一种高抗弯强度电容器薄膜专用填料及其制备方法
【专利摘要】一种高抗弯强度电容器薄膜专用填料,由下列重量份的原料制成：对苯二甲酸二辛酯2-4、硼化钨7-10、正丙醇锆2-3、氧化锆纳米粉5-8、聚异丁烯2-3、高岭土8-10、熟亚麻油1-2、聚异丁烯琥珀酰酯2-3、城市污泥55-65、5-7%盐酸适量、水适量、助剂15-20；本发明填料能够增加薄膜的断裂韧性和抗弯强度，薄膜易成型，不易破损，介电性能优异；通过添加硼化钨、氧化锆纳米粉，不仅能增加薄膜的强度、耐磨性，还能增加薄膜的耐热性能；通过使用城市污泥，降低了成本，细度高，补强性能好；通过使用本发明助剂，能提高填料的分散性、补强性能，能提高薄膜的强度和耐冲击韧性。
【专利说明】一种高抗弯强度电容器薄膜专用填料及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于电容器薄膜领域，特别涉及一种高抗弯强度电容器薄膜专用填料及其 制备方法。
【背景技术】
[0002] 薄膜电容器由于具有很多优良的特性，因此是一种性能优秀的电容器。它的主要 等性如下：无极性，绝缘阻抗很高，频率特性优异（频率响应宽广），而且介质损失很小。基 于以上的优点，所以薄膜电容器被大量使用在模拟电路上。尤其是在信号交连的部份，必须 使用频率特性良好，介质损失极低的电容器，方能确保信号在传送时，不致有太大的失真情 形发生。
[0003] 在所有的塑料薄膜电容当中，聚丙烯（PP)电容和聚苯乙烯（PS)电容的特性最为 显著，所以近年来PP电容和PS电容被使用在音响器材的频率与数量也愈来愈高。单纯的聚 丙烯（PP)薄膜虽然具有耐热、耐腐蚀，制品可用蒸汽消毒的突出优点，而且密度小，是最轻 的通用塑料；但是其存在耐低温冲击性差，较易老化的缺点。聚苯乙烯（PS)薄膜具有极高 的透明度，电绝缘性能好，易着色，加工流动性好，刚性好及耐化学腐蚀性好，但是比较脆， 冲击强度低，易出现应力开裂，耐热性差及不耐沸水；因此需要对薄膜进行改性。而且随着 电容器的应用范围逐渐增多，薄膜的性能也需要改善，比如耐热、耐低温、耐酸碱、耐腐蚀、 强度、耐老化、耐紫外线、阻燃、耐磨、韧性、耐冲击等性能需要改善，可以通过添加填料改性 来改善性能。
【发明内容】
[0004] 本发明的目的在于提供一种高抗弯强度电容器薄膜专用填料及其制备方法，该填 料能够增加薄膜的断裂韧性和抗弯强度，薄膜易成型，不易破损，介电性能优异，不仅能增 加薄膜的强度、耐磨性，还能增加薄膜的耐热性能。
[0005] 本发明的技术方案如下： 一种高抗弯强度电容器薄膜专用填料，其特征在于由下列重量份的原料制成：对苯 二甲酸二辛酯2-4、硼化钨7-10、正丙醇锆2-3、氧化锆纳米粉5-8、聚异丁烯2-3、高岭土 8-10、熟亚麻油1-2、聚异丁烯琥珀酰酯2-3、城市污泥55-65、5-7%盐酸适量、水适量、助剂 15-20 ； 所述助剂由下列重量份的原料制成：超细硅微粉2 - 3、草木灰5 - 7、1 - 2 %盐酸溶液 10-15、松节油0.3-0. 4、聚酯丙烯酸酯1-2、硬脂酸镁1-2、对苯二酚0.2-0. 4、碳化铬 1. 3-1. 6、甲基丙烯酸酯2-3、油酸锌0. 4-0. 6、乌洛托品0. 2-0. 3、姜精油0. 3-0. 4、油酸1-2、 硅烷偶联剂KH-550 1-2、过硫酸钠0. 1-0. 2、月桂酸聚氧乙烯酯0. 1-0. 