一种防漏硅引导装置和单晶炉的制作方法

本技术涉及单晶制造，更具体地，涉及一种防漏硅引导装置和单晶炉。

背景技术：

1、在拉晶过程中，若石英坩埚破裂，会导致硅液泄漏，而传统的防漏硅护盘易被高温硅液烫穿，并不能阻挡泄漏的硅液流向炉体底部，高温硅液易对炉体部件造成损坏，甚至引起重大设备事故，发生爆炸危及人身安全。

2、现有技术中，防漏硅装置为具有叠层设计的双层耐高温金属板护盘，在发生硅液泄漏时，护盘可以承装一定量的高温硅液，以达到短时间内防止高温硅液损坏其它零部件的目的。但是，金属板导入会影响单晶硅的少子寿命且护盘容纳体积小，若发生大量的硅液泄漏，硅液仍会向四周溢出，硅液流入炉底同样会损坏其它零部件危及人身安全。

3、因此，亟需提供一种在大量硅液泄漏时起到防护作用的防漏硅引导装置和单晶炉。

技术实现思路

1、有鉴于此，本实用新型提供了一种防漏硅引导装置，包括：底壁、围绕所述底壁的侧壁、以及设置在底壁上的导流柱；

2、沿第一方向上，所述侧壁厚度大于所述底壁，所述底壁与所述侧壁围成腔体；所述导流柱为空心柱体，沿所述侧壁的延伸方向上，所述导流柱凸出于所述底壁且贯穿所述底壁，所述导流柱与所述底壁的厚度之和小于所述侧壁的厚度，所述第一方向为垂直于所述底壁的方向。

3、可选的，所述导流柱包括沿第二方向相对设置的第一端与第二端，沿第一方向上，所述第一端的厚度小于第二端的厚度，所述第二方向为所述底壁中心指向所述侧壁的方向。

4、可选的，所述第一端和所述第二端与所述侧壁均有间隔。

5、可选的，所述第二端与所述侧壁相连。

6、可选的，所述底壁上还设有安装柱，所述安装柱为空心柱体，沿所述侧壁的延伸方向上，所述安装柱凸出于所述底壁且贯穿所述底壁，所述安装柱与所述底壁的厚度之和大于等于所述侧壁的厚度。

7、可选的，所述安装柱和所述导流柱为圆柱或棱柱。

8、可选的，所述底壁厚度在25mm-35mm之间，所述侧壁厚度在90mm-110mm之间。

9、可选的，所述防漏硅引导装置还包括外沿，所述外沿围绕所述侧壁与所述侧壁远离所述底壁的一侧连接，所述外沿的厚度在35mm-45mm之间。

10、可选的，所述防漏硅引导装置材质为石墨或碳碳复合材料。

11、本实用新型还提供了一种单晶炉，包括炉体、位于所述炉体内的坩埚以及炉底的防漏硅引导装置，所述防漏硅引导装置为上述任一项所述的防漏硅引导装置。

12、与现有技术相比，本实用新型提供的一种防漏硅引导装置和单晶炉，至少实现了如下的有益效果：

13、本实用新型提供的防漏硅引导装置包括：底壁、围绕底壁的侧壁、以及设置在底壁上的导流柱；沿第一方向上，侧壁厚度大于底壁，底壁与侧壁围成腔体；导流柱为空心柱体，沿侧壁的延伸方向上，导流柱凸出于底壁且贯穿底壁，导流柱与底壁的厚度之和小于侧壁的厚度，第一方向为垂直于底壁的方向。当发生硅液泄漏时，腔体可容纳泄漏的硅液，硅液大量泄漏时，通过设置导流柱与底壁的厚度之和小于侧壁的厚度，导流柱与单晶炉抽气管道相连，导流柱引导硅液流入抽气管道排放，避免硅液溢出到单晶炉内，避免了高温硅液损坏单晶炉内其它零部件。

14、当然，实施本实用新型的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。

15、通过以下参照附图对本实用新型的示例性实施例的详细描述，本实用新型的其它特征及其优点将会变得清楚。

技术特征：

1.一种防漏硅引导装置，其特征在于，包括：底壁、围绕所述底壁的侧壁、以及设置在底壁上的导流柱；

2.根据权利要求1所述的防漏硅引导装置，其特征在于，所述导流柱包括沿第二方向相对设置的第一端与第二端，沿第一方向上，所述第一端的厚度小于第二端的厚度，所述第二方向为所述底壁中心指向所述侧壁的方向。

3.根据权利要求2所述的防漏硅引导装置，其特征在于，所述第一端和所述第二端与所述侧壁均有间隔。

4.根据权利要求2所述的防漏硅引导装置，其特征在于，所述第二端与所述侧壁相连。

5.根据权利要求1所述的防漏硅引导装置，其特征在于，所述底壁上还设有安装柱，所述安装柱为空心柱体，沿所述侧壁的延伸方向上，所述安装柱凸出于所述底壁且贯穿所述底壁，所述安装柱与所述底壁的厚度之和大于等于所述侧壁的厚度。

6.根据权利要求5所述的防漏硅引导装置，其特征在于，所述安装柱和所述导流柱为圆柱或棱柱。

7.根据权利要求1所述的防漏硅引导装置，其特征在于，所述底壁厚度在25mm-35mm之间，所述侧壁厚度在90mm-110mm之间。

8.根据权利要求1所述的防漏硅引导装置，其特征在于，还包括外沿，所述外沿围绕所述侧壁与所述侧壁远离所述底壁的一侧连接，所述外沿的厚度在35mm-45mm之间。

9.根据权利要求8所述的防漏硅引导装置，其特征在于，材质为石墨或碳碳复合材料。

10.一种单晶炉，其特征在于，包括炉体、位于所述炉体内的坩埚以及炉底的防漏硅引导装置，所述防漏硅引导装置为权利要求1-9任一项所述的防漏硅引导装置。

技术总结
本技术公开了一种防漏硅引导装置和单晶炉，防漏硅引导装置包括：底壁、围绕底壁的侧壁、以及设置在底壁上的导流柱；沿第一方向上，侧壁厚度大于底壁，底壁与侧壁围成腔体；导流柱为空心柱体，沿侧壁的延伸方向上，导流柱凸出于底壁且贯穿底壁，导流柱与底壁的厚度之和小于侧壁的厚度，第一方向为垂直于底壁的方向。当发生硅液泄漏时，腔体可容纳泄漏的硅液，硅液大量泄漏时，通过设置导流柱与底壁的厚度之和小于侧壁的厚度，导流柱与单晶炉抽气管道相连，导流柱引导硅液流入抽气管道排放，避免硅液溢出到单晶炉内，避免了高温硅液损坏单晶炉内其它零部件。

技术研发人员：宋丽平,李好,龙小娇,陈铭,龙昭钦
受保护的技术使用者：四川晶科能源有限公司
技术研发日：20230526
技术公布日：2024/1/15