一种合成炉的制作方法

文档序号:36848059发布日期:2024-01-26 23:05阅读:37来源:国知局
一种合成炉的制作方法

本技术涉及合成炉,具体涉及一种合成炉。


背景技术:

1、目前,生产三氯氢硅的核心设备为三氯氢硅合成炉。现有的三氯氢硅合成炉包括底部的锥体结构和设置在所述锥体结构上方的壳体结构,进一步地,在所述锥体结构的内部还设置有气体分布器,在锥体结构的底部设置有喷嘴。在合成三氯氢硅的过程中,原料hcl气体和硅粉由喷嘴进入所述锥体结构中并通过气体分布器上的小孔进行分散。随着反应的不断进行,下落的硅粉会堵塞气体分布器上的小孔,此时hcl气体在堵塞的情况下通过气体分布器形成偏流。

2、气体分布器堵塞后会造成自身的温度高低不一,因此通过检测温度是否均匀能够监测气体分布器的堵塞情况。现有的测温方法为采用线型动态表面热电偶的单点测温模式,但动态表面热电偶的安装方法复杂繁琐且动态表面热电偶测量到的温度为气体分布器内部最高温度,无法高效辨别出气体分布器堵塞精准部位。此外,动态表面热电偶在氯碱车间合成装置恶劣工况条件下极度容易造成动态表面热电偶被潮湿环境及hcl气体腐蚀,老化断裂,无法修复。


技术实现思路

1、有鉴于此,本实用新型提供了一种合成炉,所述合成炉中包括一偏流测温装置(hcl气体在气体分布器无堵塞情况下正常均匀流过时为均流,当气体分布器部分堵塞时流过hcl气体为偏流),通过所述偏流测温装置可以有效监测气体分布器的堵塞情况,从而提高合成炉运行稳定性和安全性。

2、为解决背景技术中提出的技术问题,本实用新型采用以下技术方案:

3、第一方面,本实用新型提供了一种合成炉,所述合成炉中包括:测温装置,所述测温装置设置在合成炉底部的锥体结构上;

4、所述测温装置包括至少4个测温探头,所述锥体结构的周向方向上均匀分布有与所述测温探头数量相同的开孔;

5、所述测温探头包括感温区和连接部,所述感温区的一端穿过所述开孔设置在所述锥体结构的内部,所述感温区的另一端与所述连接部的一端连接或固定在所述连接部的内部;所述连接部与所述锥体结构的外壁连接。

6、进一步地,所述测温装置包括8个所述测温探头。

7、进一步地,所述锥体结构内部设置有气体分布器;所述测温装置与所述气体分布器位于同一高度。

8、进一步地,所述锥体结构的外壁与所述开孔对应的位置上设置有安装底座;所述测温探头的连接部包括连接接头、紧固接头和引出线,所述感温区与所述引出线电连接,所述感温区的一端设置在所述锥体结构的内部,所述感温区的另一端与所述连接接头的一端连接,或固定在所述连接接头的内部,所述连接接头远离所述感温区的另一端与所述紧固接头的一端连接,所述紧固接头的另一端引出所述引出线;所述连接接头设置在所述安装底座的内部且与所述安装底座固定连接,所述紧固接头与所述连接接头连接的一端和所述安装底座远离所述锥体结构的一端相抵触。

9、进一步地,所述安装底座设置有带内螺纹的螺孔,所述连接接头的外壁设置有对应的外螺纹,所述连接接头与所述安装底座螺接。

10、进一步地,所述紧固接头与所述安装底座之间设置有密封件。

11、进一步地,所述安装底座靠近所述锥体结构的一端与所述锥体结构的外壁焊接。

12、进一步地,所述紧固接头的直径大于所述连接接头的直径。

13、进一步地,所述紧固接头的轴线与所述连接接头的轴线共线。

14、进一步地,所述测温探头为热电偶,所述感温区为热电阻阻芯,所述引出线为热电阻引出线。

15、本实用新型的上述技术方案的有益效果如下:

16、本实用新型提供了一种合成炉,所述合成炉中包括:测温装置,所述测温装置设置在合成炉底部的锥体结构上;所述测温装置包括至少4个测温探头,所述锥体结构的周向方向上均匀分布有与所述测温探头数量相同的开孔;所述测温探头包括感温区和连接部,所述感温区的一端穿过所述开孔设置在所述锥体结构的内部,所述感温区的另一端与所述连接部的一端连接或固定在所述连接部的内部;所述连接部与所述锥体结构的外壁连接。

17、本实用新型中提供了一种具有多点测温装置的合成炉,能够更高效地判断出气体分布器堵塞的位置。同时测温探头中仅有感温区设置在所述锥体结构的内部,测温探头中的连接部与所述锥体结构的外壁连接,即位于所述锥体结构的外部,从而能够减少合成炉内部的潮湿环境及hcl气体对测温探头的腐蚀。采用本实用新型中所述的偏流测温装置可以有效监控合成炉内部气体分布器堵塞的情况,从而在生产过程中能够实现在气体分布器堵塞时及时控制和停车检修,提高了合成炉运行稳定性和安全性,降低维修成本和维修风险。



技术特征:

1.一种合成炉,其特征在于,包括:测温装置,所述测温装置设置在合成炉底部的锥体结构上;

2.根据权利要求1所述的合成炉,其特征在于,所述测温装置包括8个所述测温探头。

3.根据权利要求1所述的合成炉,其特征在于,所述锥体结构内部设置有气体分布器;

4.根据权利要求1所述的合成炉,其特征在于,所述锥体结构的外壁与所述开孔对应的位置上设置有安装底座;

5.根据权利要求4所述的合成炉,其特征在于,所述安装底座设置有带内螺纹的螺孔,所述连接接头的外壁设置有对应的外螺纹,所述连接接头与所述安装底座螺接。

6.根据权利要求4所述的合成炉,其特征在于,所述紧固接头与所述安装底座之间设置有密封件。

7.根据权利要求4所述的合成炉,其特征在于,所述安装底座靠近所述锥体结构的一端与所述锥体结构的外壁焊接。

8.根据权利要求4所述的合成炉,其特征在于,所述紧固接头的直径大于所述连接接头的直径。

9.根据权利要求8所述的合成炉,其特征在于,所述紧固接头的轴线与所述连接接头的轴线共线。

10.根据权利要求4所述的合成炉,其特征在于,所述测温探头为热电偶,所述感温区为热电阻阻芯,所述引出线为热电阻引出线。


技术总结
本技术提供了一种合成炉,所述合成炉中包括:测温装置,所述测温装置设置在合成炉底部的锥体结构上;所述测温装置包括至少4个测温探头,所述锥体结构的周向方向上均匀分布有与所述测温探头数量相同的开孔;所述测温探头包括感温区和连接部,所述感温区的一端穿过所述开孔设置在所述锥体结构的内部,所述感温区的另一端与所述连接部的一端连接或固定在所述连接部的内部;所述连接部与所述锥体结构的外壁连接。本技术的合成炉中的偏流测温装置可以有效监控合成炉内部气体分布器堵塞的情况,从而在生产过程中能够实现在气体分布器堵塞时及时控制和停车检修,提高了合成炉运行稳定性和安全性,降低维修成本和维修风险。

技术研发人员:巴其龙,戚海龙,金鑫,陈学鹏,李娜,白帆,时长伟,王金勇,林海东
受保护的技术使用者:新特能源股份有限公司
技术研发日:20230718
技术公布日:2024/1/25
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