；
⑤垫片与陶瓷成品从冷却区被推出，得到圆环形陶瓷成品，产品内径为181.3_。
[0019](8)钻孔:用数控车床进行可控硅起到触发作用的门极孔加工，门极孔到端面距离为3.5mm，孔径为2.0mm，深度4.0mm ；
(9)清洗:将产品与三角磨料以1.5: 8的比例放入振动研磨机中15分钟后将清水倒入，冲洗研磨后留在产品表面的杂质；
(1 )平面磨:用磨床将产品的高度磨成17.7mm，产品两端平面的表面粗糙度Ra在3.5μm；
(11)酸洗:将半成品浸泡于摩尔浓度为2mol/L的稀盐酸溶液中，浸泡20min去除半成品上附着的杂质，为上釉做好准备；
(12)烘干:将产品依次摆放在瓷盘后放入烘箱2h，烘箱的温度为140°C;
(13)上釉:使用双喷嘴上釉装置在陶瓷喷涂一层釉水；
(14)烧釉:①将上釉后的陶瓷体与已烧结的垫片放入隧道烧结炉炉膛的升温区，陶瓷体同轴放置在垫片上，陶瓷体的顶端面距离隧道烧结炉炉膛顶部为30~50mm;
②将陶瓷体与垫片从隧道烧结炉炉膛的升温区经过加热区推向冷却区，陶瓷体在加热区被烧结成陶瓷成品，加热区的温度控制在1560°C，每推一次即向前推进25_，每推一次耗时4min，每推一次间隔时间控制在45min，通过升温区的总耗时控制在I Ih，通过加热区的总耗时控制在3.5h，通过冷却区的总耗时控制在16h ；
③垫片与陶瓷成品从冷却区被推出，得到圆环形陶瓷成品，产品内径为181.3mm，高度17.7mm0
【主权项】
1.一种可控硅180mm内径产品的制备方法，其特征在于:包括如下步骤: (1)原料球磨:取93?94重量份氧化铝、1.5?2.5重量份氧化镁、2?4重量份氧化硅、I?2重量份碳酸钙、2?3重量份高岭土为原料倒入球磨机中，并在原料中依次加入粘结剂酚醛树脂和分散剂正辛醇，球磨得到粘度为6000?6009mpa.s的浆料； (2)造粒:将球磨后的浆料加入离心喷雾机入口，喷雾机喷头以16?18Hz/RPM的频率旋转，得到的粉料粒径为98?220μπι ； (3)筛选:筛选得到粒径大小为125?175μπι的粉料； (4)匀化:将筛选后的粉料放入匀化机搅拌30?32min，匀化机转速16?20r/min，匀化机的进料口与出料口设置有永久性磁棒能够清理粉料中的铁及铁的氧化物等杂质； (5)成型:使用等静压法成型，把筛选后的粉料放置入模具中，再把模具放入等静压机中，通过增压系统逐步加压，使等静压机的压力控制在236?240Mpa，得到陶瓷胚体； (6)车加工:用车床将陶瓷胚体制成所需要的圆环形陶瓷胚体，产品内径达到205.5?208.5mm； (7)烧结:在车加工后的陶瓷胚体两端面以1.7?2.4g/cm2均匀刷上涂抹浆料，将陶瓷胚体与已烧结的垫片放入隧道烧结炉炉膛的升温区，陶瓷胚体同轴放置在垫片上，陶瓷胚体的顶端面距离隧道烧结炉炉膛顶部为30?50mm，将陶瓷胚体与垫片从隧道烧结炉炉膛的升温区经过加热区推向冷却区，烧结完成后得到内径为178.8?181.3mm的圆环形陶瓷半成品，; (8)钻孔:用数控车床进行可控硅起到触发作用的门极孔加工，门极孔到端面距离为3.0~3.5mm，孔径为1.0~2.0mm，深度3.5~4.0mm; (9)清洗:将半成品与三角磨料以1.5: 7?8的比例放入振动研磨机中15?18分钟后将清水倒入，冲洗研磨后留在产品表面的杂质； (1 )平面磨:用磨床将产品的高度磨成17.5?17.7mm，半成品两端平面的表面粗糙度Ra在 3?3.5μηι； (11)酸洗:将半成品浸泡于摩尔浓度为I?2mol/L的稀盐酸溶液中，浸泡20?30min去除半成品上附着的杂质，为上釉做好准备； (12)烘干:将半成品摆放在瓷盘后放入烘箱2?3h，烘箱的温度为135?150°C; (13)上釉:在半成品上喷涂一层釉水； (14)烧釉:将上釉后的陶瓷体与已烧结的垫片放入隧道烧结炉炉膛的升温区，陶瓷体同轴放置在垫片上，陶瓷体的顶端面距离隧道烧结炉炉膛顶部为30?50mm，将陶瓷体与垫片从隧道烧结炉炉膛的升温区经过加热区推向冷却区，进行烧釉过程，结束得到圆环形陶瓷成品，产品内径为178.8?181.3_，高度17.5?17.7_。