含氟醚化合物、磁记录介质用润滑剂及磁记录介质的制作方法

本发明涉及含氟醚化合物、磁记录介质用润滑剂以及磁记录介质。

本申请基于2017年3月2日在日本申请的特愿2017-039820号来主张优先权，将该内容援用到本文中。

背景技术：

为了使磁记录再生装置的记录密度提高，进行了适于高记录密度的磁记录介质的开发。

以往，作为磁记录介质，有在磁记录介质用的基板上叠层记录层等后，在记录层上形成碳等保护层，进一步在保护层上形成了润滑层的磁记录介质。保护层保护记录于记录层的信息，并且提高磁头的滑动性。然而，仅仅在记录层上设置保护层，不能充分获得磁记录介质的耐久性。

因此，一般而言，在保护层的表面涂布润滑剂而形成润滑层。通过在保护层上设置润滑层，可以防止磁记录再生装置的磁头与保护层直接接触，并且可以使在磁记录介质上滑动的磁头的摩擦力显著降低，耐久性提高。

作为硬盘等磁记录介质所使用的润滑剂，例如，在专利文献1中，提出了含有在以-cmf2mo-单元(其中，m为1～18的整数)作为基本骨架的氟化聚醚的至少一个末端具有-(och2ch2)noh(其中，n为1～30的整数)所示的极性基的氟化聚醚的润滑剂。此外，在专利文献2～4中公开了具有全氟聚醚主链和极性基的类似的链状化合物。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平5-258287号公报

专利文献2：日本特开平9-282642号公报

专利文献3：日本特开2009-245491号公报

专利文献4：日本特开2012-7008号公报

技术实现要素：

发明所要解决的课题

为了使磁记录再生装置的记录密度提高，使磁记录再生装置的磁头的上浮量更小，要求使润滑层的厚度更加薄。

然而，如果使润滑层的厚度薄，则有时在润滑层形成间隙从而润滑层带来的对磁记录介质的表面的被覆率降低，润滑层的下层的一部分露出。

如果在润滑层形成间隙，则使污染物质生成的环境物质从润滑层的间隙侵入到润滑层的下层，污染磁记录介质。

更详细而言，如果离子性杂质等使污染物质生成的环境物质从润滑层的间隙侵入到润滑层的下层，则侵入到润滑层的下层的环境物质使存在于润滑层的下层的离子成分凝集而使污染磁记录介质的污染物质生成。

此外，具备磁记录介质的硬盘驱动器的内部通常因为对磁记录介质进行驱动而使磁记录介质进行信息的记录再生，从而变为高温状态。上述的环境物质从润滑层的间隙的侵入、存在于润滑层的下层的离子成分的凝集、污染磁记录介质的污染物质的生成在高温条件下变得更显著。此外，在上述的专利文献1～4中，没有这样的课题的认识。

本发明是鉴于上述情况而提出的，其目的是提供可以形成即使使厚度薄，也可以以高被覆率被覆保护层的表面的润滑层，防止由侵入到润滑层的下层的环境物质造成的存在于润滑层的下层的离子成分的凝集，抑制污染磁记录介质的污染物质的生成，能够有效地防止磁记录介质的表面的污染，能够防止存在于磁记录介质上的污染物质对磁头的附着(转印)的含氟醚化合物，包含含氟醚化合物的磁记录介质用润滑剂，以及使用了该磁记录介质用润滑剂的磁记录介质。

用于解决课题的手段

本发明人为了解决上述课题反复进行了深入研究。

其结果发现，如果将在中央具有由二氟亚甲基(-cf2-)形成的链状结构，在该链状结构的两末端经由包含至少1个极性基的连接基而具有全氟聚醚链，在该全氟聚醚链的末端结合有具有羟基的单元的结构的化合物应用于润滑剂则可。进一步发现，通过使用该润滑剂在磁记录介质的保护层上形成润滑层，从而润滑层与保护层以高结合力结合，能够使润滑层的厚度充分薄，能够通过润滑层以大体上均匀的膜厚以高被覆率被覆保护层的表面，从而完成了以下的[1]～[13]所示的本发明。

[1]本发明的一方案涉及的含氟醚化合物由下述通式(1)表示。

(式中，a表示包含至少1个极性基的连接基，b表示下述式(2)、下述式(3)、下述式(4)或下述式(5)的任一者，d表示羟基、下述式(6)、下述式(7)或下述式(8)的任一者，l表示1～10的整数。)

(式中，m表示1～30的整数，n表示1～30的整数。在式(2)中，2个重复单元(o-cf2)、(o-cf2-cf2)的排列顺序没有特别限定，可以与式(2)所示的顺序相反。)

(式中，m表示1～30的整数。)

(式中，p表示1～30的整数。)

(式中，q表示1～30的整数。)

(式中，r表示0～5的整数。)

(式中，s表示0～5的整数。)

(式中，t表示1～5的整数。)

[2]在上述[1]所述的含氟醚化合物中，优选上述通式(1)中的a为具有至少1个极性基的碳原子数1～20的连接基。

[3]在上述[2]所述的含氟醚化合物中，优选上述通式(1)中的a为下述式(9)所示的连接基。

(式中，u表示1～5的整数。)

[4]在上述[1]～[3]中任一项所述的含氟醚化合物中，优选数均分子量在1000～10000的范围内。

[5]在上述[1]～[4]中任一项所述的含氟醚化合物中，优选通式(1)所示的化合物由下述式(10)表示。

(式中，rf¹由下述式(11)表示，m和n分别表示1～30的整数。)

-(ocf2cf2)m(ocf2)n-(11)

[6]在上述[1]～[4]中任一项所述的含氟醚化合物中，优选通式(1)所示的化合物由下述式(12)表示。

(式中，rf¹由下述式(11)表示，m和n分别表示1～30的整数。)