2、水适量；制备方法 为：将草木灰与1-2%盐酸溶液混合，加热至70-80°C，搅拌反应20-30分钟，水洗至pH为 6-8，烘干，再与松节油、对苯二酚、油酸锌、乌洛托品、姜精油、油酸、硅烷偶联剂KH-550混 合，研磨15-20分钟，得草木灰颗粒；再将月桂酸聚氧乙烯酯加入适量水中，再加入草木灰 颗粒，搅拌均匀后加入聚酯丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯，搅拌均匀后升温至80-90°C，加入过硫 酸钠，搅拌反应20-30分钟，再加入碳化铬、超细硅微粉，继续搅拌反应30-40分钟，烘干，与 其他剩余成分混合，分散研磨成2-50 μ m的颗粒，即得。
[0006] 所述的高抗弯强度电容器薄膜专用填料的制备方法，其特征在于包括以下步骤： (1) 将高岭土、城市污泥送入煅烧炉中，在700-800°C下煅烧2-3个小时，取出粉碎，过 100目筛，再加入2-3倍的5-7%盐酸，加热至50-70°C，搅拌10-20分钟，过滤，得滤渣，按上 述方法再酸洗一次，再水洗至中性，过滤，得颗粒； (2) 将对苯二甲酸二辛酯、硼化钨、正丙醇锆、聚异丁烯、熟亚麻油、聚异丁烯琥珀酰酯 混合，研磨20-30分钟，得混合物料； (3) 将第（1)步和第（2)步得到的物料与氧化锆纳米粉混合，加入适量水搅拌成泥状， 研磨成2-50 μ m的浆料，喷雾干燥，再与其他剩余成分混合均匀，即得。
[0007] 本发明的有益效果 本发明填料能够增加薄膜的断裂韧性和抗弯强度，薄膜易成型，不易破损，介电性能优 异；通过添加硼化钨、氧化锆纳米粉，不仅能增加薄膜的强度、耐磨性，还能增加薄膜的耐热 性能；通过使用城市污泥，降低了成本，细度高，补强性能好；通过使用本发明助剂，能提高 填料的分散性、补强性能，能提高薄膜的强度和耐冲击韧性。
【具体实施方式】
[0008] -种高抗弯强度电容器薄膜专用填料，由下列重量份(公斤）的原料制成：对苯二 甲酸二辛酯3、硼化钨8、正丙醇锆2. 5、氧化锆纳米粉7、聚异丁烯2. 5、高岭土 9、熟亚麻油 1. 5、聚异丁烯琥珀酰酯2. 5、城市污泥60、6%盐酸适量、水适量、助剂18 ; 所述助剂由下列重量份(公斤）的原料制成：超细硅微粉2. 5、草木灰6、1. 5%盐酸溶液 13、松节油0. 3、聚酯丙烯酸酯1. 5、硬脂酸镁1. 5、对苯二酚0. 3、碳化铬1. 4、甲基丙烯酸酯 2. 5、油酸锌0. 5、乌洛托品0. 2、姜精油0. 3、油酸1. 5、硅烷偶联剂KH-550 1. 5、过硫酸钠 〇. 1、月桂酸聚氧乙烯酯〇. 1、水适量；制备方法为：将草木灰与1. 5%盐酸溶液混合，加热至 75 °C，搅拌反应25分钟，水洗至pH为7，烘干，再与松节油、对苯二酚、油酸锌、乌洛托品、姜 精油、油酸、硅烷偶联剂KH-550混合，研磨18分钟，得草木灰颗粒；再将月桂酸聚氧乙烯酯 加入适量水中，再加入草木灰颗粒，搅拌均匀后加入聚酯丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯，搅拌均 匀后升温至85°C，加入过硫酸钠，搅拌反应25分钟，再加入碳化铬、超细硅微粉，继续搅拌 反应35分钟，烘干，与其他剩余成分混合，分散研磨成2-50 μ m的颗粒，即得。
