一种Y形结构的单晶硅炉主真空管道的制作方法

本技术涉及半导体设备领域，具体涉及单晶硅炉的主真空管道。

背景技术：

1、半导体级单晶硅炉的主真空管道是拉晶工艺过程中重要的部套之一，其保证了在拉晶过程中腔体内部保持真空状态。

2、在现有的技术中，主真空管道中的管道连接结构组成复杂，空间狭小还不方便拆卸；每次完成拉晶后都需要把部分管道件拆卸掉后，再逐件清洗里面的氧化物，部分残留在管道内壁的氧化物且难以清除干净，这直接导致了作业时间长和作业量大，降低了半导体级单晶硅炉的拉晶生产周期效率。

技术实现思路

1、针对现有技术存在的问题，本实用新型提供一种y形结构的单晶硅炉主真空管道，已解决上述至少一个技术问题。

2、本实用新型的技术方案是：一种y形结构的单晶硅炉主真空管道，包括用于对接炉底盘的管路，其特征在于，所述管路包括y形真空管，所述y形真空管的主流道连接一主管路，所述主管路上安装有气动真空球阀以及真空蝶阀；

3、所述y形真空管的两个分支流道分别连接有两个分支管路，所述分支管路沿着导流方向依次为对接炉底盘的冷却真空管、第一波纹管，主真空管道、真空球阀、真空排风管、第二波纹管；

4、所述真空排风管上设置有接口，所述接口用于连接电磁阀以及过滤器；

5、所述主真空管道设置有一分支口，所述分支口与所述炉底盘之间通过顺序连接的冷却真空管以及第三波纹管相连；

6、所述第一波纹管、第二波纹管以及第三波纹管的两端均设置有用于卡箍可拆卸连接的法兰盘。

7、本实用新型通过优化管道结构，采用y形真空管，避免了传统真空管道中的直角交汇结构，在对称分布的交汇处还采用y形真空管，避免了清理当中的死角；通过卡箍可拆卸的法兰盘，便于快拆。通过主真空管道上设置有电磁阀以及过滤器，当所有的真空球阀全部关闭时，通过电磁阀使管道放入过滤过后的空气，使管道内氧化物充分燃烧(管道内会含有红磷，红磷具有可燃性，当电磁阀开启后，外界的氧气会进入到管道与红磷发生发应，会进行燃烧)，之后再进行清理，提高了氧化物的清理效果。

8、进一步优选的，还包括一支撑机构，所述支撑机构包括用于支撑所述y形真空管的支撑座，所述支撑座与所述y形真空管可拆卸连接；

9、所述支撑机构还包括用于支撑主真空管道的第一支撑架，所述第一支撑架与所述主真空管道可拆连接。

10、进一步优选的，所述主真空管道的两端通过管箍与所述第一支撑架可拆卸连接，所述第一支撑架的底部设置有支撑脚。

11、进一步优选的，所述支撑机构还包括第二支撑架，所述第二支撑架与所述y形真空管的两个分支流道可拆卸连接。

12、进一步优选的，所述支撑座可拆卸连接有第三支撑架，所述第三支撑架与管道转接头可拆卸连接。

13、进一步优选的，所述y形真空管的分支流道上铰接有一盖板。

14、用于保证管道里的压力稳定。当管道里的压力异常或过大时，内部的压力大于外界时，盖板会向外开启。

15、进一步优选的，所述y形真空管的两个分支流道的夹角为锐角，y形真空管的任意一个分支流道与主流道的夹角为钝角。

16、进一步优选的，所述主管路上从邻近所述y形真空管侧依次包括顺序连接的管道转接头、电磁阀、真空接管、真空过渡管、所述气动真空球阀、l型真空管、变径接头以及所述真空蝶阀。

17、进一步优选的，所述真空接管上安装有一高真空传感器以及低真空传感器。

18、便于检测真空接管处的真空情况。高真空和低真空传感器所对检测的阀值不一样，高真空传感器的感应真空度范围为1-100pa，低真空传感器的感应真空度范围为100pa以上。

