封装有机发光二极管的组合物及有机发光二极管显示器的制作方法

相关申请的交叉参考

本申请主张在2018年8月30日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请10-2018-0103066的权利，所述韩国专利申请的全部公开内容并入本申请供参考。

本发明涉及一种封装有机发光二极管的组合物及一种包括使用所述组合物形成的有机层的有机发光二极管显示器。

背景技术：

有机发光二极管在与外部水分或氧气接触时容易受损，且由于其功能的丧失而导致可靠性下降。因此，有机发光二极管必须用封装有机发光二极管的组合物来封装。

另一方面，当暴露于阳光下时，有机发光二极管可被紫外(ultraviolet，uv)光损坏，从而导致其寿命缩短。特别是，由于在车辆中使用的有机发光二极管会长时间暴露于阳光下，因此紫外线损伤成为有机发光二极管的重要问题。为了阻挡紫外光，形成在有机发光二极管上的偏振板及粘合剂可包含紫外线吸收剂。然而，更有效的是形成将邻近有机发光二极管放置的有机层，以防止通过阻挡来自阳光的紫外光而损坏有机发光二极管。

一般来说，适于封装有机发光二极管的封装层具有包括无机层及有机层的多层式结构。无机层与有机层具有不同的性质，且可交替地堆叠在彼此上方以改善对有机发光二极管的保护。

技术实现要素：

本发明的一个目的是提供一种封装有机发光二极管的组合物，所述组合物可形成具有良好紫外线阻挡效果的有机层。

本发明的另一个目的是提供一种封装有机发光二极管的组合物，所述组合物可实现具有低等离子体蚀刻率的有机层。

根据本发明的一个方面，一种封装有机发光二极管的组合物包含：组分a：式1的化合物、式2的化合物及式3的化合物中的至少一者；组分b：非硅酮系光可固化多官能单体及硅酮系光可固化多官能单体中的至少一者；组分c：光可固化单官能单体；以及组分d：引发剂，其中以所述组分a、所述组分b、所述组分c)及所述组分d的总计100重量份计，存在0.01重量份到10重量份的量的所述式1的化合物、所述式2的化合物及所述式3的化合物中的至少一者：

<式1>

其中r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7、r8、r9、r10及n与在本发明的以下说明中所定义的相同。

<式2>

其中r20、r21及r22与在本发明的以下说明中所定义的相同。

<式3>

其中r¹、r²、r³及r⁴与在本发明的以下说明中所定义的相同。

根据本发明的另一方面，提供一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括使用根据本发明的封装有机发光二极管的组合物形成的有机层。

本发明提供一种封装有机发光二极管的组合物，所述组合物可形成具有良好紫外线阻挡效果的有机层。

本发明提供一种封装有机发光二极管的组合物，所述组合物可实现具有低等离子体蚀刻率的有机层。

附图说明

图1为根据本发明一个实施例的有机发光二极管显示器的剖视图。

图2为根据本发明另一个实施例的有机发光二极管显示器的剖视图。

[符号的说明]

10：衬底

20：有机发光二极管

30：阻挡件堆叠

31：无机层

32：有机层

40：内部空间

100、200：有机发光二极管显示器

具体实施方式

将参照附图详细阐述本发明的实施例，以向所属领域中的技术人员提供对本发明的透彻理解。应理解本发明可以不同的方式实施且不限于以下实施例。在附图中，为清晰起见将省略与说明无关的部分，且说明书通篇中，相同组件将由相同参考编号标示。

本文中所使用的用语“(甲基)丙烯酸基”是指丙烯酸基和/或甲基丙烯酸基。

在本文中，除非另外阐明，否则用语“经取代的”意指官能基的至少一个氢原子经以下取代：卤素(例如f、cl、br或i)、羟基、硝基、氰基、亚氨基(＝nh、＝nr，其中r为c1到c10烷基)、氨基(-nh2、-nh(r')、-n(r")(r"')，其中r'、r"及r"'各自独立地为c1到c10烷基)、脒基、肼基或腙基、羧基、c1到c20烷基、c6到c30芳基、c3到c30环烷基、c3到c30杂芳基或c2到c30杂环烷基。

在本文中，用语“芳基”是指其中环状取代基的所有元素均具有p轨道且这些p轨道形成共轭的官能基。芳基包括单环、非稠合多环及稠合多环官能基。在本文中，用语“稠合”意指一对碳原子由邻接的环共用。芳基还包括其中至少两个芳基通过σ键相互连接的联苯基(biphenylgroup)、三联苯基(terphenylgroup)、四联苯基(quaterphenylgroup)等。芳基可指苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、基等。

在本文中，“亚烷氧基”可包括其中至少一个亚烷基连接到至少一个氧原子的所有官能基。例如，亚烷氧基可包括(亚烷基-氧)n-亚烷基、(亚烷基-氧-亚烷基)n-亚烷基、亚烷基-氧或-(氧-亚烷基)n-(其中n是1到10的整数)。

根据一个实施例，一种封装有机发光二极管的组合物包含：组分a：式1的化合物、式2的化合物及式3的化合物中的至少一者；组分b：非硅酮系光可固化多官能单体及硅酮系光可固化多官能单体中的至少一者；组分c：光可固化单官能单体；以及组分d：引发剂，其中以所述组分a、所述组分b、所述组分c及所述组分d的总计100重量份计，存在0.01重量份到10重量份的量的所述式1的化合物、所述式2的化合物及所述式3的化合物中的至少一者。在此含量范围内，封装组合物可降低在420nm(纳米)的波长下、优选地在410nm的波长下、更优选地在405nm的波长下的透光率，从而在提高耐等离子体性(plasmaresistance)的同时防止外部紫外光损坏有机发光二极管。优选地，以所述组分a、所述组分b、所述组分c及所述组分d的总计100重量份计，可存在1重量份到10重量份、1重量份到8重量份、3重量份到8重量份、例如0.01重量份、0.1重量份、1重量份、2重量份、3重量份、4重量份、5重量份、6重量份、7重量份、8重量份、9重量份或10重量份的量的所述式1化合物、所述式2的化合物及所述式3的化合物中的至少一者。

在下文中，将详细地阐述根据本发明的封装组合物的每一组分。

(a-1)式1的化合物

根据本发明的封装有机发光二极管的组合物可包含式1的化合物。

<式1>

其中r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7、r8、r9及r10彼此相同或不同，且各自独立地为氢、经取代或未经取代的c1到c10烷基、经取代或未经取代的c6到c10芳基、胺基、卤素基、氰基、硝基、式1-1的基团、式1-2的基团、式1-3的基团或具有羟基的c1到c10烷基：