[0009] 所述的高抗弯强度电容器薄膜专用填料的制备方法，包括以下步骤： (1) 将高岭土、城市污泥送入煅烧炉中，在750°C下煅烧2. 5个小时，取出粉碎，过100 目筛，再加入2. 5倍的6%盐酸，加热至60°C，搅拌15分钟，过滤，得滤渣，按上述方法再酸洗 一次，再水洗至中性，过滤，得颗粒； (2) 将对苯二甲酸二辛酯、硼化钨、正丙醇锆、聚异丁烯、熟亚麻油、聚异丁烯琥珀酰酯 混合，研磨25分钟，得混合物料； (3) 将第（1)步和第（2)步得到的物料与氧化锆纳米粉混合，加入适量水搅拌成泥状， 研磨成2-50 μ m的浆料，喷雾干燥，再与其他剩余成分混合均匀，即得。
[0010] 实验数据：将本实施例的填料添加到聚丙烯电容器薄膜中，添加量为10-15%，薄 膜厚度为2-5(^111，薄膜击穿电压值彡0.601^/^111(100°〇。
【权利要求】
1. 一种高抗弯强度电容器薄膜专用填料，其特征在于由下列重量份的原料制成：对 苯二甲酸二辛酯2-4、硼化钨7-10、正丙醇锆2-3、氧化锆纳米粉5-8、聚异丁烯2-3、高岭土 8-10、熟亚麻油1-2、聚异丁烯琥珀酰酯2-3、城市污泥55-65、5-7%盐酸适量、水适量、助剂 15-20 ； 所述助剂由下列重量份的原料制成：超细硅微粉2 - 3、草木灰5 - 7、1 - 2 %盐酸溶液 10-15、松节油0.3-0. 4、聚酯丙烯酸酯1-2、硬脂酸镁1-2、对苯二酚0.2-0. 4、碳化铬 1. 3-1. 6、甲基丙烯酸酯2-3、油酸锌0. 4-0. 6、乌洛托品0. 2-0. 3、姜精油0. 3-0. 4、油酸1-2、 硅烷偶联剂KH-550 1-2、过硫酸钠0. 1-0. 2、月桂酸聚氧乙烯酯0. 1-0. 2、水适量；制备方法 为：将草木灰与1-2%盐酸溶液混合，加热至70-80°C，搅拌反应20-30分钟，水洗至pH为 6-8，烘干，再与松节油、对苯二酚、油酸锌、乌洛托品、姜精油、油酸、硅烷偶联剂KH-550混 合，研磨15-20分钟，得草木灰颗粒；再将月桂酸聚氧乙烯酯加入适量水中，再加入草木灰 颗粒，搅拌均匀后加入聚酯丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯，搅拌均匀后升温至80-90°C，加入过硫 酸钠，搅拌反应20-30分钟，再加入碳化铬、超细硅微粉，继续搅拌反应30-40分钟，烘干，与 其他剩余成分混合，分散研磨成2-50 μ m的颗粒，即得。
2. 根据权利要求1所述的高抗弯强度电容器薄膜专用填料的制备方法，其特征在于包 括以下步骤： (1) 将高岭土、城市污泥送入煅烧炉中，在700-800°C下煅烧2-3个小时，取出粉碎，过 100目筛，再加入2-3倍的5-7%盐酸，加热至50-70°C，搅拌10-20分钟，过滤，得滤渣，按上 述方法再酸洗一次，再水洗至中性，过滤，得颗粒； (2) 将对苯二甲酸二辛酯、硼化钨、正丙醇锆、聚异丁烯、熟亚麻油、聚异丁烯琥珀酰酯 混合，研磨20-30分钟，得混合物料； (3) 将第（1)步和第（2)步得到的物料与氧化锆纳米粉混合，加入适量水搅拌成泥状， 研磨成2-50 μ m的浆料，喷雾干燥，再与其他剩余成分混合均匀，即得。
【文档编号】C08L23/12GK104140565SQ201410368744
【公开日】2014年11月12日 申请日期:2014年7月30日 优先权日:2014年7月30日
【发明者】蒋智谋, 周施峰, 周梅永, 胡加峰, 谢水兵, 张超, 崔海威, 吴华, 董子侠 申请人:安徽状元郎电子科技有限公司