用于多晶硅还原炉的底盘组件的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及多晶硅生产技术领域，具体而言，涉及一种用于多晶硅还原炉的底盘组件。
【背景技术】
[0002]现有的多晶硅还原炉，多个进气管在底盘上均匀分布，以便气体在还原炉内分布均匀。一般认为底盘上的进气管越多、分布越均匀越好。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型提出一种用于对晶硅还原炉的底盘组件，该用于多晶硅还原炉的底盘组件能够突破传统设计思路，具有提高炉内气流循环效率以提高多晶硅的生产效率，且不易倒棒等优点。
[0004]为实现上述目的，根据本实用新型提出一种用于多晶硅还原炉的底盘组件，所述用于多晶硅还原炉的底盘组件包括:底盘本体，所述底盘本体内限定有冷却腔，所述底盘本体上设有与所述冷却腔连通的冷却液进口和冷却液出口 ；多个电极，多个所述电极设在所述底盘本体上；多个中心进气管，多个所述中心进气管设在所述底盘本体的中心处；多个外圈进气管组，多个所述外圈进气管组设在所述底盘本体的外周缘处且沿所述底盘本体的周向间隔开设置，每个所述外圈进气管组包括排列成环形的多个外圈进气管；多个排气管，多个所述进气管设置在所述底盘本体上且位于多个所述电极的外侧。
[0005]根据本实用新型的用于多晶硅还原炉的底盘组件具有能够提高炉内气流循环效率以提尚多晶娃的生广效率尚，且不易倒棒等优点。
[0006]另外，根据本实用新型的用于多晶硅还原炉的底盘组件还可以具有如下附加的技术特征:
[0007]所述中心进气管为五个，其中，一个所述中心进气管设在所述底盘本体的中心，另外四个所述中心进气管沿所述底盘本体的周向等间距设置。
[0008]所述外圈进气管组为四个，每个所述外圈进气管组包括三个所述外圈进气管。
[0009]每个所述外圈进气管组中的三个所述外圈进气管排列成圆环形且沿所述圆环形的周向等间距设置。
[0010]所述排气管为四至八个且沿所述底盘本体的周向等间距设置。
[0011]所述电极为三十六对且分布在所述底盘本体的第一至第五圈上，所述第一至第五圈为以所述底盘本体的中心为圆心且由内至外依次增大的四个同心圆。
[0012]所述第一圈上分布有两对所述电极，所述第二圈上分布有四对所述电极，所述第三圈上分布有八对所述电极，所述第四圈上分布有八对所述电极，所述第五圈上分布有十四对所述电极。
[0013]所述用于多晶硅还原炉的底盘组件还包括:进气环管，所述进气环管上设有进气口且设置在所述底盘本体下方；多个进气支管，多个所述进气支管连接在所述进气环管上，多个所述中心进气管与一个所述进气支管相连，每个所述外圈进气管组中的多个所述外圈进气管与一个所述进气支管相连。
[0014]所述底盘本体包括:底盘法兰；上底板，所述上底板设在所述底盘法兰内；下底板，所述下底板设在所述底盘法兰内且位于所述上底板下方，所述下底板与所述上底板和所述底盘法兰限定出所述冷却腔；多个导流板，多个所述导流板设在所述冷却腔内且在所述冷却腔内限定出多个螺旋流道，所述冷却液进口和所述冷却液出口与多个所述螺旋流道连通。
[0015]所述上底板为碳钢和不锈钢复合板，所述下底板均为碳钢板。
【附图说明】
[0016]图1是根据本实用新型实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件的俯视图。
[0017]图2是根据本实用新型实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件的侧视图。
[0018]附图标记:用于多晶硅还原炉的底盘组件10、底盘本体100、电极200、中心进气管300、外圈进气管组400、外圈进气管410、排气管500、进气环管600、进气支管700。
【具体实施方式】
[0019]下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
[0020]下面参考附图描述根据本实用新型实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件10。其中，下述上下方向均以多晶硅还原炉正常使用时的上下方向为准。
[0021]如图1和图2所示，根据本实用新型实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件10包括底盘本体100、多个电极200、多个中心进气管300、多个外圈进气管组400和多个排气管500。