<式1-1>

<式1-2>

<式1-3>

其中*表示所述式1的化合物的芳族碳的连接位点，

r11为氢或经取代或未经取代的c1到c5烷基，

r12为单键、经取代或未经取代的c1到c10亚烷基或经取代或未经取代的c6到c20亚芳基，

r13、r14及r15彼此相同或不同，且各自独立地为经取代或未经取代的c1到c10亚烷基或经取代或未经取代的c6到c20亚芳基，且

x1及x2彼此相同或不同，且各自独立地为o、s或nr(r为氢或经取代或未经取代的c1到c5烷基)，

m为1到6的整数，且

n为1到6的整数。

优选地，r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7、r8、r9及r10中的至少一者为式1-1、式1-2或式1-3的基团。

在一个实施例中，式1的化合物可由式1-4到式1-5中的至少一者表示：

<式1-4>

<式1-5>

式1的化合物可通过所属领域中的技术人员已知的典型方法制备。

(a-2)式2的化合物

根据本发明的封装有机发光二极管的组合物可包含式2的化合物：

<式2>

其中

r20为

r21为氢、经取代或未经取代的c1到c50烃基、且

r22及r23为经取代或未经取代的c1到c50烃基或者含有至少一个n或o原子团的经取代或未经取代的c1到c50烃基

(r25、r26、r27及r28各自独立地为氢、卤素基、-cn、-no2或-nh2，

x为-o-或-n-e1-，

e1为氢、经取代或未经取代的c1到c50烃基、或者含有至少一个f、cl、br、i、o、n、s、p或si原子团的经取代或未经取代的c1到c50烃基、

r24为经取代或未经取代的c1到c50烃基或经含有至少一个o或n原子团取代或未经取代的c1到c50烃基，

q为直链或支链的c2到c20亚烷基、含有插入其中的-o-、nh或nr34中的至少一者的直链或支链的c2到c20亚烷基、c5到c10亚环烷基、对亚苯基、

l为c1到c12亚烷基、c2到c12亚烷基、c5到c7亚环烷基、苯亚甲基或对亚二甲苯基，

*表示式2的化合物的芳族碳的连接位点)。

在式2中，r20为且*表示式2的化合物的芳族碳的连接位点。具体来说，式2的r20可为

在式2的r20中，r25、r26、r27及r28各自独立地为氢、卤素基、-cn、-no2或-nh2。具体来说，在式2的r20中，r25、r26、r27及r28各自独立地为氢、cl或br。更具体来说，在式2的r20中，r25及r26可全部为氢或者可为氢及cl、氢及br，且r27及r28可各自独立地为氢、cl或br。

在式2中，r21为氢、经取代或未经取代的c1到c50烃基、

在式2的r21中，烃基可包括直链或支链的烷基、直链或支链的烯基、环烷基、芳基烷基、芳基等。

具体来说，在式2的r21中，经取代或未经取代的c1到c50烃基可为c1到c24直链或支链的烷基、c2到c18直链或支链的烯基、c5到c12环烷基、c7到c15苯基烷基、苯基、具有在苯环上被取代的一个到四个c1到c4烷基的苯基或具有在苯环上被取代的一个到四个c1到c4烷基的c7到c15苯基烷基。

c1到c24直链或支链的烷基的实例可包括甲基、乙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、叔戊基、2-乙基己基、叔辛基、月桂基、叔十二烷基、十三烷基、正十六烷基、正十八烷基及二十烷基。

c2到c18直链或支链的烯基的实例包括烯丙基、戊烯基、己烯基、十二烯基及油烯基。c2到c18直链或支链的烯基可为具有3个到16个、具体来说3个到12个(例如2个到6个)碳原子的烯基。

c5到c12环烷基的实例可包括环戊基、环己基、环庚基、环辛基及环十二烷基。c1到c4烷基取代的c5到c8环烷基的实例可包括甲基环戊基、二甲基环戊基、甲基环己基、二甲基环己基、三甲基环己基及叔丁基环己基。

c7到c15苯基烷基的实例可包括苯甲基、苯乙基、α-甲基苯甲基及α,α-二甲基苯甲基。

具有在苯环上被取代的一个到四个c1到c4烷基的苯基的实例可包括甲苯基及二甲苯基。

在式2的r21中，r25、r26、r27及r28各自独立地为氢、卤素基、-cn、-no2或-nh2。具体来说，在式2的r21中，r25、r26、r27及r28可各自独立地为氢、cl或br。更具体来说，在式2的r21中，r25及r26全部为氢或者为氢及cl、或者为氢及br，且r27及r28可各自独立地为氢、cl或br。

在式2的r21中，l为c1到c12亚烷基(alkylenegroup)、c2到c12亚烷基(alkylidenegroup)、c5到c7亚环烷基、苯亚甲基(benzylidenegroup)或对亚二甲苯基(p-xylylenegroup)。

在式2中，r22、r23及r24为经取代或未经取代的c1到c50烃基或者含有至少一个n或o原子团的经取代或未经取代的c1到c50烃基。

在式2的r22、r23及r24中，烃基可包括直链或支链的烷基、直链或支链的烯基、环烷基、芳基烷基、芳基等。

具体来说，在式2的r22、r23及r24中，经取代或未经取代的c1到c50烃基可为c1到c24直链或支链的烷基、c2到c18直链或支链的烯基、c5到c12环烷基、c7到c15苯基烷基、苯基、具有在苯基上被取代的一个到四个c1到c4烷基的苯基或具有在苯环上被取代的一个到三个c1到c4烷基的c7到c15苯基烷基。

具体来说，在式2的r22、r23及r24中，含有至少一个o、n或s原子团的经取代或未经取代的c1到c50烃基包含至少一个o、n或s原子团作为取代基官能基或包含插入烃骨架中的至少一个o、n或s原子团。

具体来说，在式2的r22、r23及r24中，o、n或s原子团可包括-oh、-oco-r31、-or34、-nco、-nh2、-o-、-nh-、-nr34-、-c(o)-o-r34、-c(o)-nhr34、-c(o)-nr34r'34、-sr33、-nhr33、-n(r33)2、-(ch2)m-co-x1-(z)p-y-r35等。

此处，在式2的r22、r23及r24中，r31为氢、直链或支链的c1到c18烷基、c5到c12环烷基、直链或支链的c3到c8烯基、苯基、萘基或c7到c15苯基烷基。

此处，在式2的r22、r23及r24中，r33为直链或支链的c1到c20烷基、直链或支链的c2到c20羟基烷基、直链或支链的c3到c18烯基、c5到c12环烷基、c7到c15苯基烷基、苯基、萘基、经一个或两个c1到c4烷基取代的烷基苯基或者经一个或两个c1到c4烷基取代的萘基。

在式2的r22、r23及r24中，r34及r'34为氢或者直链或支链的c1到c24烷基。

更具体来说，式2的r22、r23及r24可为经-oh、-oco-r31、-or34、-nco、-nh2及其组合中的至少一个官能基取代的c1到c24直链或支链的烷基。