19、进一步优选的，所述真空接管上安装有一安全排气通道，所述安全排气通道上安装有所述高真空传感器以及电磁排气阀。高真空传感器精度很高，在高真空传感器与真空接管之间需配备一个电磁排气阀，用于保护高真空传感器在低真空或标准大气压下时容易损坏。

20、防止内压过大。

21、进一步优选的，所述主真空管道上配有降压机构。用于管道内压力异常时的物理降压。降压机构包括设置在主真空管道上的盖板，所述真空管道上设置有用于盖板封闭的法兰盘，所述法兰盘上安装有螺栓，所述螺栓上套设有压缩弹簧，且所述压缩弹簧压住所述盖板。所述螺栓穿过所述盖板与所述法兰盘相连。当管道内压力异常过大时，盖板会向外挤压，弹簧会压缩，从而实现物理降压。

技术特征：

1.一种y形结构的单晶硅炉主真空管道，包括用于对接炉底盘的管路，其特征在于，所述管路包括y形真空管，所述y形真空管的主流道连接一主管路，所述主管路上安装有气动真空球阀以及真空蝶阀；

2.根据权利要求1所述的一种y形结构的单晶硅炉主真空管道，其特征在于：还包括一支撑机构，所述支撑机构包括用于支撑所述y形真空管的支撑座，所述支撑座与所述y形真空管可拆卸连接；

3.根据权利要求2所述的一种y形结构的单晶硅炉主真空管道，其特征在于：所述主真空管道的两端通过管箍与所述第一支撑架可拆卸连接，所述第一支撑架的底部设置有支撑脚。

4.根据权利要求2所述的一种y形结构的单晶硅炉主真空管道，其特征在于：所述支撑机构还包括第二支撑架，所述第二支撑架与所述y形真空管的两个分支流道可拆卸连接。

5.根据权利要求2所述的一种y形结构的单晶硅炉主真空管道，其特征在于：所述支撑座可拆卸连接有第三支撑架，所述第三支撑架与管道转接头可拆卸连接。

6.根据权利要求1所述的一种y形结构的单晶硅炉主真空管道，其特征在于：所述y形真空管的分支流道上铰接有一盖板。

7.根据权利要求1所述的一种y形结构的单晶硅炉主真空管道，其特征在于：所述y形真空管的两个分支流道的夹角为锐角，y形真空管的任意一个分支流道与主流道的夹角为钝角。

8.根据权利要求1所述的一种y形结构的单晶硅炉主真空管道，其特征在于：所述主管路上从邻近所述y形真空管侧依次包括顺序连接的管道转接头、电磁阀、真空接管、真空过渡管、所述气动真空球阀、l型真空管、变径接头以及所述真空蝶阀。

9.根据权利要求8所述的一种y形结构的单晶硅炉主真空管道，其特征在于：所述真空接管上安装有一高真空传感器以及低真空传感器。

10.根据权利要求9所述的一种y形结构的单晶硅炉主真空管道，其特征在于：所述真空接管上安装有一安全排气通道，所述安全排气通道上安装有所述高真空传感器以及电磁排气阀。

技术总结
本技术涉及半导体设备领域。一种Y形结构的单晶硅炉主真空管道，包括用于对接炉底盘的管路，管路包括Y形真空管，Y形真空管的主流道连接一主管路，主管路上安装有气动真空球阀以及真空蝶阀；Y形真空管的两个分支流道分别连接有两个分支管路，分支管路沿着导流方向依次为对接炉底盘的冷却真空管、第一波纹管，主真空管道、真空球阀、真空排风管、第二波纹管；真空排风管上设置有接口，接口用于连接电磁阀以及过滤器；主真空管道设置有一分支口，分支口与炉底盘之间通过顺序连接的冷却真空管以及第三波纹管相连；第一波纹管、第二波纹管以及第三波纹管的两端均设置有用于卡箍可拆卸连接的法兰盘。本技术避免了清理当中的死角。

技术研发人员：彭文井,贺贤汉,夏孝平,徐淑文
受保护的技术使用者：上海汉虹精密机械有限公司
技术研发日：20230724
技术公布日：2024/1/15