随着持续小型化(例如在半导体工业中)，对衬底上的无机膜的需求增加，同时对该膜的质量要求变得更加严格。无机膜用于不同目的，例如阻隔层、电介质、导电特征、封盖或精细结构的隔离。已知有数种产生无机薄膜的方法，其中之一是在衬底上由气态沉积成膜化合物。为了在中等温度下使金属原子变为气态，必须提供挥发性前体，例如通过使金属与合适配体配位。在将配位的金属沉积至衬底之后，需要除去这些配体。wo02/02574a1公开了用于化学气相沉积的含有三烷基或三芳基膦配体的配合物。然而，该类配合物在分解后会在金属膜中留下显著量的杂质。而且，所述配合物在储存与加热时稳定性不足。a.chirila等在coordinationchemistryreviews，第270-271卷(2014)，第57-74页中公开了膦杂炔烃配合物。然而，并没有给出其在气相沉积法中的适用性的指示。本发明的目的是提供一种在经济可行条件下在固体衬底上产生高质量且具有再现性的含金属膜的方法。希望的是，该方法可在含金属前体在与固体衬底接触前尽可能少地分解下进行。同时，希望提供一种前体在沉积至固体衬底后容易地分解而在金属膜中留下极少杂质的方法。还意欲提供一种使用含金属前体的方法，所述含金属前体可容易地改性且仍保持稳定，以使前体的性质符合特定需求。这些目的通过一种包括使通式(i)化合物变为气态或气溶胶态，且将通式(i)化合物由气态或气溶胶态沉积至固体衬底上的方法实现，ln----m---xm(i)其中：m为金属，l为与m配位的配体，且含有至少一个磷-碳多重键，其中l含有含磷杂环或磷-碳三键，x为与m配位的配体，n为1-5，且m为0-5。本发明进一步涉及通式(i)化合物用于在固体衬底上形成膜的方法的用途，其中：m为金属，l为与m配位的配体，且含有至少一个磷-碳多重键，其中l含有含磷杂环或磷-碳三键，x为与m配位的配体，n为1-5，且m为0-5。本发明的优选实施方案可在说明书和权利要求书中找到。不同实施方案的组合落入本发明范围之内。在本发明的方法中，使通式(i)化合物变为气态或气溶胶态。配体l通常经由磷-碳多重键的至少一个π键键合至m。根据本发明，m为金属。这些包括li、be、na、mg、al、k、ca、sc、ti、v、cr、mn、fe、co、ni、cu、zn、ga、rb、sr、y、zr、nb、mo、tc、ru、rh、pd、ag、cd、insn、cs、ba、la、ce、pr、nd、pm、sm、eu、gd、tb、dy、ho、er、tm、yb、lu、hf、ta、w、re、osir、pt、au、hg、tl、bi。优选地，m为过渡金属，更优选为ni、co、mn、ti、ta或w，尤其为ni或co。金属m可处于各种氧化态，例如0、+1、+2或+3。优选地，通式(i)化合物为电中性的。如果m带电，则l和x优选补偿电荷以使通式(i)化合物为电中性的。根据本发明，l为与m配位且含有至少一个磷-碳多重键的配体。磷-碳多重键包括磷-碳双键和磷-碳三键。l可仅含有一个磷-碳双键或三键。l也可含有超过一个磷-碳双键或三键。在这种情况下，这些多重键可彼此共轭。在一些情况下，该共轭形成芳族体系。在本发明上下文中，作为芳族体系一部分的磷-碳键被视为磷-碳多重键。根据本发明，n为1-5，这意指n为1、2、3、4或5。通常，对于小金属m，n为1-3，例如对于第一列过渡金属(例如co或ni)。对于较大金属m如w，n可为4或5。根据本发明，通式(i)化合物中的配体x可为与m配位的任何配体。如果通式(i)化合物含有超过一个x，则所有x可彼此相同或不同，优选至少两个x彼此不同，特别是所有x彼此不同。任意或所有的x可处于m的任何配体球中，例如处于内配体球中、处于外配体球中，或者是仅仅松散地与m缔合。优选地，x处于m的内配体球中。据信如果所有配体x均处于m的内配体球中，则通式(i)化合物的挥发性高，以至于其可变为气态或气溶胶态而不分解。本发明的通式(i)化合物中的配体x包括卤素的阴离子，例如氟离子、氯离子、溴离子或碘离子；拟卤素的阴离子，例如氰根、异氰根、氰酸根、异氰酸根、硫氰酸根、异硫氰酸根或叠氮离子。