更具体来说，式2的r22、r23及r24可为其中插入有-o-、-nh-、-nr34-及其组合中的至少一者的c1到c24直链或支链的烷基。

在一个实施例中，其中插入有至少一个-o-的烷基可源自环氧乙烷单元、环氧丙烷单元或其混合物。

在一个实施例中，其中具有至少一个-nh-或-nr34-的烷基可源自乙二胺的重复单元。

更具体来说，式2的r22、r23及r24可为其中插入有-o-、-nh-、-nr34-及其组合中的至少一者的c2到c18直链或支链的烯基。

更具体来说，式2的r22、r23及r24可为经-oh、-or34、-nh2及其组合中的至少一个官能基取代的c1到c24直链或支链的烷基。

更具体来说，式2的r22、r23及r24可为-or34、-c(o)-o-r34、-c(o)-nhr34或-c(o)-nr34r'34。

更具体来说，式2的r22、r23及r24可为-sr33、-nhr33或-n(r33)2。

更具体来说，式2的r22、r23及r24可为-(ch2)m-co-x1-(z)p-y-r35。

在式2的r22、r23及r24中，x1可为-o-或-n(r36)-。

在式2的r22、r23及r24中，y可为-o-、-n(r37)-或直接键。

在式2的r22、r23及r24中，z是c2到c12亚烷基；其中插入有一个到三个n或o原子或者其组合的c4到c12亚烷基；c3到c12亚烷基、亚丁烯基、亚丁炔基、亚环己基或亚苯基；各自经羟基取代的c3到c12亚烷基、亚丁烯基、亚丁炔基、亚环己基或亚苯基；(其中*表示连接位点)。

具体来说，当在式2的r22、r23及r24中y为直接键时，z也可为直接键。

在式2的r22、r23及r24中，m可为0、1或2。

在式2的r22、r23及r24中，p为1；或当x1及y分别为-n(r36)-及-n(r37)-时，p为0。

在式2的r22、r23及r24中，r35为氢、c1到c12烷基、-co-c(r38)＝c(h)r39，或者当y为-n(r37)-时与r37一起形成-co-ch＝ch-co-。

此处，在式2的r22、r23及r24中，r38为氢或甲基，且r39为氢、甲基或-co-x1-r40。

此处，在式2的r22、r23及r24中，r40为氢、c1到c12烷基、

此处，在式2的r22、r23及r24中，r36及r37各自独立地为氢、c1到c12烷基、其中具有一个到三个氧原子的c1到c12烷基、其中具有一个到三个氧原子的c3到c12烷基、环己基、c7到c15苯基烷基，且当z为亚乙基时，r36与r37一起形成亚乙基。

在式2中，x为-o-或-n-(e1)-；e1为氢、经取代或未经取代的c1到c50烃基、或者含有至少一个f、cl、br、i、o、n、s、p或si原子团的经取代或未经取代的c1到c50烃基、

在式2的e1中，烃基可包括直链或支链的烷基、直链或支链的烯基、炔基、环烷基、芳基烷基、芳基等。

具体来说，在式2的e1中，经取代或未经取代的c1到c50烃基可为c1到c24直链或支链的烷基、c2到c18直链或支链的烯基、c2到c6炔基、c5到c12环烷基、c7到c15苯基烷基、苯基、萘基、具有在苯环上被取代的一个到四个c1到c4烷基的苯基或具有在苯环上被取代的一个到四个c1到c4烷基的c7到c15苯基烷基。

具体来说，在式2的e1中，含有至少一个f、cl、br、i、o、n、s、p或si原子团的经取代或未经取代的c1到c50烃基包含至少一个f、cl、br、i、o、n、s、p或si原子团作为取代基官能基；或包含插入烃骨架中的至少一个f、cl、br、i、o、n、s、p或si原子团。

具体来说，在式2的e1中，f、cl、br、i、o、n、s、p或si原子团可包括-f、-oh、-or42、-nh2、-nhr42、-n(r42)2、-nhcor43、-nr42cor43、-ocor44、-cor45、-so2r46、-po(r47)n(r48)2-n、-si(r49)n(r50)3-n、-si(r42)3、-n⁺(r42)3a^-、-s⁺(r42)2a^-、-环氧乙烷基、-cn、-cf3、-no2、-nhr42、-n(r42)2、-so2r46、-po(r47)n(r48)2-n、-or42、-cor45、-r45等。

在式2的e1中，n意指0、1或2；且a^-意指可键结到-n⁺或-s⁺的一般阴离子。

在式2的e1中，r42为直链或支链的c1到c18烷基、直链或支链的c2到c18烯基、c5到c10环烷基、苯基、萘基、c7到c15苯基烷基或者偶合两个r42以形成环与n或si原子一起形成的吡咯烷、哌啶或吗啉结构。

在式2的e1中，r43为氢、-or42、-nhr42、-n(r42)2或-r42。

在式2的e1中，r44为-or42、-nhr42、-n(r42)2或-r42。

在式2的e1中，r45为氢、-oh、-or42、-nhr42、-n(r42)2、o-缩水甘油基或-r42。

在式2的e1中，r46为-oh、-or42、-nhr42或-n(r42)2。

在式2的e1中，r47为-nh2、-nhr42或-n(r42)2。

在式2的e1中，r48为-oh或-or42。

在式2的e1中，r49为-cl或-or42。

在式2的e1中，r50为直链或支链的c1到c18烷基。

更具体来说，式2的e1可为氢、c1到c24直链或支链的烷基、c2到c18直链或支链的烯基、c2到c6炔基、c5到c12环烷基、c7到c15苯基烷基、苯基或萘基。

更具体来说，式2的e1可为包括-f、-oh、-or42、-nh2、-nhr42、-n(r42)2、-nhcor43、-nr42cor43、-ocor44、-cor45、-so2r46、-po(r47)n(r48)2-n、-si(r49)n(r50)3-n、-si(r42)3、-n⁺(r42)3a^-、-s⁺(r42)2a^-、环氧乙烷基及其组合中的至少一个官能基作为取代基的c1到c24直链或支链的烷基、c2到c18直链或支链的烯基或c2到c6炔基。此处，n为0、1或2；且a^-为可偶合到-n⁺或-s⁺的阴离子。

更具体来说，式2的e1可为包含插入其中的-o-、-s-、-nh-、-nr42-及其组合中的至少一者的c1到c24直链或支链的烷基、c2到c18直链或支链的烯基、c2到c6炔基、c5到c12环烷基、c7到c15苯基烷基、苯基或萘基。

更具体来说，式2的e1可为包含-f、-cl、-br、-i、-cn、-cf3、-no2、-nhr42、-n(r42)2、-so2r46、-po(r47)n(r48)2-n、-oh、-or42、-cor45、-r45及其组合中的至少一者作为取代基的c7到c15苯基烷基、苯基或萘基。

