HVPE设备的气路组件以及HVPE设备的制作方法

本技术涉及半导体加工设备领域，具体涉及hvpe设备的气路组件以及hvpe设备。

背景技术：

1、氢化物气相外延炉(hvpe)能够生产gan外延片，其包括能够控制温度的生长反应腔室以及气路组件，气路组件包括用于存放固态镓源的容器以及与该容器连通的原料管，现有技术中，原料管用于通入多种原料，但其中只有hcl是与固态镓源反应生成gacl，这种输料方式导致hcl与镓源不能够充分反应。

技术实现思路

1、本实用新型针对上述问题，提出了hvpe设备的气路组件以及hvpe设备。

2、本实用新型采取的技术方案如下：

3、一种hvpe设备的气路组件，包括：

4、石英瓶，用于存放固态镓源；

5、输入管，与所述石英瓶连通，用于单独输送hcl，使hcl单独与石英瓶内的固态镓源反应；

6、输料管，用于输送反应原料；

7、输出管，一端与所述石英瓶连通，另一端与所述输料管连通，用于将hcl与固态镓源反应后的反应物输送至输料管中。

8、通过单独的输入管输入hcl能够有效保证hcl与固态镓源的充分反应。

9、于本实用新型其中一实施例中，还包括转接管、多个分管以及多个匀气盒；

10、所述转接管与所述输料管的输出端连通，所述分管一端与所述转接管连通，另一端与对应的匀气盒连通；

11、所述匀气盒具有两个相对设置的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁上具有与所述分管对接的第一通孔，所述第二侧壁上设置有多个第二通孔，匀气盒内具有挡板，所述挡板正对所述第一通孔，挡板两端与匀气盒的内壁之间具有通气空间。

12、匀气盒能够使气体较为均匀的从第二通孔输出，配合转接管和多个分管的设计，能够实现多个匀气盒较为均匀的输出气体。实际运用时，匀气盒的第二通孔输出的气体进入生长室，均匀的进入能够保证生长的可靠稳定。

13、于本实用新型其中一实施例中，所述第二通孔至少具有一排，每排第二通孔等间隔设置。

14、本申请还公开了一种hvpe设备，包括：

15、石英管；

16、低温区保温桶，内装在所述石英管内；

17、低温区石墨筒，内装在所述低温区保温桶内；

18、高温区保温桶，内装在所述石英管内；

19、高温区石墨筒，内装在所述高温区保温桶内；

20、生长室，设置在所述高温区石墨筒内；

21、所述生长室具有多个上下设置的反应腔组件；

22、hvpe设备还包括上文所述的hvpe设备的气路组件，所述石英瓶、转接管和分管位于所述低温区石墨筒内，所述匀气盒位于所述高温区石墨筒内，匀气盒与反应腔组件的数量相同，且一一对应配合，匀气盒的第二通孔与对应的反应腔组件连通。

23、多个反应腔组件的设计能够同时进行多个生长反应，提高加工效率。通常低温区石墨筒用于使低温区石墨筒内的温度保持在800℃～850℃左右，即是预热也是为了实现hcl和固态镓源的反应，实际运用时，低温区石墨筒可以根据需要调节至需要的温度。通常高温区石墨筒用于使高温区石墨筒内的温度保持在1000℃～1100℃左右，实际运用时，高温区石墨筒可以根据需要调节至需要的温度。

24、于本实用新型其中一实施例中，所述反应腔组件包括气动式基片托盘，所述hvpe设备的气路组件还包括贯穿匀气盒与反应腔组件连接的氢气管，所述氢气管用于输出氢气带动所述气动式基片托盘旋转。旋转的设计使得生长反应更加均匀。

25、于本实用新型其中一实施例中，所述反应腔组件和匀气盒的数量均为三个。

26、本实用新型的有益效果是：通过单独的输入管输入hcl能够有效保证hcl与固态镓源的充分反应。

技术特征：

1.一种hvpe设备的气路组件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的hvpe设备的气路组件，其特征在于，还包括转接管、多个分管以及多个匀气盒；

3.如权利要求2所述的hvpe设备的气路组件，其特征在于，所述第二通孔至少具有一排，每排第二通孔等间隔设置。

4.一种hvpe设备，包括：

5.如权利要求4所述的hvpe设备，其特征在于，所述反应腔组件包括气动式基片托盘，所述hvpe设备的气路组件还包括贯穿匀气盒与反应腔组件连接的氢气管，所述氢气管用于输出氢气带动所述气动式基片托盘旋转。

6.如权利要求4所述的hvpe设备，其特征在于，所述反应腔组件和匀气盒的数量均为三个。

技术总结
本申请公开了HVPE设备的气路组件以及HVPE设备，其中，气路组件，包括：石英瓶，用于存放固态镓源；输入管，与石英瓶连通，用于单独输送HCl，使HCl单独与石英瓶内的固态镓源反应；输料管，用于输送反应原料；输出管，一端与石英瓶连通，另一端与输料管连通，用于将HCl与固态镓源反应后的反应物输送至输料管中。本申请通过单独的输入管输入HCl能够有效保证HCl与固态镓源的充分反应。

技术研发人员：李京波,雷剑鹏,王小周
受保护的技术使用者：浙江芯科半导体有限公司
技术研发日：20230222
技术公布日：2024/1/12