半导体晶棒熔炼拉晶装置的制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及半导体致冷件的原材料—晶棒的生产技术领域，名称是半导体晶棒熔炼拉晶装置，半导体晶棒熔炼拉晶装置，包括机座，在机座上具有可以升降的主立杆，主立杆和机座上有拉晶管的固定夹具，在机座上还有副立杆，副立杆上有升降动力装置，升降动力装置连接电磁加热线圈，电磁加热线圈内部具有套接在拉晶管外面的结构，在所述的电磁加热线圈内部和盛装拉晶管外面还安装有不锈钢套管；使用本实用新型可以得到受热更均匀、品质更好的晶棒。
【专利说明】
半导体晶棒熔炼拉晶装置
技术领域
[0001]本发明涉及半导体致冷件的原材料一晶棒的生产技术领域，具体地说是涉及半导体晶棒熔炼拉晶装置。
【背景技术】
[0002]半导体致冷件的原材料一晶棒的主要原料是三碲化二铋，这些原料在拉晶管中经过高温形成分子排列整齐的晶棒，在高温下原料的分子重新排列的过程就是拉晶，拉晶后的晶棒进行线切割生成半导体晶粒，然后将晶粒焊接在瓷板上就制造成半导体致冷件。
[0003]晶粒排列的整齐程度决定了半导体致冷件的效率，原料分子排列越整齐，半导体致冷件的致冷效率越高，反之，原料分子排列越杂乱，半导体致冷件的致冷效率越低，所以拉晶的效果决定了半导体致冷件的品质。
[0004]晶棒是在拉晶装置上进行的，拉晶装置具有加热环，现有技术中，拉晶炉的加热环是电加热的，这样的拉晶炉具有晶板温度升高不均匀的缺点，影响了拉晶的质量。
【发明内容】
[0005]本发明的目的就是针对上述缺点，提供一种晶棒受热更均匀、品质更好半导体晶棒熔炼拉晶装置。
[0006]本发明半导体晶棒的拉晶装置是这样实现的:半导体晶棒熔炼拉晶装置，包括机座，在机座上具有可以升降的主立杆，主立杆和机座上有拉晶管的固定夹具，其特征是:在机座上还有副立杆，副立杆上有升降动力装置，升降动力装置连接电磁加热线圈，电磁加热线圈内部具有套接在拉晶管外面的结构，在所述的电磁加热线圈内部和盛装拉晶管外面还安装有不锈钢套管。
[0007]本发明的有益效果是:这样的使用半导体晶棒的装置，可以得到受热更均匀、品质更好的晶棒。
【附图说明】
[0008]图1是本发明半导体晶棒的拉晶装置的结构示意图。
[0009]其中:1、机座2、主立杆3、固定夹具4、副立杆5、升降动力装置6、电磁加热线圈7、拉晶管8、不锈钢套管。
【具体实施方式】
[0010]下面结合附图和实施例对本发明作进一步的的说明。
[0011]如图1所示，半导体晶棒熔炼拉晶装置，包括机座I，在机座上具有可以升降的主立杆2，主立杆和机座上有拉晶管的固定夹具3，其特征是:在机座上还有副立杆4，副立杆上有升降动力装置5，升降动力装置连接电磁加热线圈6，电磁加热线圈内部具有套接在拉晶管7外面的结构，在所述的电磁加热线圈内部和盛装拉晶管外面还安装有不锈钢套管8。这样不锈钢管耐温1200°C，可以起到切割磁力线的作用，产生热量，还具有防止拉晶管破裂，另外其还具有均温的作用，拉晶的效果也更好。
[0012]以上所述仅为本发明的具体实施例，但本发明的结构特征并不限于此，任何本领域的技术人员在本发明的领域内，所作的变化或修饰皆涵盖在本发明的专利范围内。
【主权项】
1.半导体晶、半导体晶棒熔炼拉晶装置，包括机座，在机座上具有可以升降的主立杆，主立杆和机座上有拉晶管的固定夹具，其特征是:在机座上还有副立杆，副立杆上有升降动力装置，升降动力装置连接电磁加热线圈，电磁加热线圈内部具有套接在拉晶管外面的结构，在所述的电磁加热线圈内部和盛装拉晶管外面还安装有不锈钢套管。
【文档编号】C30B29/06GK205576350SQ201620413568
【公开日】2016年9月14日
【申请日】2016年5月10日
【发明人】陈磊, 陈建民, 赵丽萍, 钱俊友, 张文涛, 蔡水占, 张会超, 王东胜
【申请人】河南鸿昌电子有限公司