在式2的e1中，r21、r22、r23、r24、r25、r26、r27及r28与如上所定义的相同。

式2中，q为直链或支链的c2到c20亚烷基、含有插入其中的-o-、-nh-或-n(r34)-中的至少一者的直链或支链的c2到c20亚烷基、c5到c10亚环烷基、对亚苯基、(其中*表示连接位点)。

式2的化合物可通过所属领域中已知的典型方法制备或者可为市售产品。

具体来说，式2的化合物可由式2-1到式2-12中的至少一者表示：

<式2-1>

<式2-2>

<式2-3>

<式2-4>

<式2-5>

<式2-6>

<式2-7>

<式2-8>

<式2-9>

<式2-10>

<式2-11>

<式2-12>

式2的化合物可通过所属领域中已知的典型方法制备或者可为市售产品。

(a-3)式3的化合物

根据本发明的封装有机发光二极管的组合物可包含式3的化合物：

<式3>

其中r¹为经取代或未经取代的c1到c10烷基、经取代或未经取代的c6到c20芳基或者经取代或未经取代的c7到c20芳基烷基；

r²为经取代或未经取代的c6到c20芳基；

r³为经取代或未经取代的c1到c10亚烷基或者经取代或未经取代的c1到c10亚烷氧基；且

r⁴为氢或者经取代或未经取代的c1到c5烷基。

具体来说，在式3中，r¹可为经取代或未经取代的c1到c10烷基，优选为经取代或未经取代的c1到c5烷基。具体来说，在式3中，r²可为经取代或未经取代的c6到c18芳基，优选为经取代或未经取代的c6到c12芳基。具体来说，在式3中，r³可为经取代或未经取代的c1到c5亚烷基。

具体来说，式3的化合物可由式3-1到式3-4中的至少一者表示：

<式3-1>

<式3-2>

<式3-3>

<式3-4>

式3的化合物可通过所属领域中已知的典型方法来制备。

(b)非硅酮系光可固化多官能单体及硅酮系光可固化多官能单体中的至少一者

非硅酮系光可固化多官能单体不包含硅(si)原子，且可包括在(甲基)丙烯酸酯基之间具有经取代或未经取代的c1到c20亚烷基、优选为未经取代的c1到c15亚烷基的二(甲基)丙烯酸酯。此处，亚烷基的碳原子意指仅存在于亚烷基中的碳原子数，不包括二(甲基)丙烯酸酯基中的碳原子。例如，二(甲基)丙烯酸酯可由式4表示：

<式4>

其中r⁷及r⁸各自独立地为氢或甲基；且r⁹是经取代或未经取代的c1至c20亚烷基。

例如，在式4中，r⁹可为未经取代的c8到c12亚烷基。更具体来说，二(甲基)丙烯酸酯可包括二(甲基)丙烯酸辛二醇酯(octanedioldi(meth)acrylate)、二(甲基)丙烯酸壬二醇酯(nonanedioldi(meth)acrylate)、二(甲基)丙烯酸癸二醇酯(decanedioldi(meth)acrylate)、二(甲基)丙烯酸十一烷二醇酯(undecanedioldi(meth)acrylate)及二(甲基)丙烯酸十二烷二醇酯(dodecanedioldi(meth)acrylate)中的至少一者。

在其他实施例中，除了二(甲基)丙烯酸酯之外，非硅酮系光可固化多官能单体还可包括三(甲基)丙烯酸酯、四(甲基)丙烯酸酯、五(甲基)丙烯酸酯及六(甲基)丙烯酸酯中的至少一者作为不含硅(si)的单体。三(甲基)丙烯酸酯可包括c3到c20三醇、四醇、五醇或六醇的三(甲基)丙烯酸酯，例如三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯(trimethylolpropanetri(meth)acrylate,)、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯(pentaerythritoltri(meth)acrylate)、二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯(dipentaerythritoltri(meth)acrylate)等。四(甲基)丙烯酸酯可包括c4到c20四醇、五醇或六醇的四(甲基)丙烯酸酯，例如季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯(pentaerythritoltetra(meth)acrylate)、二季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯(dipentaerythritoltetra(meth)acrylate)等。五(甲基)丙烯酸酯可包括c4到c20五醇或六醇的五(甲基)丙烯酸酯，例如二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯(dipentaerythritolpenta(meth)acrylate)等。六(甲基)丙烯酸酯可包括c4到c20六醇的六(甲基)丙烯酸酯，例如二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯(dipentaerythritolhexa(meth)acrylate)等。

以组分a、组分b、组分c及组分d的100重量份计，可存在10重量份到70重量份、优选20重量份到60重量份、更优选30重量份到60重量份、例如10重量份、20重量份、30重量份、40重量份、50重量份、60重量份或70重量份的量的非硅酮系光可固化多官能单体。在此范围内，多官能单体可增加封装组合物的交联密度，以提高使用封装组合物形成的层的强度。

硅酮系光可固化多官能单体可包括含si的硅酮系二(甲基)丙烯酸酯。封装组合物包括非硅酮系二(甲基)丙烯酸酯与硅酮系二(甲基)丙烯酸酯的混合物作为二(甲基)丙烯酸酯，以降低其粘度及固化收缩率。

硅酮系二(甲基)丙烯酸酯可由式5表示：

<式5>

其中r51及r52彼此相同或不同且各自独立为单键、经取代或未经取代的c1到c20亚烷基、经取代或未经取代的c1到c30亚烷基醚基、*-n(r53)-r54-*(*为元素的连接位点，r53为经取代或未经取代的c1到c30烷基，且r54为经取代或未经取代的c1到c20亚烷基)、经取代或未经取代的c6到c30亚芳基、经取代或未经取代的c7到c30芳基亚烷基或*-o-r54-*(*为元素的连接位点，且r54为经取代或未经取代的c1到c20亚烷基)；

z1、z2、z3、z4、z5及z6彼此相同或不同，且各自独立为氢、经取代或未经取代的c1到c30烷基、经取代或未经取代的c1到c30烷基醚基、*-n(r55)(r56)(*为元素的连接位点，并且r55及r56彼此相同或不同且各自独立为氢或者经取代或未经取代的c1到c30烷基)、经取代或未经取代的c1到c30烷基硫醚基、经取代或未经取代的c6到c30芳基或者经取代或未经取代的c7到c30芳基烷基，

z1、z2、z3、z4、z5及z6中的至少一者为经取代或未经取代的c6到c30芳基；

y1及y2彼此相同或不同，且由式6表示：

<式6>

(其中*为元素的连接位点，且z¹为氢或者经取代或未经取代的c1到c30烷基)；且

n为0到30的整数或平均介于0到30范围内。

此处，用语“单键”是指在si与y1之间没有任何中间元素的直接键(y1-si)，或者在si与y2之间没有任何中间元素的直接键(si-y2)。

r51及r52可为c1到c5亚烷基或单键。具体来说，z1、z2、z3、z4、z5及z6可为c1到c5烷基c6到c10芳基，其中z1、z2、z3、z4、z5及z6中的至少一者可为c6到c10芳基。更具体来说，z1、z2、z3、z4、z5及z6可为c1到c5烷基或c6到c10芳基，其中z1、z2、z3、z4、z5及z6中的一者、两者、三者或六者可为c6到c10芳基。更具体来说，z1、z2、z3、z4、z5及z6可为甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、苯基或萘基，其中z1、z2、z3、z4、z5及z6中的一者、两者、三者或六者可为苯基或萘基。n可为1到5的整数。

