去除碳纳米管表面共轭聚合物材料的方法与流程

本发明涉及碳纳米管表面分子去除，尤其涉及一种去除碳纳米管表面共轭聚合物材料的方法。

背景技术：

1、现有技术中通过直接退火或者通过例如tfa的可降解分子对碳纳米管表面有机分散剂进行去除，然而，在通过直接退火方式去除碳纳米管表面有机分散剂的过程中，存在没法去除干净的问题；在通过例如tfa的可降解分子去除碳纳米管表面有机分散剂的过程中，会出现在降解过程中会破坏碳纳米管薄膜形貌的问题。

技术实现思路

1、本发明意在提供一种去除碳纳米管表面共轭聚合物材料的方法，以解决现有技术中存在的不足，本发明要解决的技术问题通过以下技术方案来实现。

2、本发明提供的去除碳纳米管表面共轭聚合物材料的方法，包括以下步骤：

3、对表面具有共轭聚合物材料的碳纳米管在保护气氛下进行退火处理，使得制备碳纳米管过程中共轭聚合物材料的主链与碳纳米管之间形成的碳碳双键断裂，以去除部分共轭聚合物材料；

4、采用溶剂对经过退火处理的碳纳米管进行旋转冲洗；

5、对经过冲洗的碳纳米管在保护气氛下再次进行退火处理。

6、在上述的方案中，所述方法还包括以下步骤：

7、采用溶剂对经过再次退火处理的碳纳米管进行旋转冲洗；

8、重复以上步骤，直至碳纳米管表面的所有共轭聚合物材料被去除。

9、在上述的方案中，所述共轭聚合物材料的主链为咔唑、芴、噻吩、吡啶或联吡啶。

10、在上述的方案中，所述保护气氛采用氮气、氩气或两者的混合。

11、在上述的方案中，在保护气氛下进行退火处理时的温度为400-800度。

12、在上述的方案中，在保护气氛下进行退火处理时的退火时间为5～200分钟。

13、在上述的方案中，所述溶剂为有机溶剂或水。

14、在上述的方案中，所述有机溶剂包括乙醇和四氢呋喃。

15、在上述的方案中，旋转冲洗时的转速为200rpm-6000rpm。

16、在上述的方案中，旋转冲洗时间为10分钟。

17、本发明包括以下优点：

18、本发明提供的去除碳纳米管表面共轭聚合物材料的方法，对表面具有共轭聚合物材料的碳纳米管在保护气氛下进行退火处理，能够使得制备碳纳米管过程中共轭聚合物材料的主链与碳纳米管之间形成的碳碳双键断裂，从而达到去除碳纳米管表面的共轭聚合物材料的效果；再采用溶剂对经过退火处理的碳纳米管进行旋转冲洗，可去除碳纳米管表面的其余的共轭聚合物材料，从而将碳纳米管表面的共轭聚合物材料去除干净，且在去除过程中不会破坏碳纳米管的形貌。

技术特征：

1.一种去除碳纳米管表面共轭聚合物材料的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的去除碳纳米管表面共轭聚合物材料的方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：

3.根据权利要求1所述的去除碳纳米管表面共轭聚合物材料的方法，其特征在于，所述共轭聚合物材料的主链为咔唑、芴、噻吩、吡啶或联吡啶。

4.根据权利要求1或2所述的去除碳纳米管表面共轭聚合物材料的方法，其特征在于，所述保护气氛采用氮气、氩气或两者的混合。

5.根据权利要求1或2所述的去除碳纳米管表面共轭聚合物材料的方法，其特征在于，在保护气氛下进行退火处理时的温度为400-800度。

6.根据权利要求1或2所述的去除碳纳米管表面共轭聚合物材料的方法，其特征在于，在保护气氛下进行退火处理时的退火时间为5～200分钟。

7.根据权利要求1或2所述的去除碳纳米管表面共轭聚合物材料的方法，其特征在于，所述溶剂为有机溶剂或水。

8.根据权利要求7所述的去除碳纳米管表面共轭聚合物材料的方法，其特征在于，所述有机溶剂包括乙醇和四氢呋喃。

9.根据权利要求1或2所述的去除碳纳米管表面共轭聚合物材料的方法，其特征在于，旋转冲洗时的转速为200rpm-6000rpm。

10.根据权利要求1或2所述的去除碳纳米管表面共轭聚合物材料的方法，其特征在于，旋转冲洗时间为10分钟。

技术总结
本发明涉及一种去除碳纳米管表面共轭聚合物材料的方法，属于纳米管表面分子去除技术领域，该方法包括：对表面具有共轭聚合物材料的碳纳米管在保护气氛下进行退火处理，使得制备碳纳米管过程中共轭聚合物材料的主链与碳纳米管之间形成的碳碳双键断裂，以去除部分共轭聚合物材料；采用溶剂对经过退火处理的碳纳米管进行旋转冲洗；对经过冲洗的碳纳米管在保护气氛下再次进行退火处理。本申请提供的方法，能够保证制备碳纳米管过程中共轭聚合物材料的主链与碳纳米管之间形成的碳碳双键断裂，从而达到去除碳纳米管表面的共轭聚合物材料效果；可去除干净碳纳米管表面有共轭聚合物材料，且在去除过程中不会破坏碳纳米管得形貌。

技术研发人员：韩杰
受保护的技术使用者：苏州烯晶半导体科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/24