其它合适的配体x为烷基阴离子，例如甲基、乙基、丁基或新戊基阴离子；以及含硅的烷基，例如三甲基甲硅烷基甲基。另一种可能的配体x为氢化物、一氧化氮(no)和一氧化碳(co)。此外，x可为经由中性或阴离子氮原子(例如在与m配位之前脱质子化)与m配位的配体。该类配体包括胺配体，其中配位的氮原子是脂族的，例如在二烷基胺、哌啶、吗啉、六甲基二硅氮烷中；氨基酰亚胺；或者为芳族的，例如在吡咯、吲哚、吡啶或吡嗪中。优选地，x为经由至少两个中性或阴离子氮原子配位的配体。这些包括脒，例如乙脒或n,n'-双异丙基乙脒；胍类，例如胍；氨基亚胺，例如2-(n-叔丁基氨基)-2-甲基丙醛-n-叔丁基亚胺；二亚胺，例如乙二醛-n,n'-二叔丁基二亚胺或2,4-戊二酮二亚胺；亚氨基吡咯，例如吡咯-2-甲醛叔丁基亚胺或吡咯-2,5-二甲醛叔丁基二亚胺。x还可为其中氧原子与m配位的配体。实例为链烷醇根、四氢呋喃、乙酰丙酮酸根或1,1,1,5,5,5-五氟乙酰丙酮。x的其它合适实例包括氮和氧原子均与m配位的那些，包括二甲基氨基异丙醇、甲酰胺、乙酰胺和2,4-戊二酮-n-异丙基亚胺。合适的x还有经由磷原子与m配位的配体。这些包括三取代的膦，包括三烷基膦、二烷基芳基膦、烷基二芳基膦或三芳基膦，其中如果存在超过一个烷基或芳基，则该烷基或芳基可彼此相同或不同。实例包括三甲基膦、三甲氧基膦、甲基二甲氧基膦、三叔丁基膦、三环己基膦、二异丙基叔丁基膦、二甲基叔丁基膦、三苯基膦和三甲苯基膦。x还可为借助π键与m配位的不饱和烃。这些可为脂族的或芳族的。不饱和烃包括烯烃，例如乙烯、丙烯、异丁烯、环己烯、环辛烯、环辛二烯、苯乙烯；和炔，例如乙炔、丙炔、2-丁炔。x还可为不饱和阴离子烃，其可经由阴离子和不饱和键配位，例如烯丙基或2-甲基烯丙基。经由π键与m配位的芳族x包括环戊二烯阴离子和取代的环戊二烯阴离子。对x而言，具有低汽化温度的小配体是优选的。对x而言，在质子化(例如通过表面结合的质子)时可容易地转化成挥发性中性化合物的小阴离子配体是优选的。实例包括甲基、乙基、丙基、新戊基、三甲基甲硅烷基甲基、二甲基酰胺、二乙基酰胺、烯丙基、2-甲基烯丙基。优选的配体x为co、no、腈根、溴离子、甲基、乙烯、环辛烯、2-丁炔或三烷基膦，特别是co、no或三甲基膦。根据本发明，m为0-5，这意指m为0、1、2、3、4或5。n与m之和取决于金属m上的可用配位位点。该总和通常不大于8，对较小的金属m而言，该总和通常不大于6。优选地，通式(i)化合物的分子量可至多为1000g/mol，更优选至多800g/mol，特别是至多600g/mol，例如至多500g/mol。l可含有含磷杂环。该环包括四元环、五元环、六元环、七元环和八元环，优选四元环。所述环可含有1、2、3或4个，优选2个磷原子。更优选地，l为l1，因此通式(i)化合物为通式(ia)化合物：其中r1和r2彼此独立地不存在，为氢、烷基、芳基或甲硅烷基，且其中r3和r4彼此独立地为烷基、芳基或甲硅烷基。r1和r2、r3和r4可全部相同，或者两个或三个相同而剩余的不同，或者它们全部彼此不同。优选地，r1、r2、r3和r4中的至少两个相同；更优选地，r1和r2相同且r3和r4相同。优选地，r1和r2不存在。优选地，r3和r4为烷基。烷基可为直链或支化的。直链烷基的实例为甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基和正癸基。支化烷基的实例为异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、2-甲基戊基、2-乙基己基、环丙基、环己基、2,3-二氢化茚基、降冰片基或金刚烷基。优选地，烷基为c1-c8烷基，更优选为c1-c6烷基，特别为c1-c4烷基，例如甲基或乙基。芳基包括芳烃，例如苯基、萘基、蒽基和菲基；以及杂芳基，例如吡咯基、呋喃基、噻吩基、吡啶基、喹啉基、苯并呋喃基、苯并噻吩基和噻吩并噻吩基。