具体来说，硅酮系二(甲基)丙烯酸酯可由式5-1到式5-6中的任一者表示：

<式5-1>

<式5-2>

<式5-3>

<式5-4>

<式5-5>

<式5-6>

硅酮系二(甲基)丙烯酸酯可具有100g/mol到2,000g/mol、具体来说200g/mol到1,000g/mol、例如100g/mol、200g/mol、300g/mol、400g/mol、500g/mol、600g/mol、700g/mol、800g/mol、900g/mol、1,000g/mol、1100g/mol、1200g/mol、1300g/mol、1400g/mol、1500g/mol、1600g/mol、1700g/mol、1800g/mol、1900g/mol或2,000g/mol的重量平均分子量。在此范围内，封装组合物表现出良好的沉积特性，且可实现具有低等离子体蚀刻率的有机层。

硅酮系二(甲基)丙烯酸酯可通过典型方法来制备，或可从市售产品获得。例如，硅酮系二(甲基)丙烯酸酯可通过使具有至少一个硅酮键且含有芳基的硅氧烷化合物与用于扩展碳数的化合物(例如：烯丙醇)反应、然后与(甲基)丙烯酰氯反应来制备，但不限于此。或者，硅酮系二(甲基)丙烯酸酯可通过使具有至少一个硅酮键且含有芳基的硅氧烷化合物与(甲基)丙烯酰氯反应来制备，但不限于此。

以组分a、组分b、组分c及组分d的100重量份计，可存在10重量份到50重量份、优选10重量份到40重量份、更优选10重量份到30重量份、例如10重量份、20重量份、30重量份、40重量份或50重量份的量的硅酮系光可固化多官能单体。在此范围内，包封组合物可增加交联密度以增大层的强度。

以组分a、组分b、组分c及组分d的100重量份计，可存在10重量份到80重量份、优选20重量份到80重量份、更优选50重量份到80重量份、例如10重量份、20重量份、30重量份、40重量份、50重量份、60重量份、70重量份或80重量份的量的非硅酮系光可固化多官能单体及硅酮系光可固化多官能单体中的至少一者。在此含量范围内，包封组合物可增加交联密度以增大层的强度。

(c)光可固化单官能单体

光可固化单官能单体用于提高包封组合物的光固化率。此外，光可固化单官能单体可提高有机层的透光率，且可降低封装组合物的粘度。

优选地，光可固化单官能单体可包括不含硅原子的非硅酮系光可固化单官能单体。

非硅酮系光可固化单官能单体可包括(c1)含有芳族基的芳族单(甲基)丙烯酸酯及(c2)不含芳族基的非芳族单(甲基)丙烯酸酯中的至少一者。优选地，非硅酮系光可固化单官能单体可为(c1)含有芳族基的芳族单(甲基)丙烯酸酯。与非芳族单(甲基)丙烯酸酯相比，芳族单(甲基)丙烯酸酯可确保封装组合物的更好的紫外线阻挡效果及耐等离子体性。

(c1)芳族单(甲基)丙烯酸酯可包括经取代或未经取代的含芳族基的单(甲基)丙烯酸酯。此处，用语“芳族基”意指单环芳族基或包括稠合形式等的多环芳族基，或者意指单环通过σ键相互连接的形式。在本文中，芳族基是不含吲哚基的非吲哚系基团。例如，芳族基可包括经取代或未经取代的c6到c50芳基、经取代或未经取代的c7到c50芳基烷基、经取代或未经取代的c3到c50杂芳基及经取代或未经取代的c3到c50杂芳基烷基中的至少一者。更具体来说，芳族基可包括以下中的至少一者：苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、萘基、蒽基、菲基、基、三亚苯基、并四苯基、芘基、苯并芘基、并五苯基(pentacenylgroup)、蔻基(coronenylgroup)、卵烯基(ovalenylgroup)、碗烯基(corannulenylgroup)、苯甲基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹恶啉基、吖啶基、喹唑啉基、噌啉基(cinnolinylgroup)、酞嗪基、噻唑基、苯并噻唑基、异恶唑基、苯并异恶唑基、恶唑基、苯并恶唑基、吡唑基、吲唑基、咪唑基、苯并咪唑基、嘌呤基、噻吩基、苯并噻吩基、呋喃基、苯并呋喃基及异苯并呋喃基。

例如，芳族单(甲基)丙烯酸酯可由式7表示：

<式7>

其中r⁵为氢或甲基；s为0到10的整数；且r⁶为经取代或未经取代的c6到c50芳基或者经取代或未经取代的c6到c50芳氧基。

例如，r⁶可为苯基苯氧乙基、苯氧乙基、苯甲基、苯基、苯基苯氧基、苯氧基、苯乙基、苯丙基、苯丁基、甲基苯乙基、丙基苯乙基、甲氧基苯乙基、环己基苯乙基、氯苯乙基、溴苯乙基、甲基苯基、甲基乙基苯基、甲氧基苯基、丙基苯基、环己基苯基、氯苯基、溴苯基、苯基苯基(phenylphenylgroup)、联苯基、三联苯基、四联苯基、蒽基、萘基、三亚苯基、甲基苯氧基、乙基苯氧基、甲基乙基苯氧基(methylethylphenoxygroup)、甲氧基苯氧基、丙基苯氧基、环己基苯氧基、氯苯氧基、溴苯氧基、联苯氧基、三联苯氧基(terphenyloxygroup)、四联苯氧基(quaterphenyloxygroup)、蒽氧基、萘氧基或三亚苯氧基(triphenylenyloxygroup)。