-(ocf2cf2)m(ocf2)n-(11)

[7]在上述[1]～[4]中任一项所述的含氟醚化合物中，优选通式(1)所示的化合物由下述式(13)表示。

(式中，rf²由下述式(14)表示，m表示1～30的整数。)

-(ocf2cf2)m-(14)

[8]在上述[1]～[4]中任一项所述的含氟醚化合物中，优选通式(1)所示的化合物由下述式(15)表示。

(式中，rf²由下述式(14)表示，m表示1～30的整数。)

-(ocf2cf2)m-(14)

[9]在上述[1]～[4]中任一项所述的含氟醚化合物中，优选通式(1)所示的化合物由下述式(16)表示。

(式中，rf²由下述式(14)表示，m表示1～30的整数。)

-(ocf2cf2)m^-(14)

[10]在上述[1]～[4]中任一项所述的含氟醚化合物中，优选通式(1)所示的化合物由下述式(17)表示。

(式中，rf¹由下述式(11)表示，m和n分别表示1～30的整数。)

-(ocf2cf2)m(ocf2)n-(11)

[11]本发明的一方案涉及的磁记录介质用润滑剂包含上述[1]～[10]中任一项所述的含氟醚化合物。

[12]本发明的一方案涉及的磁记录介质是在基板上至少依次设置有磁性层、保护层和润滑层的磁记录介质，上述润滑层由上述[11]所述的磁记录介质用润滑剂形成。

[13]上述[12]所述的磁记录介质优选上述润滑层的平均膜厚为0.5nm～3nm。

发明的效果

如果将本发明的含氟醚化合物应用于磁记录介质用润滑剂，则能够形成即使使厚度薄，也能够以高被覆率被覆保护层的表面的润滑层。因此，对于使用了本发明的磁记录介质用润滑剂的磁记录介质而言，能够防止由侵入到润滑层的下层的环境物质造成的存在于润滑层的下层的离子成分的凝集，抑制污染磁记录介质的污染物质的生成。其结果，能够有效地防止磁记录介质的表面的污染，防止存在于磁记录介质上的污染物质对磁头的附着(转印)。

附图说明

图1为显示本发明的磁记录介质的一实施方式的概略截面图。

图2为显示在实施例和比较例中，进行连续lul(load/unload)动作的重复的环境的图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的优选的实施方案进行说明。然而，本发明不仅仅限定于这些方案。只要没有特别记载，就可以根据需要选择数、位置、材料等。

[含氟醚化合物]

本实施方式的含氟醚化合物(含有氟的醚化合物)为下述通式(1)所示的化合物。

该化合物形成下述结构：在中央具有由二氟亚甲基(-cf2-)形成的链状结构，在该链状结构的两端经由包含至少1个极性基的2价以上的连接基a而具有全氟聚醚链b，在末端结合有具有羟基的单元d。即，该化合物在中央所具有的二氟亚甲基的链状结构的各端部依次结合有a、b、d。

(式中，a表示包含至少1个极性基的连接基，b表示下述式(2)、下述式(3)、下述式(4)或下述式(5)的任一者，d表示羟基、下述式(6)、下述式(7)或下述式(8)的任一者，l表示1～10的整数。)

(式中，m表示1～30的整数，n表示1～30的整数。在式(2)中，2个重复单元的排列顺序没有特别限定，可以与式(2)所示的顺序相反。)

(式中，m表示1～30的整数。)

(式中，p表示1～30的整数。)

(式中，q表示1～30的整数。)

(式中，r表示0～5的整数。)

(式中，s表示0～5的整数。)

(式中，t表示1～5的整数。)

在通式(1)中，l优选为3～8，如果为4～6则更优选。

通式(1)中的l根据有机硅污染耐性等本实施方式的润滑剂所要求的性能来适当调整。

通式(1)中的a如果为将由上述的二氟亚甲基(-cf2-)形成的链状结构与后述的含氟醚基进行结合的、具有至少1个极性基的碳原子数1～20的连接基为好。作为极性基，可举出羟基、羧基、氨基、氨基羰基等。a优选为下述式(9)所示的连接基。

(式中，u表示1～5的整数。)

在通式(1)中，在a由上述式(9)表示的情况下，u为1～5，如果为1～3则优选，如果为1或2则更优选。

通式(1)中的a的结构、上述式(9)中的u根据有机硅污染耐性等本实施方式的润滑剂所要求的性能来适当调整。

在通式(1)中，在b由上述式(2)表示的情况下，m优选为3～20，如果为4～10则更优选。此外，n优选为3～20，如果为4～10则更优选。

在式(2)中，2个重复单元的排列顺序没有特别限定，可以与式(2)所示的顺序相反。

在通式(1)中，在b由上述式(3)表示的情况下，m优选为3～20，如果为4～10则更优选。

在通式(1)中，在b由上述式(4)表示的情况下，p优选为3～20，如果为4～10则更优选。

在通式(1)中，在b由上述式(5)表示的情况下，q优选为3～20，如果为4～10则更优选。

通式(2)～(5)中的b的m、n、p和q分别根据有机硅污染耐性等本实施方式的润滑剂所要求的性能来适当调整。

在通式(1)中，d由羟基或上述式(6)～(8)的任一者表示。

在通式(1)中，在d由上述式(6)表示的情况下，r优选为0～4，如果为0～2则更优选。

在通式(1)中，在d由上述式(7)表示的情况下，s优选为1～4，如果为1～2则更优选。

在通式(1)中，在d由上述式(8)表示的情况下，t优选为1～4，如果为1～2则更优选。

通式(1)中的d的结构、上述式(6)中的r、上述式(7)中的s、和上述式(8)中的t根据有机硅污染耐性等本实施方式的润滑剂所要求的性能来适当调整。

通式(1)所示的化合物的数均分子量优选在1000～10000的范围内。数均分子量更优选在2000～6000的范围内，进一步优选在2000～4000的范围内。

如果通式(1)所示的化合物的数均分子量超过10000，则有时粘度高而难以操作。另一方面，如果通式(1)所示的化合物的数均分子量小于1000，则有时润滑剂易于从基板蒸发，蒸发的润滑剂附着于磁头，对硬盘驱动器造成负担。