这些基团中的数种或这些基团的组合也是可能的，例如联苯基、噻吩基苯基或呋喃基噻吩基。芳基可被取代，例如被卤素如氟、氯、溴和碘，拟卤素如氰根、氰酸根、硫氰酸根；醇；烷基链或烷氧基链取代；优选被烷基链取代，例如在甲苯基、二甲苯基或2,4,6-三甲苯基中。优选为芳烃，更优选为苯基。甲硅烷基为通常具有三个取代基的硅原子。优选地，甲硅烷基具有式siy3，其中y彼此独立地为氢、烷基、芳基或甲硅烷基。三个y可全部相同；或两个y相同，而剩余的y不同；或者三个y全部彼此不同。烷基和芳基如上文所述。甲硅烷基的实例包括sih3、甲基甲硅烷基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三正丙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三环己基甲硅烷基、二甲基叔丁基甲硅烷基、二甲基环己基甲硅烷基、甲基二异丙基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、苯基甲烷基、二甲基苯基甲硅烷基和五甲基二甲硅烷基。下表给出了具有配体l1的通式(i)化合物的一些优选实例。cp表示环戊二烯基。另一优选配体l为l2，因此通式(i)化合物为通式(ib)化合物：其中r5不存在，为氢、烷基、芳基或甲硅烷基，且其中r6、r7、r8和r9彼此独立地为氢、烷基、芳基或甲硅烷基。定义与优选实施方案如上文所述。下表给出了具有配体l2的通式(i)化合物的一些优选实例。化合物mnr5r6r7r8r9xmib-1co1-甲基甲基甲基甲基co2ib-2co1-甲基甲基甲基甲基cod1ib-3co1-叔丁基hh叔丁基cod1ib-4co1-叔丁基hh叔丁基co2cod表示1,5-环辛二烯。l可含有磷-碳三键，例如取代的磷杂乙炔。在一些情况下，通式(i)化合物形成经由该l桥接的二聚体。在该优选情况下，通式(i)化合物为通式(ic)的二聚体：其中r5为烷基、芳基或甲硅烷基。所述烷基、芳基和甲硅烷基如上文所述。特别优选地，通式(ic)中的m为co。下表给出了通式(ic)化合物的一些优选实例。本发明方法中所用的通式(i)化合物以高纯度使用以获得最佳结果。高纯度意指所用的物质含有至少90重量％的通式(i)化合物，优选至少95重量％的通式(i)化合物，更优选至少98重量％的通式(i)化合物，特别是至少99重量％的通式(i)化合物。纯度可通过根据din51721(prüfungfesterbrennstoffe-bestimmungdesgehaltesankohlenstoffundwasserstoff-verfahrennachradmacher-hoverath，2001年8月)的元素分析来确定。在本发明的方法中，使通式(i)化合物变为气态或气溶胶态。这可通过将通式(i)化合物加热至升高的温度来实现。在任何情况下，必须选择低于通式(i)化合物的分解温度的温度。优选地，加热温度为稍高于室温至300℃，更优选为30-250℃，甚至更优选为40-200℃，特别为50-150℃。使通式(i)化合物变为气态或气溶胶态的另一种方式是直接液体注射(dli)，例如如us2009/02226612a1所述。在该方法中，通常将通式(i)化合物溶解在溶剂中，并在载气中或在真空中喷雾。取决于通式(i)化合物的蒸气压、温度和压力，使通式(i)化合物变为气态或气溶胶态。可使用各种溶剂，条件是通式(i)化合物在该溶剂中显示出足够的溶解度，例如至少1g/l，优选至少10g/l，更优选至少100g/l。这些溶剂的实例为配位溶剂，例如四氢呋喃、二烷、二乙氧基乙烷和吡啶；或者为非配位溶剂，例如己烷、庚烷、苯、甲苯或二甲苯。溶剂混合物也是合适的。包含通式(i)化合物的气溶胶应包含非常细的液滴或固体颗粒。优选地，所述液滴或固体颗粒具有不大于500nm，更优选不大于100nm的重均直径。液滴或固体颗粒的重均直径可通过如iso22412：2008所述的动态光散射测定。