具体来说，芳族单(甲基)丙烯酸酯可包括以下中的至少一者：2-苯基苯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、苯氧乙基(甲基)丙烯酸酯、苯基(甲基)丙烯酸酯、苯氧基(甲基)丙烯酸酯、2-乙基苯氧基(甲基)丙烯酸酯、苯甲基(甲基)丙烯酸酯、2-苯乙基(甲基)丙烯酸酯、3-苯丙基(甲基)丙烯酸酯、4-苯丁基(甲基)丙烯酸酯、2-(2-甲基苯基)乙基(甲基)丙烯酸酯、2-(3-甲基苯基)乙基(甲基)丙烯酸酯、2-(4-甲基苯基)乙基(甲基)丙烯酸酯、2-(4-丙基苯基)乙基(甲基)丙烯酸酯、2-(4-(1-甲基乙基)苯基)乙基(甲基)丙烯酸酯、2-(4-甲氧苯基)乙基(甲基)丙烯酸酯、2-(4-环己基苯基)乙基(甲基)丙烯酸酯、2-(2-氯苯基)乙基(甲基)丙烯酸酯、2-(3-氯苯基)乙基(甲基)丙烯酸酯、2-(4-氯苯基)乙基(甲基)丙烯酸酯、2-(4-溴苯基)乙基(甲基)丙烯酸酯、2-(3-苯基苯基)乙基(甲基)丙烯酸酯、4-(联苯-2-基氧基)丁基(甲基)丙烯酸酯、3-(联苯-2-基氧基)丁基(甲基)丙烯酸酯、2-(联苯-2-基氧基)丁基(甲基)丙烯酸酯、1-(联苯-2-基氧基)丁基(甲基)丙烯酸酯、4-(联苯-2-基氧基)丙基(甲基)丙烯酸酯、3-(联苯-2-基氧基)丙基(甲基)丙烯酸酯、2-(联苯-2-基氧基)丙基(甲基)丙烯酸酯、1-(联苯-2-基氧基)丙基(甲基)丙烯酸酯、4-(联苯-2-基氧基)乙基(甲基)丙烯酸酯、3-(联苯-2-基氧基)乙基(甲基)丙烯酸酯、2-(联苯-2-基氧基)乙基(甲基)丙烯酸酯、1-(联苯-2-基氧基)乙基(甲基)丙烯酸酯、2-(4-苯甲基苯基)乙基(甲基)丙烯酸酯、1-(4-苯甲基苯基)乙基(甲基)丙烯酸酯及其结构异构物，但不限于此。即，应理解，本文所述的(甲基)丙烯酸酯仅作为实例来提供，且本发明不限于此。此外，根据本发明的(甲基)丙烯酸酯包括与其结构异构物对应的所有丙烯酸酯。例如，尽管上面仅以举例方式提到2-苯基乙基(甲基)丙烯酸酯，然而根据本发明的(甲基)丙烯酸酯包括所有的3-苯基乙基(甲基)丙烯酸酯及4-苯基(甲基)丙烯酸酯。

具体来说，在式7中，s可为1到5的整数，且r⁶可为经取代或未经取代的苯基苯氧基、经取代或未经取代的苯基苯硫基、经取代或未经取代的联苯基苯氧基或者经取代或未经取代的三联苯基苯氧基(terphenylphenoxygroup)，其中取代基可为氘、c1到c10烷基、c1到c10烷氧基、c6到c18芳基、c3到c18杂芳基或硫醇基。

(c2)非芳族单(甲基)丙烯酸酯可为含经取代或未经取代的c1到c20烷基的单(甲基)丙烯酸酯。具体来说，非芳族单(甲基)丙烯酸酯可为含未经取代的直链c1到c20烷基的单(甲基)丙烯酸酯、更具体来说含未经取代的直链c10到c20烷基的单(甲基)丙烯酸酯。例如，非芳族单(甲基)丙烯酸酯可包括(甲基)丙烯酸癸基酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯及(甲基)丙烯酸二十烷基酯，但不限于此。

以组分a、组分b、组分c及组分d的100重量份计，可存在10重量份到60重量份、具体来说15重量份到50重量份、更具体来说15重量份到40重量份、例如10重量份、20重量份、30重量份、40重量份、50重量份或60重量份的量的光可固化单官能单体、优选为非硅酮系光可固化单官能单体。在此含量范围内，包封组合物可具有低粘度及增加的粘合性。

(d)引发剂

引发剂可包括能够执行光固化反应的任何典型的光聚合引发剂。例如，光聚合引发剂可包括三嗪、苯乙酮、二苯甲酮、噻吨酮、安息香(benzoin)、磷、肟引发剂或其混合物。

磷引发剂可包括二苯基(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦、苯甲基(二苯基)氧化膦及其混合物。例如，在根据本发明的组合物中，磷引发剂在长波长的紫外光下可表现出更好的引发性能。这些引发剂可单独使用或作为其混合物形式使用。

以组分a、组分b、组分c及组分d的100重量份计，可存在1重量份到40重量份、具体来说1重量份到10重量份、更具体来说1重量份到9重量份、1重量份到8重量份、例如1重量份、2重量份、3重量份、4重量份、5重量份、6重量份、7重量份、8重量份、9重量份、10重量份、20重量份、30重量份或40重量份的量的引发剂。在此范围内，引发剂在暴露于光时进行足够的光聚合，且可防止由于光聚合后剩余的未反应的引发剂而引起的透光率劣化。

根据本发明的封装组合物可通过将组分a到d组分混合来制备。例如，封装组合物可被形成为不含溶剂的无溶剂组合物。例如，当封装组合物是无溶剂组合物时，重量％是以组分a到组分d的总重量计。

通过对封装组合物进行光固化而形成的有机层在420nm的波长下、优选在410nm的波长下、更优选在405nm的波长下可具有20％或小于20％、具体来说15％或小于15％、更具体来说10％或小于10％的透光率。在此范围内，有机层可防止由于暴露于阳光而引起有机发光二极管面板的寿命缩短。

根据本发明的封装组合物是光可固化组合物，且可通过用紫外光以10mw/cm²到500mw/cm²照射1到50秒来固化。

根据本发明的封装组合物在25℃±2℃下可具有约7cp到50cp的粘度。在此范围内，封装组合物能够容易沉积。

封装组合物可具有10％或小于10％、例如10％或小于10％、9％或小于9％、8％或小于8％、7％或小于7％、6％或小于6％、5％或小于5％、4％或小于4％或者3％或小于3％的等离子体蚀刻率，如由方程式2表示。在此范围内，封装组合物可防止在有机层上形成无机层时通过等离子体蚀刻来移除有机层，从而提高有机发光二极管的可靠性。

封装组合物可用于封装有机发光二极管。具体来说，封装组合物可在其中无机层与有机层依序堆叠在彼此上方的封装结构中形成有机层。特别是，封装组合物可用于柔性有机发光二极管显示器。

封装组合物可用于封装用于设备的构件，特别是显示器的构件，由于周围环境中的气体或液体(例如，大气中的氧气和/或水分和/或水蒸气)的渗透以及由于制备电子产品中使用的化学品的渗透，所述构件可遭受品质降低或劣化。设备的构件的实例可包括照明装置、金属传感器垫、微盘激光器、电致变色装置、光致变色装置、微机电系统、太阳能电池、集成电路、电荷耦合装置、发光聚合物、发光二极管等，但不限于此。

根据本发明的有机发光二极管显示器可包括使用根据本发明实施例的封装有机发光二极管的组合物形成的有机层。具体地，有机发光二极管显示器可包括：有机发光二极管；以及阻挡件堆叠，形成在有机发光二极管上且包括无机层及有机层，其可由根据本发明实施例的封装组合物形成。因此，有机发光二极管显示器可表现出高可靠性。

