1.一种硅酸铋晶体压电切型，其特征在于，所述硅酸铋晶体的化学式为bi12sio20，结晶于立方晶系，物理坐标轴x、y和z轴分别平行于晶体学坐标轴a、b和c轴，物理学坐标轴x、y和z轴相互垂直并遵循右手螺旋法则；晶片样品的厚度、长度和宽度方向分别记为t、l和w；所述压电切型选自以下任一种：
2.如权利要求1所述的硅酸铋晶体压电切型，其特征在于，所述选项(a)中，α＝45°，β＝55°，纵向伸缩振动模式d11＝27.3pc/n。
3.如权利要求1所述的硅酸铋晶体压电切型，其特征在于，所述选项(b)中，β＝45°，γ＝55°，纵向伸缩振动模式d22＝27.3pc/n。
4.如权利要求1所述的硅酸铋晶体压电切型，其特征在于，所述选项(c)中，γ＝45°，厚度切变振动模式d15＝47.2pc/n。
5.如权利要求1所述的硅酸铋晶体压电切型，其特征在于，所述选项(d)中，β＝45°，厚度切变振动模式d34＝47.2pc/n。
6.如权利要求1所述的硅酸铋晶体压电切型，其特征在于，将所述(xytl)α/β切型或(yztl)β/γ切型加工成圆环形晶片。
7.如权利要求1所述的硅酸铋晶体压电切型，其特征在于，将所述(xzl)γ切型或(zyl)β切型加工成方片异形状晶片，所述方片异形状为中间具有圆孔的方片。
8.如权利要求1～7任一项所述的硅酸铋晶体压电切型的应用，其特征在于，所述应用为将所述硅酸铋晶体压电切型应用于高温压电振动传感领域。
9.如权利要求8所述的应用，其特征在于，所述应用为将所述硅酸铋晶体压电切型用于压缩式或剪切式高温压电振动加速度计元器件中。
10.如权利要求9所述的应用，其特征在于，所述压缩式或剪切式高温压电振动加速度计元器件在25～650℃温度范围内的输出灵敏度变化率为5～8％。