摄像单元和辅助摄像单元；所述方法包括：

3、在获取到标准摄像单元拍摄的标准检测图像以及辅助摄像单元拍摄的辅助检测图像时，将所述标准检测图像和辅助检测图像进行相似度比对；

4、若所述标准检测图像和辅助检测图像之间的相似度大于预设的标准值，则将所述标准检测图像设定为最终图像；

5、若所述标准检测图像和辅助检测图像之间的相似度不大于预设的标准值，则将标准检测图像和辅助检测图像进行清晰度比对；

6、根据清晰度高的检测图像生成最终图像。

7、通过上述技术方案，在获取晶体的图像时，分别同时利用标准摄像单元和辅助摄像单元对晶体区域进行拍摄，也即自不同的角度及位置对晶体进行拍摄，继而针对拍摄获取到的标准检测图像和辅助检测图像，按照相似度及清晰度的情况选择标准检测图像或者辅助检测图像做为最终图像；从而减少了标准摄像单元受拍摄角度或环境等外在因素的影响，出现拍摄获得的晶体区域图片的清晰度不足的可能，提升了晶体拍摄图像的质量，从而提升了直拉生长的控制精度以及晶体的生长质量。

8、在一个具体的可实施方案中，所述根据清晰度高的检测图像生成最终图像包括：

9、若标准检测图像的清晰度大于辅助检测图像，则将标准检测图像设定为最终图像；

10、若标准检测图像的清晰度不大于辅助检测图像，则截取辅助检测图像中晶体区域的辅助晶体图像以及标准检测图像中晶体区域的标准晶体图像；将标准检测图像中的标准晶体图像替换为辅助晶体图像，将替换后的标准检测图像设定为最终图像。

11、在一个具体的可实施方案中，所述将标准检测图像设定为最终图像包括：

12、识别标准检测图像中晶体区域之外的标准环境区域图像的清晰度；

13、若所述标准环境区域图像的清晰度大于预设的标准清晰度，则将标准检测图像设定为最终图像；

14、若所述标准环境区域图像的清晰度不大于预设的标准清晰度，则获取前一个最终图像；

15、截取前一个最终图像中晶体区域之外的历史环境区域图像，将标准检测图像中的标准环境区域图像替换为历史环境区域图像；

16、将替换后得到的标准检测图像设定为最终图像。

17、在一个具体的可实施方案中，所述截取辅助检测图像中晶体区域的辅助晶体图像以及标准检测图像中晶体区域的标准晶体图像包括：

18、识别辅助检测图像的清晰度；

19、若所述辅助检测图像的清晰度不低于预设的合格值，则截取辅助检测图像中晶体区域的辅助晶体图像以及标准检测图像中晶体区域的标准晶体图像；

20、若所述辅助检测图像的清晰度低于预设的合格值，则控制所述标准摄像单元和辅助摄像单元重新拍摄获取标准检测图像及辅助检测图像。

21、在一个具体的可实施方案中，在所述将标准检测图像和辅助检测图像进行清晰度比对之后，还包括：

22、若标准检测图像的清晰度不大于辅助检测图像，则纪录标准检测图像的清晰度不大于辅助检测图像的异常次数；

23、若所述异常次数大于预设的触发值，则将所述辅助摄像单元调整为标准摄像单元，将所述标准摄像单元调整为辅助摄像单元。

24、在一个具体的可实施方案中，在所述纪录标准检测图像的清晰度不大于辅助检测图像的异常次数之后，还包括：

25、当异常次数连续累计达到两倍的所述触发值时，判定标准摄像单元及辅助摄像单元均异常，并输出与标准摄像单元及辅助摄像单元设备异常相关的报警信息。

26、在一个具体的可实施方案中，在所述将所述标准摄像单元调整为辅助摄像单元之后，还包括：

27、记录将所述标准摄像单元调整为辅助摄像单元的调整次数；

28、若所述调整次数大于预设的调整值，则输出与标准摄像单元及辅助摄像单元位置异常相关的提醒信息。

29、第二方面，本技术提供一种晶体直拉生长控制装置，采用如下技术方案：所述装置应用于直拉控制系统，所述直拉控制系统包括用于对坩蜗内晶体区域进行拍摄的标准摄像单元和辅助摄像单元；所述装置包括：

30、检测图像获取模块，用于在获取到标准摄像单元拍摄的标准检测图像以及辅助摄像单元拍摄的辅助检测图像时，将所述标准检测图像和辅助检测图像进行相似度比对；

31、最终图像设定模块，用于若所述标准检测图像和辅助检测图像之间的相似度大于预设的标准值，则将所述标准检测图像设定为最终图像；

32、清晰度比对模块，用于若所述标准检测图像和辅助检测图像之间的相似度不大于预设的标准值，将标准检测图像和辅助检测图像进行清晰度比对；

33、最终图像生成模块，用于根据清晰度高的检测图像生成最终图像。

34、第三方面，本技术提供一种计算机设备，采用如下技术方案：包括存储器和处理器，所述存储器上存储有能够被处理器加载并执行如上述任一种晶体直拉生长控制方法的计算机程序。

35、第四方面，本技术提供一种计算机可读存储介质，采用如下技术方案：存储有能够被处理器加载并执行上述任一种晶体直拉生长控制方法的计算机程序。

36、综上所述，本技术具有以下有益技术效果：

37、在获取晶体的图像时，分别同时利用标准摄像单元和辅助摄像单元对晶体区域进行拍摄，也即自不同的角度及位置对晶体进行拍摄，继而针对拍摄获取到的标准检测图像和辅助检测图像，按照相似度及清晰度的情况选择标准检测图像或者辅助检测图像做为最终图像；从而减少了标准摄像单元受拍摄角度或环境等外在因素的影响，出现拍摄获得的晶体区域图片的清晰度不足的可能，提升了晶体拍摄图像的质量，从而提升了直拉生长的控制精度以及晶体的生长质量。