接下来，将参照图1来阐述根据一个实施例的有机发光二极管显示器。图1为根据本发明一个实施例的有机发光二极管显示器的剖视图。

参照图1，根据此实施例的有机发光二极管显示器100包括：衬底10；有机发光二极管20，形成在衬底10上；以及阻挡件堆叠30，形成在有机发光二极管20上且包括无机层31及有机层32，其中无机层31邻接有机发光二极管20，且有机层32可使用根据本发明实施例的封装有机发光二极管的组合物形成。

衬底10可为任何衬底，只要有机发光二极管可形成在衬底上既可。例如，衬底10可由例如透明玻璃、塑料板及硅或金属衬底等材料形成。

有机发光二极管20通常用于有机发光二极管显示器中，且尽管在图1中未示出，然而可包括第一电极、第二电极及形成在第一电极与第二电极之间的有机发光层。此外，有机发光层可具有其中空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层依序堆叠的结构，但不限于此。

阻挡件堆叠30包括由不同组分构成的无机层31与有机层32，从而实现封装有机发光二极管的功能。

无机层31包含与有机层32不同的组分，从而补充有机层的效果。例如，无机层31可包含金属；非金属；至少两种金属的化合物或合金；至少两种非金属的化合物或合金；金属或非金属的氧化物；金属或非金属的氟化物；金属或非金属的氮化物；金属或非金属的碳化物；金属或非金属的氮氧化物；金属或非金属的硼化物；金属或非金属的氧硼化物；金属或非金属的硅化物；或者其混合物。金属或非金属可包括硅(si)、铝(al)、硒(se)、锌(zn)、锑(sb)、铟(in)、锗(ge)、锡(sn)、铋(bi)、过渡金属及镧系元素金属，但不限于此。具体来说，无机层可包括氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)、硒化锌(znse)、氧化锌(zno)、三氧化锑(sb2o3)、包括氧化铝(al2o3)的氧化铝(alox)、氧化铟(in2o3)或氧化锡(sno2)。

无机层31可通过以下等离子体工艺或真空工艺沉积，例如溅射、化学气相沉积、等离子体化学气相沉积、蒸发、升华、电子回旋共振-等离子体增强化学气相沉积及其组合。

有机层与无机层可交替沉积，以确保无机层的平坦化性质，同时防止一个无机层的缺陷扩散到其他无机层。

有机层32可通过对根据本发明的实施例的封装组合物进行涂布、沉积及固化的组合来形成。例如，有机层32可通过将封装组合物涂布到1μm到50μm的厚度，然后通过以10mw/cm²到500mw/cm²照射1秒到50秒对组合物进行固化来形成。

阻挡件堆叠30可包括任何数目的有机层及无机层。有机层及无机层的组合可随着对氧气和/或水分和/或水蒸气和/或化学品的抗渗透水平而改变。例如，有机层及无机层可被形成为总计10层或少于10层，例如2层到7层。具体来说，有机层及无机层按以下顺序形成为总计7层：无机层/有机层/无机层/有机层/无机层/有机层/无机层。

在阻挡件堆叠30中，有机层与无机层可交替沉积。这是因为上述组合物由于其性质而对有机层有影响。因此，有机层及无机层可补充或增强对设备的构件的封装。

接下来，将参照图2来阐述根据另一个实施例的有机发光二极管显示器。图2为根据本发明另一个实施例的有机发光二极管显示器的剖视图。

参照图2，根据此实施例的有机发光二极管显示器200包括：衬底10；有机发光二极管20，形成在衬底10上；以及阻挡件堆叠30，形成在有机发光二极管20上且包括无机层31及有机层32，其中无机层31包封在其中接纳有机发光二极管20的内部空间40，且有机层32可由根据本发明实施例的封装有机发光二极管的组合物形成。除了无机层31不邻接有机发光二极管20之外，根据此实施例的有机发光二极管显示器200与根据上述实施例的有机发光二极管显示器100实质上相同。

接下来，将参照实例来更详细地阐述本发明。然而，应注意，提供这些实例仅用于说明，且不应理解为以任何方式限制本发明。

制备例1：制备式1-4的化合物

在设置有冷却管及搅拌器的1,000ml烧瓶中，依序放置300ml丙酮、39g三乙胺及50g2,2'-[9,10-蒽二基双(氧基)]双乙醇(2,2'-[9,10-antracendiylbix(oxy)]bisethanol)(爱拓有限公司(atomaxco.,ltd.))，然后在0℃下对组分进行搅拌的同时向其中缓慢添加了30.2g甲基丙烯酰氯。接着，在将烧瓶的温度升高到40℃之后将混合物搅拌了1小时。通过蒸馏移除了剩余的溶剂，由此获得高效液相色谱(highperformanceliquidchromatography，hplc)纯度为96％的式1-4的化合物。

制备例2：制备式3-1的化合物

在设置有冷却管及搅拌器的1,000ml烧瓶中，依序放置了200g氰基乙酸、320g甲基丙烯酸2-羟乙酯、600ml甲苯及3g浓缩硫酸(大荣化工材料有限公司(daejungchemicals&materialsco.,ltd.))，然后氮气吹洗30分钟并将烧瓶加热到160℃以从其移除水。通过蒸馏移除了溶剂，由此获得hplc纯度为96％的2-丙烯酸-2-甲基-2-[(氰基羰基)氧基]乙酯(甲基丙烯酸2-氰基乙酰氧基乙酯，重量平均分子量：197.19g/mol)。(氢谱核磁共振(¹hnuclearmagneticresonance，¹hnmr)：δ6.12,s,1h；δ5.62,s,1h；δ4.45,m,2h；δ4.38,m,2h；δ3.01,s,2h；δ1.94,s,3h)

在设置有冷却管及搅拌器的500ml烧瓶中，放置了15.2gkoh、38g碘甲烷、50g2-苯基-1h-吲哚-3-甲醛及150g二甲基甲酰胺(dimethylformamide，dmf)并在室温下搅拌了12小时。通过蒸馏移除了溶剂，由此获得hplc纯度为96％的1-甲基-2-苯基-1h-吲哚-3-甲醛(重量平均分子量：235.28g/mol)。(¹hnmr：δ9.76,s,1h；δ8.46,m,1h；δ7.59,m,3h；δ7.52,m,2h；δ7.42,m,3h；δ3.79,s,3h)

在设置有冷却管及搅拌器的500ml烧瓶中，放置了21g1-甲基-2-苯基-1h-吲哚-3-甲醛、21.2g2-丙烯酸-2-甲基-2-[(氰基羰基)氧基]乙酯(甲基丙烯酸2-氰基乙酰氧基乙酯)、2.3g哌啶及230g吡啶并在室温下搅拌了12小时。通过蒸馏移除了溶剂，然后用乙醇进行再结晶，由此获得由式3-1表示且hplc纯度为98％的化合物(分子量：414.45g/mol)。(¹hnmr：δ8.46,m,1h；δ8.17,s,1h；δ7.59,m,3h；δ7.42,m,5h；δ6.15,s,1h；δ5.62,s,1h；δ4.51,m,2h；δ4.42,m,2h；δ3.75,s,3h；δ1.96,s,3h)