还可能的是，通式(i)化合物的一部分为气态，其余为气溶胶态，例如由于通式(i)化合物的有限蒸气压导致气溶胶态的通式(i)化合物部分蒸发。或者，可通过直接液体蒸发(dle)使通式(i)化合物变为气态或气溶胶态，例如如j.yang等(journalofmaterialschemistry，2015年)所述。在该方法中，将通式(i)化合物与溶剂(例如烃，例如十四烷)混合，并加热至低于溶剂的沸点。通过溶剂的蒸发，使通式(i)化合物变为气态或气溶胶态。该方法具有不在表面上形成颗粒状污染物的优点。优选地，使通式(i)化合物在减压下变为气态或气溶胶态。以此方式，所述方法通常可在较低的加热温度下进行，从而导致通式(i)化合物的分解减少。还可使用升高的压力来将处于气态或气溶胶态的通式(i)化合物推向固体衬底。通常使用惰性气体如氮气或氩气作为载气来实现该目的。压力优选为10巴至10-7毫巴，更优选为1巴至10-3毫巴，特别为1-0.01毫巴，例如0.1毫巴。在本发明的方法中，将通式(i)化合物由气态或气溶胶态沉积至固体衬底上。固体衬底可为任何固体材料，这些包括例如金属、半金属、氧化物、氮化物和聚合物。还可能的是，衬底是不同材料的混合物。金属的实例为铝、钢、锌和铜。半金属的实例为硅、锗和砷化镓。氧化物的实例为二氧化硅、二氧化钛和氧化锌，氮化物的实例为氮化硅、氮化铝、氮化钛和氮化镓。聚合物的实例为聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)和聚酰胺。固体衬底可具有任何形状。这些包括片、板、膜、纤维、各种尺寸的颗粒，以及具有沟槽或其它凹陷的衬底。固体衬底可为任何尺寸的。如果固体衬底具有颗粒的形状，则颗粒的尺寸可为低于100nm至数厘米，优选为1μm至1mm。为了避免颗粒或纤维在通式(i)化合物沉积至其上时彼此沾粘，优选为使其保持运动。这可例如通过搅拌、通过旋转鼓或通过流化床技术来实现。如果衬底与通式(i)化合物接触，则发生沉积。通常，沉积方法可以以两种不同的方式进行：将衬底加热至高于或低于通式(i)化合物的分解温度。如果将衬底加热至高于通式(i)化合物的分解温度，则只要更多气态或气溶胶态的通式(i)化合物到达固体衬底的表面，通式(i)化合物就会在固体衬底表面上连续分解。该方法通常为化学气相沉积(cvd)。通常，由于有机材料从金属m解吸，因此在固体衬底上形成具有均质组成(例如金属氧化物或氮化物)的无机层。通常将该固体衬底加热至300-1000℃，优选350-600℃的温度。或者，衬底低于通式(i)化合物的分解温度。固体衬底的温度通常等于或低于通式(i)化合物变为气态或气溶胶态时的温度，通常为室温或仅稍高于室温。优选地，衬底的温度比通式(i)化合物变为气态或气溶胶态时的温度低至少30℃。优选地，衬底的温度为室温至400℃，更优选为100-300℃，例如150-220℃。通式(i)化合物在固体衬底上的沉积为物理吸附或化学吸附过程。优选地，通式(i)化合物化学吸附至固体衬底上。可确定通式(i)化合物是否化学吸附至固体衬底的一种方式为将具有含所述衬底表面的石英晶体的石英微量天平暴露于气态或气溶胶态的通式(i)化合物。通过石英晶体的固有频率来记录质量的增加。一旦石英晶体所处的腔室被抽真空，则质量不应降低至初始质量，但如果发生了化学吸附，则会残留大约单层的通式(i)化合物。在通式(i)化合物化学吸附至固体衬底的大多数情况下，由于与衬底成键，m的x射线光电子光谱(xps)信号(iso13424，en-surfacechemicalanalysis-x-rayphotoelectronspectroscopy-reportingofresultsofthin-filmanalysis，2013年10月)会发生改变。如果将本发明方法中的衬底温度保持为低于通式(i)化合物的分解温度，则通常会在固体衬底上沉积单层。一旦在固体衬底上沉积了通式(i)的分子，则在其上进一步沉积通常变得不太可能。