1.一种电子工业用完全无卤素无VOC水基清洗剂,其特征在于,其组成成分质量配比为:
2.根椐权利要求1所述的电子工业用完全无卤素无VOC水基清洗剂,其特征在于,所述的有机胺碱为一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、3-丙醇胺、甲酰胺、乙酰胺、丙酰胺、丁酰胺、异丁酰胺中的一种或几种组合。
3.根椐权利要求1所述的电子工业用完全无卤素无VOC水基清洗剂,其特征在于,所述特种无机盐为硅酸钾、硅酸钠、硅酸钾钠中的一种或几种组合。
4.根椐权利要求1所述的电子工业用完全无卤素无VOC水基清洗剂,其特征在于,所述的助溶杀菌剂为乙醇、异丙醇、二丙二醇、二甘醇、丙二醇甲醚、乙二醇乙醚、二丙二醇二甲醚、乙二醇单丁醚、乙二醇单甲醚、二甘醇单甲醚、丙二醇甲醚、二甘醇乙醚、丙二醇单甲醚中的一种或几种组合。
5.根椐权利要求1所述的电子工业用完全无卤素无VOC水基清洗剂,其特征在于,所述的助溶增强剂为丁二酸二甲酯、戊二酸二甲酯、己二酸二辛酯、癸二酸二辛酯、芳香酸酯、醋酸丁酯、乳酸乙酯、已二酸二甲酯、丙二酸二乙酯中的一种或几种组合。
6.根椐权利要求1所述的电子工业用完全无卤素无VOC水基清洗剂,其特征在于,所述的表面活性剂为壬酚基聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、异辛基酚聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚、十二烷基苯磺酸钠中的一种或几种组合。
7.根椐权利要求1所述的电子工业用完全无卤素无VOC水基清洗剂,其特征在于,所述的缓蚀剂为2-苯甲咪唑、2-甲基咪唑、2-巯基并咪唑、甲基苯三氮唑中的一种或几种组合。
8.根椐权利要求1所述的电子工业用完全无卤素无VOC水基清洗剂,其特征在于,所述的消泡剂为特种有机硅消泡剂SJ-200、SJ-210、SJ-215中的一种或几种组合。
9.一种权利要求1-8任一所述的电子工业用完全无卤素无VOC水基清洗剂的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
在常温常压下,在带有搅拌器的反应釜中,加入去离子水开始搅拌,先加入特种无机盐完全溶解后,依次加入有机胺碱、助溶杀菌剂、助溶增强剂、表面活性剂、缓蚀剂、消泡剂持续搅拌至固体物料完全溶化,混合均匀合,停止搅拌;静置过滤后即为完全无卤素无VOC水基清洗剂。
10.一种权利要求1-8任一所述电子工业用完全无卤素无VOC水基清洗剂的使用方法,其特征在于,用去离子水与本清洗剂按1-5:1配制成清洗液进行清洗,在50-70℃时用超声波、浸泡或喷淋清洗。