数均分子量可以通过凝胶渗透色谱(gpc)求出。

gpc的测定条件如以下所述。

柱：shodex制kf803，洗脱液：氟系溶剂(商品名：アサヒクリンak-225，旭硝子社制)/丙酮＝4/1(v/v)，流速：1ml/min，检测器：elsd。

此外，在本实施方式的润滑剂中，只要在不损害由包含通式(1)所示的化合物所带来的特性的范围内，就可以包含作为润滑剂而使用的公知的其它化合物。

作为那样的化合物，可举出例如，通式(1)所示的化合物以外的含氟醚化合物、具有其它官能团的含氟醚化合物。将这些含有上述的通式(1)所示的化合物以外的含氟醚化合物的润滑剂称为“其它润滑剂”。在本实施方式的润滑剂中，可以根据需要混合使用这些其它润滑剂。作为其它润滑剂的具体例，可举出fomblin(注册商标)zdiac、fomblinzdeal、fomblinam-2001(以上solveysolexis社制)、morescoa20h(moresco社制)。作为其它润滑剂，优选使用数均分子量为1000～10000的润滑剂。

在并用上述其它润滑剂的情况下，本实施方式的润滑剂中的通式(1)所示的含氟醚化合物的含量优选为50质量％以上，更优选为70质量％以上。

在由碳或碳化硅形成的保护层上形成包含上述通式(1)的化合物的本实施方式的润滑层的情况下，构成该化合物的分别存在于2个连接基a的至少1个极性基、和2个羟基与保护层所包含的碳原子强地结合。作为其结果，润滑层与保护层能够以高结合力结合。因此，可以使润滑层的厚度充分薄。

即，根据本实施方式的润滑剂，可以形成即使使厚度薄，通过涂布而形成的润滑层也不为岛状或网眼状，而以基本上均匀的厚度以高被覆率被覆保护层的表面的润滑层。此外，所形成的润滑层具有防止离子性杂质等使污染物质生成的环境物质从间隙侵入到构成磁记录介质的各层的功能。因此，根据本实施方式的润滑层，可以提供存在于其表面上的污染物质少的磁记录介质。

[磁记录介质]

图1为显示本发明的磁记录介质的一实施方式的概略截面图。

本实施方式的磁记录介质10形成在基板11上依次设置有附着层12、软磁性层13、第1基底层14、第2基底层15、磁性层16、保护层17、和润滑层18的结构。

“基板”

作为基板11，可以使用在由al或al合金等金属或合金材料形成的基体上形成有由nip或nip合金形成的膜的非磁性基板等。

此外，作为基板11，可以使用由玻璃、陶瓷、硅、碳化硅、碳、树脂等非金属材料形成的非磁性基板，也可以使用在由该非金属材料形成的基体上形成有nip或nip合金的膜的非磁性基板。

“附着层”

附着层12为在将基板11、与设置在附着层12上的软磁性层13相接配置的情况下，用于防止基板11的腐蚀的进行的层。

作为附着层12的材料，可以从例如cr、cr合金、ti、ti合金等中适当选择。

附着层12例如可以通过溅射法形成。

“软磁性层”

软磁性层13优选具有第1软磁性膜、由ru膜构成的中间层、和第2软磁性膜依次叠层而成的结构。即，软磁性层13优选通过在2层软磁性膜之间夹入由ru膜构成的中间层，从而具有中间层上下的软磁性膜进行了反铁磁耦合(afc)结合的结构。通过软磁性层13具有进行了afc结合的结构，可以提高对来自外部的磁场的耐性、以及对作为垂直磁记录特有的问题的wate(wideareatrackerasure)现象的耐性。

第1软磁性膜和第2软磁性膜优选为由cofe合金形成的膜。

在第1软磁性膜和第2软磁性膜为由cofe合金形成的膜的情况下，能够实现高饱和磁通密度bs(1.4(t)以上)。

此外，优选在第1软磁性膜和第2软磁性膜所使用的cofe合金中，添加zr、ta、nb中的任一者。由此，能够促进第1软磁性膜和第2软磁性膜的非晶质化，使籽晶层的取向性提高，并且能够降低磁头的上浮量。

软磁性层13例如可以通过溅射法形成。

“第1基底层”

第1基底层14为用于控制设置在其上的第2基底层15和磁性层16的取向、结晶尺寸的层，是为了使从磁头产生的磁通的相对于基板面为垂直方向的成分大，并且使磁性层16的磁化的方向更牢固地固定于与基板11垂直的方向而设置的。

第1基底层14优选为由niw合金形成的层。在第1基底层14为由niw合金形成的层的情况下，根据需要可以在niw合金中添加b、mn、ru、pt、mo、ta等其它元素。

第1基底层14例如可以通过溅射法形成。

“第2基底层”

第2基底层15为控制磁性层16的取向变得良好的层。第2基底层15优选为由ru或ru合金形成的层。

第2基底层15可以为由1层构成的层，也可以由多层构成。在第2基底层15由多层构成的情况下，可以全部层由相同材料构成，也可以至少一层由不同的材料构成。

第2基底层15例如可以通过溅射法形成。

“磁性层”