制备例3：制备式5-2的化合物

在设置有冷却管及搅拌器的1,000ml烧瓶中，依序放置了300ml乙酸乙酯、21g3,3-二苯基-1,1,5,5-四甲基三硅氧烷及43g烯丙醇(大荣化工材料有限公司)，然后氮气吹洗30分钟。接下来，向其中添加了72ppm载置pt的碳黑粉末(奥德里奇公司(aldrich)gmbh)，然后将烧瓶加热到80℃并将组分搅拌了4小时。通过蒸馏移除了剩余的溶剂，由此获得化合物。将71.5g所获得的化合物及39g三乙胺依序添加到300ml二氯甲烷中，然后在0℃下对混合物进行搅拌的同时向其中缓慢添加了30.2g甲基丙烯酰氯。通过蒸馏移除了剩余的溶剂，由此获得由式5-2表示且hplc纯度为96％的化合物。(¹hnmr：δ7.52,m,6h；δ7.42,m,4h；δ6.25,d,2h；δ6.02,dd,2h；δ5.82,t,1h；δ5.59,d,2h；δ3.86,m,4h；δ1.52,m,4h；δ0.58,m,4h；δ0.04,m,12h)

在实例及比较例中使用的组分的详细内容如下。

(a1)制备例1的化合物(式1-4的化合物)

(a2)式2的化合物(廷纳芬(tinuvin)970，6-丁基-2-[2-羟基-3-(1-甲基-1-苯乙基)-5-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯基]吡咯[3,4-f]苯并三唑-5,7(2h,6h)-二酮(6-butyl-2-[2-hydroxy-3-(1-methyl-1-phenylethyl)-5-

(1,1,3,3-tetramethylbutyl)phenyl]pyrrolo[3,4-f]benzotriazole-5,7(2h,6h)-dion)，巴斯夫公司(basf))

(a3)制备例2的化合物(式3-1的化合物)

(a4)廷纳芬477(2,4,6-三[4-(1-辛氧基羰基)乙氧基-2-羟基苯基]-1,3,5-三嗪，巴斯夫公司)

(b1)1,12-十二烷二醇二丙烯酸酯(沙多玛有限公司(sartomerco.,ltd.))

(b2)1,9-壬二醇二丙烯酸酯(沙多玛有限公司(sartomerco.,ltd.))

(b3)制备例3的化合物(式5-2的化合物)

(c1)芳族单(甲基)丙烯酸酯(m1142，美源有限公司(miwonco.,ltd.))

(c2)丙烯酸月桂酯(沙多玛有限公司)

(d)引发剂：达罗科(darocur)tpo(巴斯夫公司)(磷引发剂)

实例1

将3重量份的(a1)制备例1的化合物、47重量份的(b1)1,12-十二烷二醇二丙烯酸酯、28重量份的(b3)制备例3的化合物、19重量份的(c1)芳族单(甲基)丙烯酸酯及3重量份的(d)引发剂放入125ml棕色聚丙烯瓶中，并通过搅动器在室温下混合3小时，由此获得封装组合物。

实例2到实例6以及比较例1到比较例4

除了将实例1的组分的含量如表1所列改变以外，以与实例1相同的方式制备了封装组合物(单位：重量份)。

关于表1所列以下性质对在实例及比较例中制备的各封装组合物进行了评价。结果示出于表1中。

(1)粘度(单位：cp)：使用粘度计40号主轴(spindleno.40)(lvdv-iipro，布鲁克菲尔德有限公司(brookfieldco.,ltd.))在25℃下对在实例及比较例中制备的各封装组合物的粘度进行了测量。

(2)光固化率(单位：％)：在1,635cm^-1(c＝c)及1,720cm^-1(c＝o)附近关于吸收峰值的强度，使用傅立叶变换红外(fouriertransforminfrared，ft-ir)光谱仪(尼可立特(nicolet)4700，热电有限公司(thermoco.,ltd.))对各封装组合物进行了测量。通过喷雾器将各封装组合物施加到玻璃衬底，然后通过以100mw/cm²紫外线照射10秒进行固化，由此制备大小为20cm×20cm×3μm(宽度×长度×厚度)的样本。接着，在1,635cm^-1(c＝c)及1,720cm^-1(c＝o)附近使用ft-ir光谱仪(尼可立特4700，热电有限公司)对固化膜的吸收峰值的强度进行了测量。通过方程式1来计算光固化率：

光固化率(％)＝|1-(a/b)|×100，(方程式1)

其中a是针对固化膜测量的在1,635cm^-1附近的吸收峰值的强度对在1,720cm^-1附近的吸收峰值的强度的比率，且b是针对封装组合物测量的在1,635cm^-1附近的吸收峰值的强度对在1,720cm^-1附近的吸收峰值的强度的比率。

(3)等离子体蚀刻率(单位：％)：将各封装组合物在si晶片上沉积到预定厚度并进行光固化以形成有机层，然后测量有机层的初始沉积高度(t1，单位：μm)。在以下条件下对有机层进行电感耦合等离子体(inductioncoupledplasma，icp)处理：电感耦合等离子体功率：2,500w、re功率：300w、直流偏压(dcbias)：200v，ar流速：50sccm、蚀刻时间：1分钟及压力：10毫托，然后测量有机层的高度(t2，单位：μm)。使用场发射扫描电子显微镜(fieldemissionscanningelectronmicroscopy，fe-sem)(日立高科技公司(hitachihightechnologiescorporation))对有机层的高度(厚度)进行了测量。通过方程式2计算出有机层的等离子体蚀刻率：

有机层的等离子体蚀刻率(％)＝(t1-t2)/t1×100，(方程式2)。

(4)透光率(单位：％)：在n2条件下通过紫外线照射对各封装组合物进行了固化以形成10μm厚的膜，继而使用兰布达(lambda)950(珀金埃尔默有限公司(perkinelmerco.,ltd.))在405nm的波长下关于透光率对各封装组合物进行了测量。

表1

如表1所示，根据本发明的封装组合物可实现具有良好紫外线阻挡效果及低等离子体蚀刻率的有机层。

相反，其中组分a的含量不处于本发明的范围内的比较例1及比较例4的组合物具有高等离子体蚀刻率及不显著的紫外线阻挡效果。另外，包含其他化合物而非组分a的比较例2及比较例3的组合物具有高等离子体蚀刻率及不显著的紫外线阻挡效果。

应理解，在不背离本发明的精神及范围条件下，所属领域中的技术人员可作出各种修改、改变、变更及等效实施例。