[0022]底盘本体100内限定有冷却腔，底盘本体100上设有与所述冷却腔连通的冷却液进口和冷却液出口。多个电极200设在底盘本体100上，电极200上安装有对应的硅芯。相邻的两对电极200通过电极板(图中未示出)连接，硅棒间为等距分布，间距为200-240毫米。实验结果表明该布局下，每根硅棒周围热场比较均匀，硅棒能够垂直且均匀的生长，最大实现对热能利用率。多个中心进气管300设在底盘本体100的中心处。多个外圈进气管组400设在底盘本体100的外周缘处且沿底盘本体100的周向间隔开设置，每个外圈进气管组400包括排列成环形的多个外圈进气管410。多个排气管500设置在底盘本体100上且在底盘本体100的径向上位于多个电极200的外侧。
[0023]根据本实用新型实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件10，通过对结构的上述优化，能够大大节省进气管所占用的面积，进而以24对棒的底盘面积满足36对棒的设置要求。
[0024]并且，申请人进过研宄和实验发现，进气管分为中心进气管300和外圈进气管组400，每个外圈进气管组400包含多个排列成环形的多个外圈进气管410。当每个外圈进气管组400中的多个外圈进气管410向炉内进气时，由于外圈进气管410间距较小，在气流作用下，在外圈进气管组400中央形成低压区，使得气流向中间靠拢后汇聚成一股气流，气流的汇聚效应扩大了气流影响区，且容易到达炉内顶部，强化了炉内气流大循环，促进硅棒生长。而多个中心进气管300也可汇聚成一股气流，由于还原炉中央部分封头高度较高，这样可以使气流能够到达上部封头后进行二次分布，提高气流循环效率。由此可以实现进气气流的汇聚效应，在保证气流克服阻力到达硅棒横联位置的同时，配合位于电极200外侧的多个排气管500，可以在炉内形成内、外两种循环气流分布，从而有效提高硅棒表面的湍流度和气流速度，进而提高多晶硅的沉积速率，以提高生产效率。
[0025]此外，进气的汇聚效应，可以使进气气流不容易直接冲击硅棒底部，从而避免硅棒变形而导致倒棒。
[0026]因此，根据本实用新型实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件10具有能够提高炉内气流循环效率以提高多晶硅的生产效率，且不易倒棒等优点。更重要的是，这种底盘组件的设计方案突破了多晶硅还原炉底盘进气管均匀分布的常规思路，而取得的效果反而优于均匀分布的进气管设置方式；并且这种底盘组件设计方式大大节省了进气管所占面积，进而以24对棒的底盘面积满足36对棒的设置要求，使目前许多生产24对棒的底盘厂家不用更换生产设备即可制造出更加先进、产能更高的底盘产品。
[0027]下面参考附图描述根据本实用新型具体实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件10。
[0028]在本实用新型的一些具体实施例中，如图1和图2所示，根据本实用新型实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件10包括底盘本体100、多个电极200、多个中心进气管300、多个外圈进气管组400和多个排气管500。
[0029]其中，底盘本体100上设置有多个电极座，多个电极200分别设在多个电极座内。
[0030]具体而言，如图1所示，中心进气管300为五个，其中，一个中心进气管300设在底盘本体100的中心，另外四个中心进气管300围绕该中心进气管300设置且沿底盘本体100的周向等间距设置。
[0031]外圈进气管组400为四个且沿底盘本体100的周向等间距设置，每个外圈进气管组400包括三个外圈进气管410。其中，每个外圈进气管组400中的三个外圈进气管410排列成圆环形且沿所述圆环形的周向等间距设置。换言之，每个外圈进气管组400中的三个外圈进气管410分别位于一个等边三角形的三个顶点处。
[0032]可选地，如图1所示，排气管500为四至八个且沿底盘本体100的周向等间距设置。
[0033]在本实用新型的一些具体示例中，如图1所示，电极200为三十六对且分布在底盘本体100的第一至第五圈上，所述第一至第五圈为以底盘本体100的中心为圆心且由内至外依次增大的四个同心圆。
[0034]具体地，所述第一圈上分布有两对电极200，所述第二圈上分布有四对电极200，所述第三圈上分布有八对电极200，所述第四圈上分布有八对电极200，所述第五圈上分布有十四对电极200。
[0035]在本实用新型的一些具体实施例中，如图2所示，用于多晶硅还原炉的底盘组件10还包括进气环管600和多个进气支管700。进气环管600上设有进气口且设置在底盘本体100下方。多个进气支管700连接在进气环管600上，多个中心