磁性层16优选由易磁化轴朝向相对于基板面为垂直方向的磁性膜构成。磁性层16为包含co和pt的层，进一步为了改善snr特性，可以为包含氧化物、cr、b、cu、ta、zr等的层。

作为磁性层16所含有的氧化物，可举出sio2、sio、cr2o3、coo、ta2o3、tio2等。

磁性层16可以由1层构成，也可以由组成不同的材料所形成的多个层构成。

例如，在磁性层16由第1磁性层、第2磁性层和第3磁性层这3层构成的情况下，第1磁性层优选为由包含co、cr、pt、进一步包含氧化物的材料形成的粒状结构。作为第1磁性层所含有的氧化物，优选使用例如，cr、si、ta、al、ti、mg、co等的氧化物。其中，可以特别适合使用tio2、cr2o3、sio2等。此外，第1磁性层优选由添加了2种以上氧化物的复合氧化物形成。其中，可以特别适合使用cr2o3-sio2、cr2o3-tio2、sio2-tio2等。

第1磁性层除了co、cr、pt、氧化物以外，还可以包含选自b、ta、mo、cu、nd、w、nb、sm、tb、ru、re中的1种以上元素。

通过包含上述元素，可以促进磁性粒子的微细化，或使结晶性、取向性提高，可以获得更适于高密度记录的记录再生特性、热起伏特性。

第2磁性层可以使用与第1磁性层同样的材料。第2磁性层优选为粒状结构。

此外，第3磁性层优选为由包含co、cr、pt、不包含氧化物的材料形成的非粒状结构。第3磁性层除了co、cr、pt以外，还可以包含选自b、ta、mo、cu、nd、w、nb、sm、tb、ru、re、mn中的1种以上元素。通过第3磁性层除了co、cr、pt以外还包含上述元素，可以促进磁性粒子的微细化，或使结晶性、取向性提高，可以获得更适于高密度记录的记录再生特性和热起伏特性。

此外，在磁性层16由多个层构成的情况下，优选在相邻的磁性层之间设置非磁性层。在磁性层16由第1磁性层、第2磁性层和第3磁性层这3层构成的情况下，优选在第1磁性层与第2磁性层之间、和第2磁性层与第3磁性层之间设置非磁性层。

通过在磁性层间以适度的厚度设置非磁性层，各个膜的磁化反转变得容易，可以使磁性粒子整体的磁化反转的分散小，可以使s/n比更加提高。

设置在磁性层16之间的非磁性层可以适合使用例如，ru、ru合金、cocr合金、cocrx1合金(x1表示选自pt、ta、zr、re、ru、cu、nb、ni、mn、ge、si、o、n、w、mo、ti、v、zr、b中的至少1种或2种以上元素。)等。

此外，作为设置在磁性层16之间的非磁性层，优选使用包含氧化物、金属氮化物、或金属碳化物的合金材料。具体而言，作为氧化物，可以使用例如，sio2、al2o3、ta2o5、cr2o3、mgo、y2o3、tio2等。作为金属氮化物，可以使用例如，aln、si3n4、tan、crn等。作为金属碳化物，可以使用例如，tac、bc、sic等。

非磁性层例如可以通过溅射法形成。

此外，为了实现更高的记录密度，磁性层16优选为易磁化轴朝向相对于基板面为垂直方向的垂直磁记录的磁性层，但也可以为面内磁记录。

磁性层16可以通过蒸镀法、离子束溅射法、磁控管溅射法等以往的公知的任何方法形成，通常通过溅射法形成。

“保护层”

保护层17为用于保护磁性层16的层。保护层17可以由一层构成，也可以由多层构成。保护层17为碳系保护层(由碳或碳化硅形成的层)，优选由碳形成。

在保护层17上形成的润滑层18为与碳的结合力非常高的层。

在保护层17由碳或碳化硅形成的情况下，保护层17所包含的碳原子与润滑层18结合，保护层17与润滑层18以高结合力结合。其结果，成为即使润滑层18的厚度薄，也以高被覆率被覆了保护层17的表面的磁记录介质10，可以有效地防止磁记录介质10的表面的污染。

特别是，在保护层17由碳形成的情况下，由保护层17所包含的碳原子与润滑层18的结合所带来的润滑层18与保护层17的结合力进一步变高。因此，在保护层17由碳形成的情况下，能够更有效地防止磁记录介质10的表面的污染，并且即使使润滑层18的厚度更薄，也能够以充分高的被覆率被覆保护层17的表面。

作为保护层17的成膜方法，可以使用：使用碳靶材的溅射法、使用乙烯、甲苯等烃原料的cvd(化学蒸镀法)法、ibd(离子束蒸镀)法等。

“润滑层”

润滑层18是防止磁记录介质10的污染，并且使在磁记录介质10上滑动的磁记录再生装置的磁头的摩擦力降低，使磁记录介质10的耐久性提高的层。

如图1所示，润滑层18是在保护层17上相接形成，且由上述的实施方式的磁记录介质用润滑剂形成的层。

润滑层18的平均膜厚优选为更优选为

通过使润滑层18的平均膜厚为0.5nm以上，润滑层18不为岛状或网眼状，能够以均匀的膜厚以高被覆率被覆保护层17的表面。

此外，通过使润滑层18的平均膜厚为3nm以下，可以使磁头的上浮量充分小，使磁记录介质10的记录密度高。

保护层17的表面未以充分高的被覆率被润滑层18被覆的情况下，有时吸附在磁记录介质10的表面的包含离子性杂质等使污染物质生成的环境物质的水穿过润滑层18的间隙，侵入到润滑层18之下。侵入到润滑层18的下层的环境物质使隐藏在润滑层18之下的微少的离子成分凝集，而生成离子性的污染物质。进而，在磁记录再生时，该污染物质(凝集成分)附着(转印)于磁头，使磁头破损，或使磁记录再生装置的磁记录再生特性降低。