因此，在固体衬底上沉积通式(i)化合物优选为一个自限工艺步骤。自限沉积方法的步骤的典型层厚为0.01-1nm，优选为0.02-0.5nm，更优选为0.03-0.4nm，特别为0.05-0.2nm。层厚通常通过如pas1022de(referenzverfahrenzurbestimmungvonoptischenunddielektrischenmaterialeigenschaftensichiederschichtdickedünnerschichtenmittelsellipsometrie，2004年2月)所述的椭圆偏光法来测量。通常希望构建比刚才所述的层更厚的层。为了在本发明的方法中实现这一点，优选通过除去所有l和x来分解沉积的通式(i)化合物，随后进一步沉积通式(i)化合物。优选实施该工序至少2次，更优选至少10次，特别是至少50次。在本发明的上下文中，除去所有l和x意指除去沉积的通式(i)化合物中的l和x总重量的至少95重量％，优选至少98重量％，特别是至少99重量％。分解可以以各种方式进行。可将固体衬底的温度升高至高于分解温度。此外，可将沉积的通式(i)化合物暴露于等离子体，例如氧等离子体或氢等离子体；氧化剂，例如氧气、氧自由基、臭氧、一氧化二氮(n2o)、一氧化氮(no)、二氧化氮(no2)或过氧化氢；还原剂，例如氢气、醇、肼或羟胺；或溶剂，例如水。优选使用氧化剂、等离子体或水以获得金属氧化物层。优选为暴露于水、氧等离子体或臭氧。特别优选为暴露于水。如果需要元素态金属层，则优选使用还原剂，优选的实例为氢气、氢自由基、氢等离子体、氨、氨自由基、氨等离子体、肼、n,n-二甲基肼、硅烷、二硅烷、三硅烷、环戊硅烷、环己硅烷、二甲基硅烷、二乙基硅烷或三甲硅烷基胺；更优选为氢气、氢自由基、氢等离子体、氨、氨自由基、氨等离子体、肼、n,n-二甲基肼和硅烷；特别为氢。还原剂可直接导致沉积的通式(i)化合物分解，或者其可在通过不同试剂(例如水)分解沉积的通式(i)化合物之后施加。对于金属氮化物层，优选使用氨或肼。由于配体l的芳族部分的平面性(这是两个亚氨基甲基共轭至配体l中的吡咯单元的结果)，据信小分子可容易地接近金属m。通常观察到所生成膜的分解时间短且纯度高。含自限工艺步骤及随后的自限反应的沉积方法通常称为原子层沉积(ald)。等同的措辞有分子层沉积(mld)或原子层外延(ale)。因此，本发明的方法优选为ald方法。ald方法由george(chemicalreviews110(2010)，111-131)详细描述。本发明方法的特别优点为通式(i)化合物是非常多用途的，因此可在宽范围内改变工艺参数。因此，本发明的方法包括cvd方法以及ald方法。取决于以ald方法实施的本发明方法的工序数目，会产生各种厚度的膜。优选地，在固体衬底上沉积通式(i)化合物以及分解沉积的通式(i)化合物的工序实施至少2次。该工序可重复许多次，例如10-500次，优选20-200次，例如50或100次，通常，该工序不会重复超过1000次。理想地，膜厚与实施的工序数目成比例。然而，实际上对前30-50个工序观察到与比例关系存在某种偏差。据认为是固体衬底的表面结构的不规则性导致了该非比例性。本发明方法的一个工序可耗时数毫秒至数分钟，优选0.1秒至1分钟，特别是1-10秒。处于比通式(i)化合物分解温度低的温度下的固体衬底暴露于通式(i)化合物中越久，则形成具有越少缺陷的越规整的膜。本发明的方法得到了膜。膜可为仅仅一个单层的沉积式(i)化合物、数层连续沉积和分解的通式(i)化合物层，或者是数个不同的层(其中膜中的至少一个层通过使用通式(i)化合物来产生)。膜可包含缺陷，例如孔。然而，这些缺陷通常占膜所覆盖的表面积的小于一半。所述膜优选为无机膜。为了产生无机膜，必须如上所述从膜中除去所有有机配体l和x。更优选地，所述膜为元素态金属膜。所述膜可具有0.1nm至1μm或更大的厚度，这取决于如上所述的成膜方法。