一种用于碳化硅外延生长的石墨基座的制作方法

本技术涉及半导体制造，具体为一种用于碳化硅外延生长的石墨基座。

背景技术：

1、碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料之一，具有高热导率、高临界击穿电场、高电子迁移率以及高稳定性等优良性能，是制作高温、高频、大功率和强辐射电力电子器件的理想半导体材料。碳化硅衬底的侧壁包括弧度部和与弧形部首尾相接围成封闭曲线的参考面部，外延生长是指在单晶衬底(基片)上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段。

2、例如授权号为cn217298088u所提供的一种硅外延用石墨基座，通过硅外延用石墨基座上的存放凹槽槽底为弧形面，能够完全与受热膨胀变形后的衬底基片贴合，衬底基片与石墨基座直接接触，确保衬底基片受热均匀，同时在存放凹槽槽底均匀开设有若干排气孔，一方面，用来排出气体，便于衬底基片落入存放凹槽内，另一方面，由于若干排气孔均匀布设在存放凹槽的槽底上，能够确保衬底基片受热均匀。

3、但上述专利对衬底基片的安装不稳定，容易在加工时，受加工震动影响，造成位移，影响半导体制造的效率。

技术实现思路

1、针对现有技术中存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种用于碳化硅外延生长的石墨基座，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种用于碳化硅外延生长的石墨基座，包括石墨基座本体，所述石墨基座本体的内腔开设有凹槽，所述凹槽内腔的底部开设有若干排气孔，所述石墨基座本体内腔的两侧均嵌设有螺纹套，所述螺纹套的内腔螺纹连接有螺纹杆，两个所述螺纹杆相对的一侧均通过轴承活动连接有弧形夹板。

3、优选的，两个所述螺纹杆相背的一侧均固定连接有转柄，所述转柄的表面设置有防滑纹。

4、优选的，所述凹槽内腔的两侧均开设有滑孔，所述滑孔的内腔滑动连接有滑杆，所述滑杆的另一端与弧形夹板固定连接。

5、优选的，若干所述排气孔为800到1000个。

6、优选的，所述石墨基座本体上涂覆有碳化硅涂层。

7、与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：

8、本实用新型通过设置石墨基座本体、凹槽、排气孔、螺纹套、螺纹杆和弧形夹板，共同构建了一个用于碳化硅外延生长的石墨基座，其中通过衬底基片放置在凹槽内，然后通过螺纹套、螺纹杆和弧形夹板的设置，能够对衬底基片进行夹持固定，提高稳定性，使得与衬底基片贴合，衬底基片与石墨基座直接接触，确保衬底基片受热均匀，而若干排气孔，一方面，用来排出气体，便于衬底基片落入存放凹槽内，另一方面，由于若干排气孔均匀布设在存放凹槽的槽底上，能够确保衬底基片受热均匀，增加使用寿命。

技术特征：

1.一种用于碳化硅外延生长的石墨基座，包括石墨基座本体(1)，其特征在于：所述石墨基座本体(1)的内腔开设有凹槽(2)，所述凹槽(2)内腔的底部开设有若干排气孔(3)，所述石墨基座本体(1)内腔的两侧均嵌设有螺纹套(4)，所述螺纹套(4)的内腔螺纹连接有螺纹杆(5)，两个所述螺纹杆(5)相对的一侧均通过轴承活动连接有弧形夹板(6)。

2.根据权利要求1所述的一种用于碳化硅外延生长的石墨基座，其特征在于：两个所述螺纹杆(5)相背的一侧均固定连接有转柄(7)，所述转柄(7)的表面设置有防滑纹。

3.根据权利要求1所述的一种用于碳化硅外延生长的石墨基座，其特征在于：所述凹槽(2)内腔的两侧均开设有滑孔(8)，所述滑孔(8)的内腔滑动连接有滑杆(9)，所述滑杆(9)的另一端与弧形夹板(6)固定连接。

4.根据权利要求1所述的一种用于碳化硅外延生长的石墨基座，其特征在于：若干所述排气孔(3)为800到1000个。

5.根据权利要求1所述的一种用于碳化硅外延生长的石墨基座，其特征在于：所述石墨基座本体(1)上涂覆有碳化硅涂层。

技术总结
本技术公开了一种用于碳化硅外延生长的石墨基座，包括石墨基座本体，所述石墨基座本体的内腔开设有凹槽，所述凹槽内腔的底部开设有若干排气孔。本技术通过设置石墨基座本体、凹槽、排气孔、螺纹套、螺纹杆和弧形夹板，共同构建了一个用于碳化硅外延生长的石墨基座，其中通过衬底基片放置在凹槽内，然后通过螺纹套、螺纹杆和弧形夹板的设置，能够对衬底基片进行夹持固定，提高稳定性，使得与衬底基片贴合，衬底基片与石墨基座直接接触，确保衬底基片受热均匀，而若干排气孔，一方面，用来排出气体，便于衬底基片落入存放凹槽内，另一方面，由于若干排气孔均匀布设在存放凹槽的槽底上，能够确保衬底基片受热均匀，增加使用寿命。

技术研发人员：姜佑霖,马良来
受保护的技术使用者：昊石新材料科技南通有限公司
技术研发日：20230627
技术公布日：2024/1/15