这样的起因于环境物质从润滑层18的间隙侵入的问题在将磁记录介质10保持在高温条件下的情况下更显著地出现。

使污染物质生成的环境物质例如为离子性杂质。作为离子性杂质所包含的金属离子，可以举出例如，钠离子、钾离子等。作为离子性杂质所包含的无机离子，可以举出例如，氯离子、溴离子、硝酸根离子、硫酸根离子、铵根离子、草酸根离子、甲酸根离子等。

“润滑层的形成方法”

润滑层18例如通过准备在基板11上形成了直到保护层17为止的各层的制造中途的磁记录介质，在制造中途的磁记录介质的保护层17上涂布润滑层形成用溶液来形成。

润滑层形成用溶液通过将上述的实施方式的磁记录介质用润滑剂用溶剂稀释，形成适于涂布方法的粘度和浓度来获得。

作为润滑层形成用溶液所使用的溶剂，可举出例如，バートレル(注册商标)xf(商品名，三井デュポンフロロケミカル社制)等氟系溶剂等。

作为润滑层形成用溶液的涂布方法，没有特别限定，可举出例如，旋转涂布法、浸渍法等。

在使用浸渍法的情况下，例如，进行下述处理。在加入到浸渍涂布装置的浸渍槽的润滑层形成用溶液中，浸渍形成了直到保护层17为止的各层的基板11，然后，将基板11以规定的速度从浸渍槽提拉。由此，可以将润滑层形成用溶液涂布于基板11的保护层17上的表面。通过使用浸渍法，可以将润滑层形成用溶液均匀地涂布在基板11的保护层17上的表面，可以在保护层17上形成均匀的膜厚的润滑层18。

本实施方式的磁记录介质10至少依次设置有磁性层16、保护层17、和润滑层18，保护层17由碳或碳化硅形成，润滑层18在保护层17上相接形成，润滑层18由上述的实施方式的磁记录介质用的润滑剂形成。该润滑剂中包含上述通式(1)所示的含氟醚化合物的分别存在于2个连接基a的至少1个极性基、和分别存在于2个末端d的至少1个羟基。分别存在于2个连接基a的至少1个极性基、和分别存在于2个末端d的至少1个羟基与保护层17所包含的碳原子强地结合，从而润滑层18与保护层17以高结合力结合，因此能够使润滑层18的厚度充分薄。

即，本实施方式的磁记录介质10具备即使使润滑剂涂布厚度薄，也不为岛状或网眼状，可以以基本上均匀的膜厚以高被覆率被覆保护层17的表面的润滑层18，防止离子性杂质等使污染物质生成的环境物质从润滑层18的间隙侵入。因此，本实施方式的磁记录介质10的表面上存在的污染物质变少。

实施例

以下，通过实施例和比较例进一步具体地说明本发明，但本发明不仅仅限定于以下的实施例。

＜实施例1＞

(化合物的合成)

在100ml的茄型烧瓶中投入2,2,3,3,4,4,5,5-八氟己烷-1,6-二醇1g、丙酮19ml、和氢氧化钠水溶液(naoh/水＝0.8g/19g)19.8g，加热到70℃，一边回流，一边搅拌1小时。

接着，在上述的混合物中加入表氯醇15ml，进一步，加热到70℃，一边回流，一边搅拌5小时。

然后，将上述的混合物冷却直到25℃，用盐酸中和后，加入氟系溶剂(商品名：アサヒクリン(注册商标)ak-225，旭硝子社制)，将上述的混合物进行了水洗。

接着，回收茄型烧瓶内的有机相，在该有机相中加入硫酸镁进行脱水，进行了过滤器过滤。

接着，使用蒸发器，将溶剂从滤液蒸馏除去，进一步，进行柱精制，获得了由下述式(18)所示的化合物形成的无色透明的液状的化合物1(1.2g)。

进行所得的化合物1的¹h-nmr测定和¹⁹f-nmr测定，由以下结果对结构进行了鉴定。

¹h-nmr(400mhz，六氟苯/丙酮-d6＝4/1(v/v))：δ(ppm)＝2.60(2h)，2.77(2h)，3.10～3.15(2h)，3.54(2h)，3.92～4.20(6h)

¹⁹f-nmr(400mhz，六氟苯/丙酮-d6＝4/1(v/v))：δ(ppm)＝-125.43(4f)，-122.15(4f)

在氮气气氛下，在100ml的茄型烧瓶中投入化合物1(1g)、和ho-ch2cf2(ocf2cf2)m(ocf2)nocf2ch2oh所示的氟聚醚(m＝1～7，n＝1～7，数均分子量800，分子量分布1.1)22g，将它们搅拌直到变得均匀为止。

接着，在上述的混合物中加入叔丁醇钾1.8g，一边加热到70℃，一边搅拌8小时。

然后，将上述的混合物冷却直到25℃，用盐酸中和后，加入氟系溶剂(商品名：アサヒクリン(注册商标)ak-225，旭硝子社制)，将上述的混合物进行了水洗。

接着，回收茄型烧瓶内的有机相，在该有机相中加入硫酸钠进行脱水，进行了过滤器过滤。

接着，使用蒸发器，将溶剂从滤液蒸馏除去后，在60℃、18mpa的条件下进行超临界提取，获得了由下述式(17)所示的化合物形成的无色透明的液状的化合物2a(4.5g)。需要说明的是，下述式(17)中的rf¹由下述式(11)表示。

进行所得的化合物2a的¹h-nmr测定和¹⁹f-nmr测定，由以下结果对结构进行了鉴定。

¹h-nmr(400mhz，六氟苯/丙酮-d6＝4/1(v/v))：δ(ppm)＝3.72～3.88(8h)，3.88～4.04(6h)，4.05～4.22(8h)