优选地，所述膜具有0.5-50nm的厚度，所述膜优选具有非常均匀的膜厚，这意指衬底不同位置处的膜厚变化非常小，通常小于10％，优选小于5％。此外，所述膜优选为衬底表面上的共形膜(conformalfilm)。用于测定膜厚和均匀性的合适方法为xps或椭圆偏光法。通过本发明方法获得的膜可用于电子元件中。电子元件可具有各种尺寸的结构特征，例如100nm至100μm。形成电子元件用膜的方法特别适于非常精细的结构，因此，优选为尺寸小于1μm的电子元件。电子元件的实例为场效应晶体管(fet)、太阳能电池、发光二极管、传感器或电容器。在光学器件如发光二极管或光传感器中，本发明的膜用来提高反射光的层的反射率。传感器的实例为氧传感器，其中所述膜可用作氧传导体，例如如果制备金属氧化物膜。在使用金属氧化物半导体的场效应晶体管(mos-fet)中，所述膜可作为介电层或作为扩散阻隔物。还可由所述膜制造半导体层，其中在固体衬底上沉积元素态镍–硅。优选的电子元件为晶体管。优选地，所述膜在晶体管中用作触点。如果晶体管由硅制成，则在沉积镍或钴并将其加热后，一些硅可能扩散至镍中以形成例如nisi或cosi2。实施例实施例1化合物ia-1根据wolf等，angewandtechemieinternationaledition，第47卷(2008)，第4584页的程序合成。其在10-2毫巴下在90-100℃下升华，其熔点为193℃。图1显示了ia-1的热重分析数据。在500℃下的残余质量为27％。实施例2化合物ia-2根据wolf等，angewandtechemieinternationaledition第47卷(2008)，第4584页的程序合成。其在10-2毫巴下在90-100℃下升华，其熔点为185℃。图2显示了ia-2的热重分析数据。在500℃下的残余质量为37％。实施例3化合物ia-3根据wolf等，chemistry，aeuropeanjournal，第16卷(2010)，第14322页的程序合成。其在10-2毫巴下在100℃下升华，其熔点为196℃。图3显示了ia-3的热重分析数据。在500℃下的残余质量为38％。实施例4在室温下将me3sicl于甲苯中的溶液(0.15m，0.87mmol，5.7ml)添加至[k(thf)2{co(p2c2tbu2)2}](0.43g，0.79mmol)于甲苯(30ml)中的溶液中。将反应混合物搅拌过夜，由此形成深红色的溶液。随后在真空下除去溶剂，并用正戊烷(20ml)萃取深红色残余物。将红色萃取物浓缩至约10ml并在-30℃下储存2天，得到ia-4的红色晶体。产率：0.24g(58％)。发现化合物ia-4含有可变量的[co(p2c2tbu2)2h](ia-3)。根据1hnmr光谱确定污染物为约4％。1hnmr(400.13mhz，c6d6)：δ＝0.28(d，j(h，p)＝7.0hz，9h，sime3)，1.24(s，18h，tbu)，1.30(s，18h，tbu)；31p{1h}nmr(161.98mhz，c6d6)：δ＝-1.9(s，1p)，19.3(s，1p)，21.8(s，2p)。nmr位移与已知的具有tpent而非tbu取代基的配合物[co(p2c2tpent2sime3)(p2c2tpent2)]类似。化合物ia-4在10-2毫巴下在80-90℃下升华，其熔点为193℃。图4显示了ia-4的热重分析数据。在500℃下的残余质量为30％。实施例5化合物ic-1根据burckett-st.laurent等，journalofthechemicalsociety，chemicalcommunications1981，第1141-1143页合成。其由于其蜡质油状特性而可完全地升华。图5显示了ic-1热重分析数据。在500℃下的残余质量为39％。实施例6化合物ib-4根据organometallics，第16卷(1997)，第2049页合成。所得化合物为橙褐色油状物。图6显示了ib-4热重分析数据。在500℃下的残余质量为11.58％。当前第1页12