2.如权利要求1所述的可控硅180mm内径产品的制备方法，其特征在于:所述粘结剂酚醛树脂的加入量为原料总质量的5~6%，分散剂正辛醇的加入量为原料总质量的1.1?1.4%。3.如权利要求1所述的可控硅180mm内径产品的制备方法，其特征在于: 所述步骤(7)中的涂抹浆料的制备方法为:将羧甲基纤维素与水以6?6.5:1的重量比例进行混合，得到混合液，并将混合液与80?90目的刚玉沙按4?5:1.5的重量比例混合得到涂抹浆料。4.如权利要求1所述的可控硅180mm内径产品的制备方法，其特征在于: 所述步骤(7)中所述陶瓷胚体在加热区被烧结成陶瓷成品，加热区的温度控制在1540?1577°C，连续从升温区向加热区推进陶瓷胚体，每推一次即向前推进25?27_，每推一次耗时3?5min，每推一次间隔时间控制在45?48min，通过升温区的总耗时控制在11?12h，通过加热区的总耗时控制在3.2-3.5h，通过冷却区的总耗时控制在16?17h。5.如权利要求1所述的可控硅180mm内径产品的制备方法，其特征在于: 所述步骤(12)中将陶瓷体与垫片从隧道烧结炉炉膛的升温区经过加热区推向冷却区，陶瓷体在加热区被烧结成陶瓷成品，加热区的温度控制在1530?1580°C，每推一次即向前推进20?30mm，每推一次耗时3?5min，每推一次间隔时间控制在40?50min，通过升温区的总耗时控制在10?12h，通过加热区的总耗时控制在3~4h，通过冷却区的总耗时控制在15?18h。6.如权利要求1所述的可控硅180mm内径产品的制备方法，其特征在于: 所述步骤(4)中首先经过80?90目的筛子然后再经过150?160目的筛子筛选。7.如权利要求1所述的可控硅180mm内径产品的制备方法，其特征在于:所述步骤(5)中等静压机的作业环境温度为22?24°C。8.如权利要求1所述的可控硅180mm内径产品的制备方法，其特征在于:所述步骤(I)中原料与球磨机中球石的质量比为4?4.5:1，球磨25?30小时，球磨机转速31?32r/min。9.如权利要求1所述的可控硅180mm内径产品的制备方法，其特征在于:所述步骤(7)中烧结后产品的变形率为5%。?8%0。10.如权利要求1所述的可控硅180mm内径产品的制备方法，其特征在于:所述步骤(7)中垫片的厚度15?16mm，烧结炉内加热区位于水平线上三点间的温差控制在I?6°C。
【专利摘要】本发明涉及一种可控硅180mm内径产品的制备方法，首先将93~94重量份氧化铝、1.5~2.5重量份氧化镁、2~4重量份氧化硅、1~2重量份碳酸钙、2~3重量份的原料倒入球磨机，并在原料中依次加入粘结剂酚醛树脂和分散剂正辛醇制成浆料，然后浆料经过造粒、匀化、筛选后采用等静压机进行压制成型，最后经过烧结、上秞、烧釉后得到圆环形陶瓷成品，产品内径为178.8~181.3mm，高度17.5~17.7mm。本发明制备方法简单，步骤易于操作，能有效的降低产品的杂质，改善产品变形，提高产品的合格率，制备得到制备出结构稳定且内径可控的180mm大尺寸产品。
【IPC分类】C04B35/10, C04B35/634, B24B7/16, C04B41/86, C04B41/50, B28B3/00
【公开号】CN105541305
【申请号】CN201510948069
【发明人】朱广汇
【申请人】无锡康伟工程陶瓷有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2015年12月17日