¹⁹f-nmr(400mhz，六氟苯/丙酮-d6＝4/1(v/v))：δ(ppm)＝-124.09(4f)，-120.70(4f)，-91.00～-88.49(27f)，-83.19(2f)，-81.13(2f)，-80.61(2f)，-78.58(2f)，-55.65～-51.37(12f)

-(ocf2cf2)m(ocf2)n-(11)

(有机硅污染耐性评价)

使化合物2a溶解于バートレル(注册商标)xf(商品名，三井デュポンフロロケミカル社制)，以涂布时的膜厚成为的方式，调制化合物2a的稀释液，通过浸渍法，涂布在图1所示的构成的直径65mm的磁记录介质的保护层上。

此时，在浸渍速度10mm/sec、浸渍时间30sec、提拉速度1.2mm/sec的条件下，通过浸渍法，在保护层上涂布稀释液，形成了由化合物2a形成的润滑层。

使用ft-ir(商品名：nicoletis50，thermofisherscientific社制)测定了润滑层的膜厚。

接下来，准备lul(load/unload)方式的硬盘驱动器，搭载形成了润滑层的磁记录介质。磁头使用了垂直磁记录用磁头。

在该硬盘驱动器内，加入市售的硅橡胶凝胶片(1cm×1cm×0.5cm)，在下述环境下重复进行连续lul动作。

连续进行干燥(相对湿度10％以下)环境25℃→60℃→25℃的5小时循环运转(上升，下降各1小时)直到以下不良状况发生为止(参照图2)。

将硬盘驱动器的主轴电动机的驱动电流超过阈值的时刻设为耐久时间。如果由化合物2a形成的润滑层没有间隙且均匀，则能够防止从硅橡胶凝胶片气化的环状硅氧烷对磁记录介质的附着，不对硬盘驱动器的主轴电动机造成负担，其结果，耐久时间变长。另一方面，如果在由化合物2a形成的润滑层具有间隙，则气化的环状硅氧烷附着于磁记录介质，对硬盘驱动器的主轴电动机造成负担，耐久时间变短。

将耐久时间为150小时以上的情况评价为“○”，将耐久时间为100小时以上且小于150小时的情况评价为“△”，将耐久时间小于100小时的情况评价为“×”。

将结果示于表1中。

(二十八烷附着试验)

与上述的有机硅污染耐性评价同样地操作，制作出形成了由化合物2a形成的润滑层的磁记录介质。

另行准备形成了直径4.5mm、高度0.5mm的凹部的夹具，在其孔中滴加二十八烷(c28h58)50ppm溶液(溶剂己烷)10μl，使己烷完全蒸发。

接下来，对加有二十八烷的夹具覆盖形成了润滑层的磁记录介质。

接着，将磁记录介质与夹具一起放入到玻璃皿，进一步，在用铝箔包住的状态下，在80℃下加热24小时后，在室温下静置24小时。

然后，通过osa(opticalsurfaceanalyzer：candela6300，klatencor社制)观察与夹具相对的侧的磁记录介质的表面整面。

在采用osa的观察中，将分割的微小区域的散射光强度超过一定强度的情况设为1计数，计测该散射光的数。在由化合物2a形成的润滑层没有间隙且均匀(涂膜的被覆率高)的情况下，妨碍气化的二十八烷对磁记录介质的附着，因此计数数变少。另一方面，如果由化合物2a形成的润滑层具有间隙，则气化的二十八烷附着于磁记录介质的表面而变为结晶，将光强地散射，因此散射光的计数数变多。

将散射光的数小于100个的情况评价为“○”，将散射光的数为100个以上且小于500个的情况评价为“△”，将散射光的数为500个以上的情况评价为“×”。

将结果示于表1中。

＜实施例2＞

在氮气气氛下，在20ml的茄型烧瓶中，投入上述的化合物2a(4g)、和叔丁醇40ml，将它们搅拌直到变得均匀为止。

接着，在上述的混合物中加入叔丁醇钾0.5g，一边加热到70℃，一边加入缩水甘油250μl，搅拌8小时。

然后，将上述的混合物冷却直到25℃，用盐酸中和后，加入氟系溶剂(商品名：アサヒクリンak-225，旭硝子社制)，将上述的混合物进行了水洗。

接着，回收茄型烧瓶内的有机相，在该有机相中加入硫酸钠进行脱水，进行了过滤器过滤。

接着，使用蒸发器，将溶剂从滤液蒸馏除去后，在60℃、18mpa的条件下进行超临界提取，获得了由下述式(10)所示的化合物形成的无色透明的液状的化合物3a(2g)。需要说明的是，下述式(10)中的rf¹由上述式(11)表示。

进行所得的化合物3a的¹h-nmr测定和¹⁹f-nmr测定，由以下结果对结构进行了鉴定。

¹h-nmr(400mhz，六氟苯/丙酮-d6＝4/1(v/v))：δ(ppm)＝3.70～4.04(20h)，4.05～4.22(12h)

¹⁹f-nmr(400mhz，六氟苯/丙酮-d6＝4/1(v/v))：δ(ppm)＝-124.09(4f)，-120.70(4f)，-91.00～-88.49(27f)，-80.61(4f)，-78.58(4f)，-55.65～-51.37(12f)

此外，使用化合物3a，与实施例1同样地操作，在磁记录介质上形成由化合物3a形成的润滑层，与实施例1同样地操作，对化合物3a进行了有机硅污染耐性评价、和二十八烷附着试验。将结果示于表1中。

＜实施例3＞

在氮气气氛下，在300ml的茄型烧瓶中投入上述的化合物2a(4.5g)、和叔丁醇59ml，将它们搅拌直到变得均匀为止。

接着，在上述的混合物中依次加入表溴醇4.3g、和叔丁醇钾0.7g，一边加热到70℃，一边搅拌9小时。

然后，将上述的混合物冷却直到25℃，加入氟系溶剂(商品名：アサヒクリン(注册商标)ak-225，旭硝子社制)，将上述的混合物进行了水洗。

接着，回收茄型烧瓶内的有机相，在该有机相中加入硫酸钠进行脱水，进行了过滤器过滤。

接着，使用蒸发器，将溶剂从滤液蒸馏除去，进一步，进行柱精制，获得了由下述式(19)所示的化合物形成的浅黄色液状的化合物4a(4.5g)。需要说明的是，下述式(19)中的rf¹由上述式(11)表示。

进行所得的化合物4a的¹h-nmr测定和¹⁹f-nmr测定，由以下结果对结构进行了鉴定。

¹h-nmr(400mhz，六氟苯/丙酮-d6＝4/1(v/v))：δ(ppm)＝2.58～2.64(2h)，2.75～2.81(2h)，3.08～3.17(2h)，3.58(2h)，3.70～4.25(24h)

¹⁹f-nmr(400mhz，六氟苯/丙酮-d6＝4/1(v/v))：δ(ppm)＝-124.10(4f)，-120.72(4f)，-91.00～-88.49(27f)，-80.70(2f)，-80.58(2f)，-78.69(2f)，-78.58(2f)，-55.65～-51.37(12f)

在氮气气氛下，在300ml的茄型烧瓶中，投入上述的化合物4a(4.3g)、和叔丁醇74ml，将它们搅拌直到变得均匀为止。

接着，在上述的混合物中依次加入2,2,3,3-氟丁烷-1,4-二醇4.4g、和叔丁醇钾0.8g，一边加热到70℃，一边搅拌9小时。

然后，将上述的混合物冷却直到25℃，用盐酸中和后，加入氟系溶剂(商品名：アサヒクリンak-225，旭硝子社制)，将上述的混合物进行了水洗。

接着，回收茄型烧瓶内的有机相，在该有机相中加入硫酸钠进行脱水，进行了过滤器过滤。

接着，使用蒸发器，将溶剂从滤液蒸馏除去后，在60℃、18mpa的条件下进行超临界提取，获得了由下述式(12)所示的化合物形成的无色透明的液状的化合物5a(3.5g)。需要说明的是，下述式(12)中的rf¹由上述式(11)表示。

进行所得的化合物5a的¹h-nmr和¹⁹f-nmr测定，由以下结果对结构进行了鉴定。

¹h-nmr(400mhz，六氟苯/丙酮-d6＝4/1(v/v))：δ(ppm)＝3.67～4.05(24h)，4.05～4.22(16h)

¹⁹f-nmr(400mhz，六氟苯/丙酮-d6＝4/1(v/v))：δ(ppm)＝-125.27(4f)，-124.09(4f)，-123.31(4f)，-120.70(4f)，-91.00～-88.49(27f)，-80.55(4f)，-78.55(4f)，-55.65～-51.37(12f)

此外，使用化合物5a，与实施例1同样地操作，在磁记录介质上形成由化合物5a形成的润滑层，与实施例1同样地操作，对化合物5a进行了有机硅污染耐性评价、和二十八烷附着试验。将结果示于表1中。

＜实施例4＞

在氮气气氛下，在100ml的茄型烧瓶中，投入化合物1(1g)、和ho-ch2cf2(ocf2cf2)mocf2ch2oh所示的氟聚醚(m＝1～9，数均分子量800，分子量分布1.02)22g，将它们搅拌直到变得均匀为止。

接着，在上述的混合物中加入叔丁醇钾1.8g，一边加热到70℃，一边搅拌8小时。

然后，将上述的混合物冷却直到25℃，用盐酸中和后，加入氟系溶剂(商品名：アサヒクリン(注册商标)ak-225，旭硝子社制)，将上述的混合物进行了水洗。

接着，回收茄型烧瓶内的有机相，在该有机相中加入硫酸钠进行脱水，进行了过滤器过滤。

接着，使用蒸发器，将溶剂从滤液蒸馏除去后，在60℃、18mpa的条件下进行超临界提取，获得了由下述式(13)所示的化合物形成的无色透明的液状的化合物2b(4.4g)。需要说明的是，下述式(13)中的rf²由下述式(14)表示。

进行所得的化合物2b的¹h-nmr和¹⁹f-nmr测定，由以下结果对结构进行了鉴定。

¹h-nmr(400mhz，六氟苯/丙酮-d6＝4/1(v/v))：δ(ppm)＝3.71～3.89(8h)，3.88～4.04(6h)，4.05～4.22(8h)

¹⁹f-nmr(400mhz，六氟苯/丙酮-d6＝4/1(v/v))：δ(ppm)＝-124.09(4f)，-120.70(4f)，-91.00～-88.49(40f)，-81.13(4f)，-78.58(4f)

此外，使用化合物2b，与实施例1同样地操作，在磁记录介质上形成由化合物2b形成的润滑层，与实施例1同样地操作，对化合物2b进行了有机硅污染耐性评价、和二十八烷附着试验。将结果示于表1中。

-(ocf2cf2)m-(14)

＜实施例5＞

在氮气气氛下，在20ml的茄型烧瓶中，投入上述的化合物2b(4g)、和叔丁醇40ml，将它们搅拌直到变得均匀为止。

接着，在上述的混合物中加入叔丁醇钾0.5g，一边加热到70℃，一边加入缩水甘油250μl，搅拌8小时。

然后，将上述的混合物冷却直到25℃，用盐酸中和后，加入氟系溶剂(商品名：アサヒクリン(注册商标)ak-225，旭硝子社制)，将上述的混合物进行了水洗。

接着，回收茄型烧瓶内的有机相，在该有机相中加入硫酸钠进行脱水，进行了过滤器过滤。

接着，使用蒸发器，将溶剂从滤液蒸馏除去后，在60℃、18mpa的条件下进行超临界提取，获得了由下述式(15)所示的化合物形成的无色透明的液状的化合物3b(2.2g)。需要说明的是，下述式(15)中的rf²由上述式(14)表示。

进行所得的化合物3b的¹h-nmr和¹⁹f-nmr测定，由以下结果对结构进行了鉴定。

¹h-nmr(400mhz，六氟苯/丙酮-d6＝4/1(v/v))：δ(ppm)＝3.71～3.89(8h)，3.88～4.04(6h)，4.04～4.24(8h)

¹⁹f-nmr(400mhz，六氟苯/丙酮-d6＝4/1(v/v))：δ(ppm)＝-124.09(4f)，-120.70(4f)，-91.00～-88.49(40f)，-78.58(8f)

此外，使用化合物3b，与实施例1同样地操作，在磁记录介质上形成由化合物3b形成的润滑层，与实施例1同样地操作，对化合物3b进行了有机硅污染耐性评价、和二十八烷附着试验。将结果示于表1中。

＜实施例6＞

在氮气气氛下，在300ml的茄型烧瓶中，投入上述的化合物2b(4.2g)、和叔丁醇58ml，将它们搅拌直到变得均匀为止。

接着，在上述的混合物中依次加入表溴醇4.1g、和叔丁醇钾0.7g，一边加热到70℃，一边搅拌9小时。

然后，将上述的混合物冷却直到25℃后，加入氟系溶剂(商品名：アサヒクリン(注册商标)ak-225，旭硝子社制)，将上述的混合物进行了水洗。

接着，回收茄型烧瓶内的有机相，在该有机相中加入硫酸钠进行脱水，进行了过滤器过滤。

接着，使用蒸发器，将溶剂从滤液蒸馏除去，获得了由下述式(20)所示的化合物形成的无色透明的液状的化合物4b(4.1g)。需要说明的是，下述式(20)中的rf²由上述式(14)表示。

进行所得的化合物4b的¹h-nmr测定和¹⁹f-nmr测定，由以下结果对结构进行了鉴定。

¹h-nmr(400mhz，六氟苯/丙酮-d6＝4/1(v/v))：δ(ppm)＝2.58～2.64(2h)，2.75～2.81(2h)，3.08～3.17(2h)，3.58(2h)，3.70～4.25(24h)

¹⁹f-nmr(400mhz，六氟苯/丙酮-d6＝4/1(v/v))：δ(ppm)＝-124.09(4f)，-120.70(4f)，-91.00～-88.49(40f)，-78.71(4f)，-78.58(4f)

在氮气气氛下，在300ml的茄型烧瓶中，投入上述的化合物4b(4.0g)、和叔丁醇70ml，将它们搅拌直到变得均匀为止。

接着，在上述的混合物中依次加入2,2,3,3-氟丁烷-1,4-二醇4.2g、和叔丁醇钾0.7g，一边加热到70℃，一边搅拌9小时。

然后，将上述的混合物冷却直到25℃，用盐酸中和后，加入氟系溶剂(商品名：アサヒクリン(注册商标)ak-225，旭硝子社制)，将上述的混合物进行了水洗。

接着，回收茄型烧瓶内的有机相，在该有机相中加入硫酸钠进行脱水，进行了过滤器过滤。

接着，使用蒸发器，将溶剂从滤液蒸馏除去后，在60℃、18mpa的条件下进行超临界提取，获得了由下述式(16)所示的化合物形成的无色透明的液状的化合物5b(3.4g)。需要说明的是，下述式(16)中的rf²由上述式(14)表示。

进行所得的化合物5b的¹h-nmr测定和¹⁹f-nmr测定，由以下结果对结构进行了鉴定。

¹h-nmr(400mhz，六氟苯/丙酮-d6＝4/1(v/v))：δ(ppm)＝3.67～4.05(24h)，4.05～4.22(16h)

¹⁹f-nmr(400mhz，六氟苯/丙酮-d6＝4/1(v/v))：δ(ppm)＝-125.27(4f)，-124.09(4f)，-123.31(4f)，-120.70(4f)，-91.00～-88.49(40f)，-78.68(4f)，-78.55(4f)

此外，使用化合物5b，与实施例1同样地操作，在磁记录介质上形成由化合物5b形成的润滑层，与实施例1同样地操作，对化合物5b进行了有机硅污染耐性评价、和二十八烷附着试验。将结果示于表1中。

(比较例)

使用solveysolexis社制的fomblinz-tetraol(分子量约2000，示于下述式(21)。)，与实施例1同样地操作，在磁记录介质上形成由该化合物形成的润滑层，与实施例1同样地操作，对该化合物进行了有机硅污染耐性评价、和二十八烷附着试验。将结果示于表1中。

[表1]

根据表1的结果可知，使用实施例1～6的化合物在磁介质上形成了润滑层的情况下，与使用比较例的化合物在磁介质上形成了润滑层的情况相比，可以以高被覆率被覆磁记录介质的表面，有机硅污染耐性优异。

产业可利用性

通过使用本发明的磁记录介质用润滑剂，能够形成即使使厚度薄，也能够以高被覆率被覆磁记录介质的保护层的表面的润滑层。

符号的说明

10···磁记录介质，11···基板，12···附着层，13···软磁性层，14···第1基底层，15···第2基底层，16···磁性层，17···保护层，18···润滑层。